Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® Gen V Power MOSFETs with VDS

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen V Power MOSFETs increase power conversion efficiency with a very low R_DS x Q_g figure-of-merit (FOM). The Gen V Power MOSFETs have 80V, 100V, and 150V drain-source breakdown voltage options. The Gen V Power MOSFETs are available in a PowerPAK^® 1212-8SH or PowerPAK SO-8 single package.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A

SIR584DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.91
4,533En existencias

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SIR584DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
625-SIR584DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A

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Cinta cortada

S/8.91

S/5.72

S/3.89

S/3.11

Envase tipo carrete

S/2.54

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36.7 nC

- 55 C

+ 150 C

83.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 20.7A

SIR586DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.55
19,898En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR586DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
625-SIR586DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 20.7A

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19,898En existencias

Cinta cortada

S/7.55

S/4.83

S/3.27

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.10

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

64.9 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25.3 nC

- 55 C

+ 150 C

71.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 80V 16.9A

SISS588DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.40
13,006En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS588DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
625-SISS588DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 80V 16.9A

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13,006En existencias

Cinta cortada

S/7.40

S/4.71

S/3.18

S/2.52

Envase tipo carrete

S/2.20

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK1212-8

N-Channel

1 Channel

80 V

58.1 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

18.7 nC

- 55 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 4.7 m 10V 6.8 m 4.5V

SIR500DP-T1-UE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.51
12,207En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIR500DP-T1-UE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR500DP-T1-UE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 4.7 m 10V 6.8 m 4.5V

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12,207En existencias

Cinta cortada

S/10.51

S/6.77

S/4.87

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.29

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

350.8 A

470 uOhms

- 12 V, 16 V

2.2 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

104.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHB100N65E-GE3
Vishay
1: S/38.42
603En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHB100N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB100N65E-GE3

Nuevo producto

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

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603En existencias

S/38.42

S/26.51

S/19.73

S/17.67

S/17.63

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHB125N65E-GE3
Vishay
1: S/31.65
736En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHB125N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB125N65E-GE3

Nuevo producto

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

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736En existencias

S/31.65

S/21.80

S/16.00

S/13.82

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHH100N65E-T1-GE3
Vishay
1: S/39.04
2,493En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHH100N65E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH100N65ET1-GE3

Nuevo producto

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

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S/39.04

S/27.29

S/22.42

Envase tipo carrete

S/18.29

MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

184 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHH125N65E-T1-GE3
Vishay
1: S/31.80
2,750En existencias
Nuevo producto

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SIHH125N65E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH125N65ET1-GE3

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Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

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Cinta cortada

S/31.80

S/21.91

S/17.05

Envase tipo carrete

S/13.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHK100N65E-T1-GE3
Vishay
1: S/36.32
1,730En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHK100N65E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHK100N65ET1-GE3

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Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

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Cinta cortada

S/36.32

S/24.95

S/20.05

Envase tipo carrete

S/16.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-10x12

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

184 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHK125N65E-T1-GE3
Vishay
1: S/32.70
1,800En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHK125N65E-T1-GE3

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78-SIHK125N65ET1-GE3

Nuevo producto

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

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Cinta cortada

S/32.70

S/22.46

S/17.59

Envase tipo carrete

S/14.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-10x12

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHP100N65E-GE3
Vishay
1: S/38.38
900En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHP100N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP100N65E-GE3

Nuevo producto

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

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900En existencias

S/38.38

S/29.12

S/24.25

S/22.65

S/19.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHP125N65E-GE3
Vishay
1: S/31.57
840En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHP125N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP125N65E-GE3

Nuevo producto

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

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840En existencias

S/31.57

S/21.76

S/16.00

S/13.82

S/13.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 5.8 m 10V

SIR514DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.20
5,442En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIR514DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR514DP-T1-BE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 5.8 m 10V

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5,442En existencias

Cinta cortada

S/10.20

S/6.58

S/4.71

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.54

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

84.8 A

5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 8 m 10V

SIR516DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.16
5,620En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIR516DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR516DP-T1-BE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 8 m 10V

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5,620En existencias

Cinta cortada

S/10.16

S/6.50

S/4.44

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.00

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

63.7 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23.6 nC

- 55 C

+ 150 C

71.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 10.8 m 10V

SIR572DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.39
5,843En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIR572DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR572DP-T1-BE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 10.8 m 10V

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Hoja de datos

5,843En existencias

Cinta cortada

S/10.39

S/6.70

S/4.79

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.49

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

59.7 A

10.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

35.9 nC

- 55 C

+ 150 C

92.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 13.8 m 10V

SIR574DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.64
5,870En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIR574DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR574DP-T1-BE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 13.8 m 10V

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Hoja de datos

5,870En existencias

Cinta cortada

S/8.64

S/5.53

S/3.81

S/3.23

Envase tipo carrete

S/2.40

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

48.1 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

31.5 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 16 m 10V

SIR576DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.21
5,794En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIR576DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR576DP-T1-BE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 16 m 10V

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Hoja de datos

5,794En existencias

Cinta cortada

S/8.21

S/5.25

S/3.64

S/3.08

Envase tipo carrete

S/2.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

42.2 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

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- 55 C

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71.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 8.8 M 10V

SIR578DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.08
5,805En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIR578DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR578DP-T1-BE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 8.8 M 10V

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Hoja de datos

5,805En existencias

Cinta cortada

S/13.08

S/8.52

S/5.96

S/5.10

Envase tipo carrete

S/4.67

S/4.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

70.2 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32.5 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 3.4 m 10V

SIR582DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.43
5,934En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIR582DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR582DP-T1-BE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 3.4 m 10V

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Hoja de datos

5,934En existencias

Cinta cortada

S/10.43

S/6.66

S/4.55

S/3.78

Envase tipo carrete

S/3.08

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

93 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

44.5 nC

- 55 C

+ 150 C

92.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHG125N65E-GE3
Vishay
1: S/34.92
279En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHG125N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG125N65E-GE3

Nuevo producto

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

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Hoja de datos

279En existencias

S/34.92

S/23.90

S/17.67

S/15.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 28.9A

SIR582DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.30
8,265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR582DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
625-SIR582DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 28.9A

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8,265En existencias

Cinta cortada

S/9.30

S/5.99

S/4.09

S/3.27

Envase tipo carrete

S/2.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

84.1 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

44.5 nC

- 55 C

+ 150 C

92.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET

SIR570DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.00
2,198En existencias
5,050Se espera el 19/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIR570DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR570DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET

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2,198En existencias

5,050Se espera el 19/02/2026

Cinta cortada

S/10.00

S/7.79

S/5.06

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.88

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

77.4 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

46.9 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 51.1A

SISS54DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.84
19,156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS54DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS54DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 51.1A

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Hoja de datos

19,156En existencias

Cinta cortada

S/8.84

S/5.72

S/3.93

S/3.12

Envase tipo carrete

S/2.60

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8S

N-Channel

1 Channel

30 V

185.6 A

1.06 mOhms

- 12 V, 16 V

2.2 V

47.5 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 17.2A

SIR588DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.11
5,677En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR588DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
625-SIR588DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 17.2A

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5,677En existencias

Cinta cortada

S/6.11

S/3.87

S/2.57

S/2.03

Envase tipo carrete

S/1.68

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

59.5 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

18.7 nC

- 55 C

+ 150 C

59.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 47.1A

SISS52DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.11
4,098En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS52DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS52DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 47.1A

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4,098En existencias

Cinta cortada

S/6.11

S/3.86

S/2.61

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.65

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK1212-8S

N-Channel

1 Channel

30 V

162 A

1.2 mOhms

- 12 V, 16 V

4.2 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

TrenchFET® Gen V Power MOSFETs with VDS

Oficina de Servicio al Cliente

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25 A
27 A
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30 A
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48.1 A
58.1 A
59.5 A
59.7 A
63.7 A
64.9 A
67.4 A
70.2 A
77.4 A
84.1 A
84.8 A
93 A
100 A
126 A