Transistores – Mouser Perú

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N.° de pieza

Módulos IGBT 1700V/85A High Voltage XPT IGBT

IXYN30N170CV1
IXYS
1: S/153.68
441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYN30N170CV1

N.º de artículo de Mouser
747-IXYN30N170CV1

IXYS

Módulos IGBT 1700V/85A High Voltage XPT IGBT

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Hoja de datos

441En existencias

S/153.68

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

Screw Mount

SOT-227B

IGBTs 1700V/108A High Voltage XPT IGBT

IXYX30N170CV1
IXYS
1: S/142.35
853En existencias
90Se espera el 1/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXYX30N170CV1

N.º de artículo de Mouser
747-IXYX30N170CV1

IXYS

IGBTs 1700V/108A High Voltage XPT IGBT

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Hoja de datos

853En existencias

90Se espera el 1/04/2026

S/142.35

S/116.46

S/102.88

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-PLUS-3

IGBTs PLUS247 1700V 50A XPT

IXYX50N170C
IXYS
1: S/85.83
820En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYX50N170C

N.º de artículo de Mouser
747-IXYX50N170C

IXYS

IGBTs PLUS247 1700V 50A XPT

Hoja de datos

820En existencias

S/85.83

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-PLUS-3

IGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT

IXYH25N250CHV
IXYS
1: S/95.05
766En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYH25N250CHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXYH25N250CHV

IXYS

IGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT

Hoja de datos

766En existencias

S/95.05

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-PLUS-HV-3

MOSFETs de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC

LSIC1MO170E0750
IXYS
1: S/18.68
1,867En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LSIC1MO170E0750

N.º de artículo de Mouser
576-LSIC1MO170E0750

IXYS

MOSFETs de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC

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Hoja de datos

1,867En existencias

S/18.68

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTJ4N150
IXYS
1: S/30.52
272En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTJ4N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTJ4N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

272En existencias

S/30.52

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

IGBTs TO247 2500V 16A IGBT

IXYH16N250CV1HV
IXYS
1: S/92.72
287En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYH16N250CV1HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXYH16N250CV1HV

IXYS

IGBTs TO247 2500V 16A IGBT

Hoja de datos

287En existencias

S/92.72

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247HV-3

MOSFETs de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet

LSIC1MO120E0160
IXYS
1: S/31.84
548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LSIC1MO120E0160

N.º de artículo de Mouser
576-LSIC1MO120E0160

IXYS

MOSFETs de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet

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Hoja de datos

548En existencias

S/31.84

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V High Voltage Power MOSFET

IXTT12N150
IXYS
1: S/43.71
315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT12N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT12N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

315En existencias

S/43.71

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

IXTT6N120
IXYS
1: S/33.86
274En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT6N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT6N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

Hoja de datos

274En existencias

S/33.86

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

IGBTs 1700V/10A XPT IGBT w/ Diode

IXYH10N170CV1
IXYS
1: S/33.55
400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYH10N170CV1

N.º de artículo de Mouser
747-IXYH10N170CV1

IXYS

IGBTs 1700V/10A XPT IGBT w/ Diode

Hoja de datos

400En existencias

S/33.55

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247AD-3

IGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT Copacked

IXYX25N250CV1HV
IXYS
1: S/204.59
201En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYX25N250CV1HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXYX25N250CV1HV

IXYS

IGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT Copacked

Hoja de datos

201En existencias

S/204.59

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-PLUS-HV-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT

IXTT12N150HV
IXYS
1: S/183.14
280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT12N150HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT12N150HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT

Hoja de datos

280En existencias

S/183.14

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

IGBTs 1700V/58A High Volt

IXYH24N170C
IXYS
1: S/34.53
269En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYH24N170C

N.º de artículo de Mouser
747-IXYH24N170C

IXYS

IGBTs 1700V/58A High Volt

Hoja de datos

269En existencias

S/34.53

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247AD-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTH4N150
IXYS
1: S/22.50
238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH4N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH4N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

238En existencias

S/22.50

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

IXTH6N120
IXYS
1: S/33.86
193En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH6N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH6N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

Hoja de datos

193En existencias

S/33.86

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500 V High Voltage Power MOSFET

IXTX20N150
IXYS
1: S/85.67
47En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTX20N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX20N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500 V High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

47En existencias

S/85.67

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.500 Rds

IXTH3N120
IXYS
1: S/20.16
257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.500 Rds

Hoja de datos

257En existencias

S/20.16

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

IGBTs TO247 4500V 30A IGBT

IXYH30N450HV
IXYS
1: S/261.42
1,237En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYH30N450HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXYH30N450HV

IXYS

IGBTs TO247 4500V 30A IGBT

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Hoja de datos

1,237En existencias

S/261.42

S/227.59

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247HV-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTA05N100HV
IXYS
1: S/19.50
3,373En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA05N100HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA05N100HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

3,373En existencias

S/19.50

S/15.61

S/12.61

S/11.21

S/9.61

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds

IXTA3N120
IXYS
1: S/33.01
1,081En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds

Hoja de datos

1,081En existencias

S/33.01

S/20.55

S/18.92

S/17.05

S/16.43

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT

IXTA3N120HV
IXYS
1: S/18.49
398En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N120HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N120HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT

Hoja de datos

398En existencias

S/18.49

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 4A N-CH HIVOLT

IXTA4N150HV
IXYS
1: S/54.03
193En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA4N150HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA4N150HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 4A N-CH HIVOLT

Hoja de datos

193En existencias

S/54.03

S/36.36

S/33.71

S/26.74

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id3 BVdass1200

IXTP3N120
IXYS
1: S/34.37
867En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id3 BVdass1200

Hoja de datos

867En existencias

S/34.37

S/20.12

S/18.53

S/16.43

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

IGBTs TO247 1700V 24A DIODE

IXYH24N170CV1
IXYS
1: S/45.74
170En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYH24N170CV1

N.º de artículo de Mouser
747-IXYH24N170CV1

IXYS

IGBTs TO247 1700V 24A DIODE

Hoja de datos

170En existencias

S/45.74

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

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