L2 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 4
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
Hoja de datos
248En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 64A N-CH LINEAR
Hoja de datos
1,908En existencias
850Se espera el 20/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 15A N-CH LINEAR
Hoja de datos
433En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 15 A 480 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 123 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N-CH 75V 80A
Hoja de datos
453En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Tube