MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
IMZC120R007M2HXKSA1
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
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SiC MOSFETS
SiC
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Módulos IGBT XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
FF1400R23T2E7PB5BPSA1
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Módulos IGBT XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 200V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
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NX3020NAKW-QX
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX3020NAKW-Q/SOT323/SC-70
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SC-70-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
ISC024N08NM7ATMA1
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
693 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXP062-60QL/SOT8002/MLPAK33
PXP062-60QLJ
Nexperia
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Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXP062-60QL/SOT8002/MLPAK33
752 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
MLPAK33-8
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GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
SGT350R70GTK
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STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
695 En existencias
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S/3.71
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GaN FETs
GaN
SMD/SMT
DPAK-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
STWA60N028T
STMicroelectronics
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N.º de artículo de Mouser 511-STWA60N028T
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STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
348 En existencias
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S/22.85
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMDQ75R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IMDQ75R033M2HXTM
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Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
100 En existencias
1
S/39.00
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S/30.52
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SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
PG-HDSOP-22
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
IQE036N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1:
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630 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 726-IQE036N08NM6SCAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
630 En existencias
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S/14.36
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S/9.38
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S/7.24
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S/6.07
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S/5.25
1,000
S/5.37
2,500
S/5.25
6,000
S/5.25
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MOSFETs
Si
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 12A N-CH
RF7P120BKFRATCR
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser 755-RF7P120BKFRATCR
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 12A N-CH
2,100 En existencias
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S/6.27
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S/3.97
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S/2.63
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S/2.10
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S/1.88
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DFN2020-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
XSM6K519NW,LXHF
Toshiba
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2,100 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 757-XSM6K519NWLXHF
Nuevo producto
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
2,100 En existencias
1
S/3.85
10
S/2.41
100
S/1.57
500
S/1.21
3,000
S/0.95
6,000
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S/1.12
6,000
S/0.884
9,000
S/0.876
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DFN-6
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
NVMFS5C460NLAFT1G-YE
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-S5C460NLAFT1GYE
Nuevo producto
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
836 En existencias
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S/4.98
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S/3.13
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S/2.07
500
S/1.70
1,500
S/1.33
3,000
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S/1.47
3,000
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
AAR050V065H2
APC-E
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270 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 896-AAR050V065H2
Nuevo producto
APC-E
MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
270 En existencias
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S/28.53
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
Perú
