Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs

ROHM Semiconductor 600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs utilize original patented technology to accelerate the parasitic diode, achieving ultra-fast reverse recovery characteristics to achieve low power consumption. The PrestoMOS design enables a reduction in power loss of about 58% at light loads when compared with IGBT implementations. Additionally, raising the reference voltage needed to turn ON the MOSFET prevents self-turn-ON, which is one of the main causes of loss. The optimized built-in parasitic diode improves the soft recovery index specific to Super Junction MOSFETs, which reduces noise that can lead to malfunction.

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Resultados: 14

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 13A 4th Gen, Fast Recover

R6013VND3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/9.93
5,057En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6013VND3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6013VND3TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 13A 4th Gen, Fast Recover

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Cinta cortada

S/9.93

S/6.77

S/5.72

S/5.53

S/5.37

Envase tipo carrete

S/5.37

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

131 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 4th Gen, Fast Recover

R6018VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/16.39
1,963En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6018VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6018VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 4th Gen, Fast Recover

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Hoja de datos

1,963En existencias

S/16.39

S/8.41

S/7.63

S/6.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

204 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

61 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 4th Gen, Fast Switch

R6020YNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/10.24
2,029En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6020YNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6020YNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 4th Gen, Fast Switch

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2,029En existencias

S/10.24

S/6.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

185 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

62 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 13A 4th Gen, Fast Recover

R6013VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/7.08
1,904En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6013VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6013VNXC7G

ROHM Semiconductor

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1,904En existencias

S/7.08

S/6.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 4th Gen, Fast Recover

R6035VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/14.60
1,943En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6035VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6035VNXC7G

ROHM Semiconductor

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1,943En existencias

S/14.60

S/10.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

114 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 4th Gen, Fast Recover

R6024VNX3C16
ROHM Semiconductor
1: S/23.63
2,003En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6024VNX3C16

N.º de artículo de Mouser
755-R6024VNX3C16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 4th Gen, Fast Recover

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2,003En existencias

S/23.63

S/12.49

S/11.44

S/10.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

153 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 4th Gen, Fast Recover

R6024VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/19.73
1,969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6024VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6024VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 4th Gen, Fast Recover

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1,969En existencias

S/19.73

S/11.17

S/10.16

S/9.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

153 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 55A 4th Gen, Fast Recover

R6055VNZC17
ROHM Semiconductor
1: S/25.89
567En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6055VNZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6055VNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 55A 4th Gen, Fast Recover

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567En existencias

S/25.89

S/24.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

71 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

99 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover

R6077VNZC17
ROHM Semiconductor
1: S/37.33
720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6077VNZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6077VNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover

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720En existencias

S/37.33

S/30.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

51 Ohms

- 30 V, 30 V

6.5 V

108 nC

- 55 C

+ 150 C

113 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 55A 4th Gen, Fast Recover

R6055VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/17.40
2,042En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6055VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6055VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 55A 4th Gen, Fast Recover

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Hoja de datos

2,042En existencias

S/17.40

S/17.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

71 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 14A 4th Gen, Fast Switch

R6014YNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/16.35
2,025En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6014YNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6014YNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 14A 4th Gen, Fast Switch

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2,025En existencias

S/16.35

S/9.54

S/7.82

S/6.70

S/6.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

260 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 55A 4th Gen, Fast Recover

R6055VNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/30.09
1,113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6055VNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6055VNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 55A 4th Gen, Fast Recover

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Hoja de datos

1,113En existencias

S/30.09

S/27.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

55 A

71 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

543 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover

R6077VNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/58.15
1,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6077VNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6077VNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover

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Hoja de datos

1,190En existencias

S/58.15

S/36.43

S/33.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

77 A

51 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

108 nC

- 55 C

+ 150 C

781 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 4th Gen, Fast Recover

R6035VNX3C16
ROHM Semiconductor
1: S/28.84
1,000Se espera el 9/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
R6035VNX3C16

N.º de artículo de Mouser
755-R6035VNX3C16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 4th Gen, Fast Recover

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Hoja de datos

1,000Se espera el 9/07/2026

S/28.84

S/15.76

S/14.44

S/14.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

114 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

347 W

Enhancement

Tube

600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs

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