CSD23381F4 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-CH FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4T
Hoja de datos
8,475En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 2.3 A 175 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 1.14 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4
Hoja de datos
1,202En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 2.3 A 970 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 1.14 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel