CSD23382F4 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel MOSFET A 5 95-CSD23382F4T A 59 A 595-CSD23382F4T
Hoja de datos
5,865En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 3.5 A 76 mOhms - 8 V, 8 V 500 mV 1.04 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch NexFET Power MO SFET A 595-CSD23382 A 595-CSD23382F4
Hoja de datos
163En existencias
2,750Se espera el 24/04/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 3.5 A 199 mOhms - 8 V, 8 V 1.1 V 1.04 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel