CSD87381P Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Sync Buck NexFET Pwr Block II A 595-CSD8 A 595-CSD87381PT
Hoja de datos
22,440Se espera el 21/05/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PTAB-5 N-Channel 2 Channel 30 V 8 A 16.3 mOhms, 7.6 mOhms - 8 V, 8 V 1.1 V, 1 V 3.9 nC, 8.9 nC - 55 C + 150 C 4 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Sync Buck NexFET Pwr Block II A 595-CSD8 A 595-CSD87381P
Hoja de datos
6,500En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT PTAB-5 N-Channel 2 Channel 30 V 15 A 15.7 mOhms, 7 mOhms - 8 V, 8 V 1.9 V, 1.7 V 3.9 nC, 8.9 nC - 55 C + 150 C 4 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel