PSMN N-Channel MOSFETs

Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, LFPAK88, I2PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. 

Resultados: 64
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 100A 28,489En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 103 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 100A 17,920En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.03 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 60.3 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN9R5-100BS/SOT404/D2PAK 1,011En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 90 V 89 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 82 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R3-80SSF/SOT1235/LFPAK88 75En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT LFPAK-88-4 N-Channel 1 Channel 80 V 335 A 1.2 mOhms 20 V 3 V 164 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN016-100BS/SOT404/D2PAK 4,778En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 57 A 28.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN034-100BS/SOT404/D2PAK 3,943En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 90 V 32 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23.8 nC - 55 C + 175 C 86 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 30A 6,148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 37.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 21.6 nC - 55 C + 175 C 94.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN039-100YS/SOT669/LFPAK 8,382En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 90 V 20 A 71 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 300A 1,820En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-1023-4 N-Channel 1 Channel 25 V 300 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 110.2 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 300A 4,082En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 300 A 720 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 89.8 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN0R9-25YLC/SOT669/LFPAK 8,304En existencias
15,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 990 uOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 110 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R0-30YLC/SOT669/LFPAK 8,590En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 103.5 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R1-25YLC/SOT669/LFPAK 2,501En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 1.43 V 83 nC - 55 C + 175 C 215 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R0-30YLE/SOT669/LFPAK 8,944En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 87 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 95A 922En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 95 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 19.4 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN5R6-100BS/SOT404/D2PAK 1,561En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 141 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN7R0-30YLC/SOT669/LFPAK 12,942En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 61 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.58 V 16 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R0-30YL/SOT669/LFPAK 674En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 64 nC - 55 C + 175 C 97 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R0-30YL/SOT669/LFPAK 1,440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 45.8 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN9R1-30YL/SOT669/LFPAK 2,821En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 57 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN011-30YLC/SOT669/LFPAK 5,456En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 37 A 11.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 10.3 nC - 55 C + 175 C 29 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 61A 282En existencias
1,500Se espera el 10/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 61 A 11.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 91 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN013-30YLC/SOT669/LFPAK 7,975En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 32 A 16.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 8.3 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN016-100YS/SOT669/LFPAK 2,467En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 16.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 117 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 44A 1,562En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 54 V 31 A 24.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel