CSD25501F3 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25501F3T
Hoja de datos
265En existencias
15,000Se espera el 27/03/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.6 A 260 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 1.02 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) #NAME?
Hoja de datos
170En existencias
750Se espera el 2/04/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.6 A 260 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 1.02 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel