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IRFZ Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 25

Filtros aplicados:

Serie = IRFZ

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A

IRFZ14PBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.46
3,899En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ14PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFZ14PBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A

Hoja de datos

Comentarios de Producto

3,899En existencias

S/6.46

S/2.73

S/2.52

S/2.18

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TO-220-3

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1 Channel

60 V

10 A

200 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A

IRFZ48RPBF
Vishay Semiconductors
1: S/13.00
1,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ48RPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFZ48RPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A

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1,390En existencias

S/13.00

S/7.08

S/6.73

S/5.53

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 17A

IRFZ24PBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.71
5,465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ24PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFZ24PBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 17A

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5,465En existencias

S/7.71

S/4.75

S/3.41

S/2.88

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17 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 17A

IRFZ24PBF
Vishay Semiconductors
1: S/7.67
6,667En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ24PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFZ24PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 17A

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S/7.67

S/3.56

S/3.15

S/2.75

S/2.17

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60 V

17 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A

IRFZ40PBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.42
3,037En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ40PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFZ40PBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A

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3,037En existencias

S/12.42

S/6.93

S/5.92

S/4.98

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50 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 50 Amp

IRFZ48PBF
Vishay Semiconductors
1: S/14.71
949En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ48PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFZ48PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 50 Amp

Hoja de datos

949En existencias

S/14.71

S/7.47

S/6.77

S/5.57

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1 Channel

60 V

50 A

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- 20 V, 20 V

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110 nC

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190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A

IRFZ10PBF
Vishay / Siliconix
1: S/8.41
677En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ10PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFZ10PBF

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A

Hoja de datos

677En existencias

S/8.41

S/4.75

S/3.71

S/3.15

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

10 A

200 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 50V 15A

IRFZ20PBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.84
1,486En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ20PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFZ20PBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 50V 15A

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1,486En existencias

S/8.84

S/3.53

S/3.50

S/3.13

Ver

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TO-220-3

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1 Channel

50 V

15 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A

IRFZ44PBF
Vishay Semiconductors
1: S/8.45
3,193En existencias
2,000Se espera el 26/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ44PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFZ44PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A

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Comentarios de Producto

3,193En existencias

2,000Se espera el 26/02/2026

S/8.45

S/4.40

S/3.93

S/3.31

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50 A

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4 V

67 nC

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150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A

IRFZ44RPBF
Vishay Semiconductors
1: S/12.03
1,848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ44RPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFZ44RPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A

Hoja de datos

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1,848En existencias

S/12.03

S/6.58

S/5.99

S/5.06

Ver

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N-Channel

1 Channel

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50 A

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- 20 V, 20 V

4 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 50 Amp

IRFZ44STRLPBF
Vishay Semiconductors
1: S/13.58
1,447En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ44STRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFZ44STRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 50 Amp

Hoja de datos

1,447En existencias

Cinta cortada

S/13.58

S/8.87

S/6.19

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.44

S/4.36

MouseReel Disponible

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Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

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- 20 V, 20 V

2 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60V Power MOSFET

IRFZ48SPBF
Vishay Semiconductors
1: S/15.73
825En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ48SPBF

N.º de artículo de Mouser
78-IRFZ48SPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60V Power MOSFET

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825En existencias

S/15.73

S/8.06

S/7.79

S/6.93

Ver

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

60 V

50 A

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110 nC

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190 W

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A

IRFZ14PBF
Vishay Semiconductors
1: S/6.81
222En existencias
4,000Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ14PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFZ14PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A

Hoja de datos

Comentarios de Producto

222En existencias

4,000Se espera el 16/02/2026

S/6.81

S/2.67

S/2.44

S/2.16

S/2.05

Min.: 1
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N-Channel

1 Channel

60 V

10 A

200 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V

IRFZ14SPBF
Vishay Semiconductors
1: S/8.25
4En existencias
1,000Se espera el 26/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ14SPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFZ14SPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V

Hoja de datos

4En existencias

1,000Se espera el 26/02/2026

S/8.25

S/5.14

S/3.48

S/2.76

Ver

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

10 A

200 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 50V 15A

IRFZ20PBF
Vishay Semiconductors
1: S/7.16
1,177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ20PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFZ20PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 50V 15A

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1,177En existencias

S/7.16

S/3.88

S/3.60

S/3.45

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

50 V

15 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

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+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A

IRFZ40PBF
Vishay Semiconductors
1: S/10.39
1,660En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ40PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFZ40PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1,660En existencias

S/10.39

S/5.06

S/4.75

S/4.44

Ver

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

67 nC

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-Channel 60V

IRFZ14STRLPBF
Vishay / Siliconix
1: S/9.15
694En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ14STRLPBF

N.º de artículo de Mouser
78-IRFZ14STRLPBF

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-Channel 60V

Hoja de datos

694En existencias

Cinta cortada

S/9.15

S/5.88

S/4.01

S/3.25

Envase tipo carrete

S/2.61

S/2.51

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A

IRFZ44PBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.49
1,186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ44PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFZ44PBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1,186En existencias

S/8.49

S/4.83

S/4.52

S/3.97

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A

IRFZ44RPBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.86
654En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ44RPBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFZ44RPBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A

Hoja de datos

Comentarios de Producto

654En existencias

S/13.86

S/8.21

S/6.93

S/5.80

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 50 Amp

IRFZ48RSPBF
Vishay Semiconductors
1: S/17.79
493En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ48RSPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFZ48RSPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 50 Amp

Hoja de datos

493En existencias

S/17.79

S/11.79

S/8.37

S/6.89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 50 Amp

IRFZ44SPBF
Vishay Semiconductors
1: S/13.58
1,000Se espera el 10/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ44SPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFZ44SPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 50 Amp

Hoja de datos

1,000Se espera el 10/03/2026

S/13.58

S/6.34

S/5.76

S/4.79

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V

IRFZ44LPBF
Vishay / BC Components
1: S/9.42
No en existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ44LPBF

N.º de artículo de Mouser
594-IRFZ44LPBF

Nuevo en Mouser

Vishay / BC Components

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V

Hoja de datos

No en existencias

S/9.42

S/5.99

S/4.09

S/3.42

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 17A 60W

IRFZ24STRLPBF
Vishay / Siliconix
800: S/4.01
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ24STRLPBF

N.º de artículo de Mouser
78-IRFZ24STRLPBF

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 17A 60W

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/4.01

S/3.89

Min.: 800
Mult.: 800

Carrete: 800

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-Channel 60V

IRFZ24STRRPBF
Vishay / Siliconix
800: S/4.01
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFZ24STRRPBF

N.º de artículo de Mouser
78-IRFZ24STRRPBF

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-Channel 60V

Hoja de datos

No en existencias

S/4.01

S/3.89

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 60V 50A

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Vishay / Siliconix
800: S/3.59
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N.º de artículo del Fabricante
IRFZ48STRLPBF

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78-IRFZ48STRLPBF

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 60V 50A

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/3.59

S/3.45

Min.: 800
Mult.: 800

Carrete: 800

Reel

IRFZ Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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