CSD25481F4 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCh FemtoFET MO SFET A 595-CSD25481F A 595-CSD25481F4
Hoja de datos
3,222En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 800 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 913 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement FemtoFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD2548 A 595-CSD25481F4T
Hoja de datos
6,284En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 800 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 913 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel