IXTQ30N50 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 500V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 240 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 70 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement PolarHV Tube