1700V Dual IGBT Modules

Infineon Technologies 1700V Dual IGBT Modules are qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749, and 60068. The modules have electrical features like VCES = 1700V, IC nom up to 1500A/ICRM = 3000A. The devices also feature an integrated temperature sensor, high current density, and low VCE.

Resultados: 5
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Dp - Disipación de potencia
Paquete / Cubierta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 200 A dual IGBT module
Hoja de datos
13En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Dual 1.7 kV 2.3 V 310 A 100 nA 1.25 kW Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FF225R17ME7B11BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 225 A dual IGBT module
Hoja de datos
7En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 225 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF900R17ME7B11BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 900 A dual IGBT module
Hoja de datos
6En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 750 A dual IGBT module
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF1500R17IP5RBPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 1500 A dual IGBT module
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 2
Mult.: 2

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray