.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

IRFBC Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 19

Filtros aplicados:

Serie = IRFBC

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

IRFBC40APBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.57
1,518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40APBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFBC40APBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1,518En existencias

S/12.57

S/6.58

S/5.68

S/4.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

IRFBC40PBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.25
1,890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFBC40PBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1,890En existencias

S/11.25

S/4.48

S/4.24

S/3.82

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

IRFBC40LCPBF
Vishay Semiconductors
1: S/18.49
1,920En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40LCPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC40LCPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1,920En existencias

S/18.49

S/8.02

S/7.98

S/7.67

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

IRFBC40ASTRLPBF
Vishay Semiconductors
1: S/20.79
546En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40ASTRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC40ASTRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

Hoja de datos

546En existencias

Cinta cortada

S/20.79

S/13.86

S/9.93

S/8.33

Envase tipo carrete

S/7.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

IRFBC40APBF
Vishay Semiconductors
1: S/8.80
1,053En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40APBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC40APBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1,053En existencias

S/8.80

S/4.90

S/4.67

S/4.16

S/3.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET

IRFBC20STRLPBF
Vishay Semiconductors
1: S/11.52
256En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC20STRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC20STRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos

256En existencias

Cinta cortada

S/11.52

S/10.39

S/10.24

S/8.37

Envase tipo carrete

S/5.64

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

2.2 A

4.4 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 3.6 Amp

IRFBC30ASPBF
Vishay Semiconductors
1: S/10.78
846En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC30ASPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC30ASPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 3.6 Amp

Hoja de datos

846En existencias

S/10.78

S/5.57

S/5.14

S/4.59

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3.6 A

2.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

IRFBC40SPBF
Vishay Semiconductors
1: S/20.82
502En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40SPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC40SPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

Hoja de datos

502En existencias

S/20.82

S/13.90

S/9.96

S/8.37

S/7.75

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

IRFBC40ASPBF
Vishay Semiconductors
1: S/20.79
787En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40ASPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC40ASPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

Hoja de datos

787En existencias

S/20.79

S/8.41

S/8.10

S/7.75

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

IRFBC40PBF
Vishay Semiconductors
1: S/9.93
1,361En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC40PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1,361En existencias

S/9.93

S/4.52

S/4.24

S/3.54

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

IRFBC40STRLPBF
Vishay Semiconductors
1: S/20.79
453En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40STRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC40STRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

Hoja de datos

453En existencias

Cinta cortada

S/20.79

S/13.86

S/9.93

S/8.10

Envase tipo carrete

S/7.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 2.2A N-CH

IRFBC20PBF
Vishay Semiconductors
1: S/7.16
1,944En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC20PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC20PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 2.2A N-CH

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1,944En existencias

S/7.16

S/5.22

S/3.48

S/2.85

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

2.2 A

4.4 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 3.6A N-CH

IRFBC30APBF
Vishay Semiconductors
1: S/9.54
821En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC30APBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC30APBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 3.6A N-CH

Hoja de datos

Comentarios de Producto

821En existencias

S/9.54

S/6.62

S/5.64

S/4.40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

3.6 A

2.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V

IRFBC30ALPBF
Vishay Semiconductors
1: S/7.20
437En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC30ALPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC30ALPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V

Hoja de datos

437En existencias

S/7.20

S/6.50

S/6.11

S/5.22

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

600 V

3.6 A

2.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

IRFBC40LCPBF-BE3
Vishay / Siliconix
1,000: S/7.67
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40LCPBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFBC40LCPBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

No en existencias

S/7.67

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET

IRFBC20SPBF
Vishay Semiconductors
1: S/14.01
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC20SPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC20SPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos

No en existencias

S/14.01

S/4.90

S/4.87

S/4.83

S/4.55

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

2.2 A

4.4 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 3.6A N-CH MOSFET

IRFBC30ASTRLPBF
Vishay Semiconductors
800: S/5.22
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC30ASTRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC30ASTRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 3.6A N-CH MOSFET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/5.22

S/4.36

S/4.32

S/4.28

Min.: 800
Mult.: 800

Carrete: 800

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

IRFBC40ASTRRPBF
Vishay Semiconductors
800: S/7.75
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40ASTRRPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC40ASTRRPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/7.75

Min.: 800
Mult.: 800

Carrete: 800

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V

IRFBC40LPBF
Vishay Semiconductors
1,000: S/7.75
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40LPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC40LPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V

Hoja de datos

No en existencias

S/7.75

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-262-3

Tube

IRFBC Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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