Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SUM & SUP ThunderFET / TrenchFET MOSFETs

Vishay SUM and SUP ThunderFET® / TrenchFET® MOSFETs feature N-channel polarity options to expand on the ThunderFET and TrenchFET IV series low- and mid-range V_DS voltage MOSFETs. The SUM and SUP series are offered in TO-220 and TO-263 packages with voltages of 60V_DS, 80V_DS, and 100V_Ds. Vishay SUM and SUP ThunderFET / TrenchFET MOSFETs have a maximum junction temperature of 175°C and are 100% R_g and UIS tested. Typical applications include power supplies, motor drive switches, DC/DC power inverters and converters, power tools, battery management, and more.

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Resultados: 27

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 110A 375W

SUM110P08-11L-E3
Vishay / Siliconix
1: S/24.52
75,012En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM110P08-11L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM110P08-11L-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 110A 375W

Hoja de datos

75,012En existencias

Cinta cortada

S/24.52

S/16.08

S/11.83

S/9.30

Envase tipo carrete

S/9.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

80 V

110 A

11.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-263-3

SUM50020E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.61
2,063En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM50020E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM50020E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-263-3

Hoja de datos

2,063En existencias

S/15.61

S/10.20

S/7.98

S/6.70

S/5.80

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-220AB

SUP50020E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.84
806En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP50020E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP50020E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-220AB

Hoja de datos

806En existencias

S/15.84

S/10.32

S/8.10

S/6.77

S/5.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 P-CH 80V 150A

SUM60061EL-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/28.06
14,591En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM60061EL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM60061EL-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 P-CH 80V 150A

Hoja de datos

14,591En existencias

S/28.06

S/18.65

S/15.10

S/13.43

S/11.87

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

80 V

150 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

218 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V

SUM70042M-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/25.46
278En existencias
800Se espera el 24/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SUM70042M-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70042M-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V

Hoja de datos

278En existencias

800Se espera el 24/03/2026

Cinta cortada

S/25.46

S/17.17

S/14.87

S/11.68

Envase tipo carrete

S/11.68

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.83 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

84 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 150A N-CH MOSFET

SUM70042E-GE3
Vishay
1: S/15.45
1,478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM70042E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70042E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 150A N-CH MOSFET

Hoja de datos

1,478En existencias

S/15.45

S/10.16

S/7.16

S/5.99

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

4 mOhms

- 10 V, 10 V

4 V

84 nC

- 55 C

+ 175 C

278 W

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs TO-263

SUM70101EL-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/20.01
5,807En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM70101EL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70101EL-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs TO-263

Hoja de datos

5,807En existencias

Cinta cortada

S/20.01

S/13.31

S/9.54

S/8.49

Envase tipo carrete

S/8.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

120 A

10.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 150A N-CH MOSFET

SUM90100E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.27
1,151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM90100E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM90100E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 150A N-CH MOSFET

Hoja de datos

1,151En existencias

S/19.27

S/12.81

S/9.11

S/8.06

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

150 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs TO-220

SUP50020EL-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.54
1,214En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP50020EL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP50020EL-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs TO-220

Obtenga más información

Hoja de datos

1,214En existencias

S/16.54

S/10.78

S/8.45

S/7.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 110A 375W

SUM110N10-09-E3
Vishay / Siliconix
1: S/22.73
1,946En existencias
100Se espera el 17/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SUM110N10-09-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM110N10-09-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 110A 375W

Hoja de datos

1,946En existencias

100Se espera el 17/03/2026

Cinta cortada

S/22.73

S/14.36

S/11.44

S/10.16

Envase tipo carrete

S/8.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V 45A 375W 58mohm @ 10V

SUM45N25-58-E3
Vishay / Siliconix
1: S/26.55
1,526En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM45N25-58-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM45N25-58-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V 45A 375W 58mohm @ 10V

Hoja de datos

1,526En existencias

Cinta cortada

S/26.55

S/17.40

S/12.85

S/11.41

Envase tipo carrete

S/10.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

45 A

58 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 60A 150W

SUM60N10-17-E3
Vishay Semiconductors
1: S/19.31
1,549En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM60N10-17-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM60N10-17-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 60A 150W

Hoja de datos

1,549En existencias

Cinta cortada

S/19.31

S/12.69

S/9.50

S/7.47

Envase tipo carrete

S/7.43

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 65A 375W 30mohm @ 10V

SUM65N20-30-E3
Vishay Semiconductors
1: S/29.08
1,593En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM65N20-30-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM65N20-30-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 65A 375W 30mohm @ 10V

Hoja de datos

1,593En existencias

Cinta cortada

S/29.08

S/16.15

S/12.30

S/11.05

Envase tipo carrete

S/11.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

65 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 90A 375W 19mohm @ 10V

SUM90P10-19L-E3
Vishay Semiconductors
1: S/20.47
2,180En existencias
6,369Se espera el 17/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SUM90P10-19L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM90P10-19L-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 90A 375W 19mohm @ 10V

Hoja de datos

2,180En existencias

6,369Se espera el 17/03/2026

Cinta cortada

S/20.47

S/12.96

S/10.00

S/8.49

Envase tipo carrete

S/8.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

90 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

217 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 150A N-CH MOSFET

SUM70030M-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.07
860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM70030M-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70030M-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 150A N-CH MOSFET

Hoja de datos

860En existencias

Cinta cortada

S/19.07

S/12.46

S/9.73

S/8.17

Envase tipo carrete

S/7.59

S/7.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

142.4 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 P-CH 80V 150A

SUP60061EL-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/20.71
2,207En existencias
2,500Se espera el 25/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
SUP60061EL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP60061EL-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 P-CH 80V 150A

Hoja de datos

2,207En existencias

2,500Se espera el 25/01/2027

S/20.71

S/13.51

S/10.59

S/8.87

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

P-Channel

1 Channel

80 V

150 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

218 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80V (D-S) TrenchFET

SUM60030E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.54
809En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM60030E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM60030E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80V (D-S) TrenchFET

Obtenga más información

Hoja de datos

809En existencias

Cinta cortada

S/16.54

S/10.78

S/8.45

S/7.08

Envase tipo carrete

S/6.58

S/6.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-4

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

141 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs TO-220

SUP60030E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.73
584En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP60030E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP60030E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs TO-220

Obtenga más información

Hoja de datos

584En existencias

S/15.73

S/8.06

S/7.28

S/7.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

141 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 150A N-CH MOSFET

SUP70042E-GE3
Vishay
1: S/15.76
541En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP70042E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP70042E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 150A N-CH MOSFET

Hoja de datos

541En existencias

S/15.76

S/8.06

S/7.32

S/7.08

S/6.15

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-220AB

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

4 mOhms

- 10 V, 10 V

4 V

84 nC

- 55 C

+ 175 C

278 W

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 150A N-CH MOSFET

SUP90100E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.62
444En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP90100E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP90100E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 150A N-CH MOSFET

Hoja de datos

444En existencias

S/19.62

S/12.81

S/10.00

S/8.41

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

150 A

12.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

SUM50020EL-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.54
269En existencias
800Se espera el 1/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SUM50020EL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM50020EL-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

Obtenga más información

Hoja de datos

269En existencias

800Se espera el 1/05/2026

Cinta cortada

S/16.54

S/10.78

S/8.45

S/6.15

Envase tipo carrete

S/6.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L

SUM70040M-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.54
598En existencias
800Se espera el 17/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SUM70040M-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70040M-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L

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598En existencias

800Se espera el 17/03/2026

Cinta cortada

S/16.54

S/10.78

S/8.45

S/7.51

Envase tipo carrete

S/6.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SUM1

SUM110P04-04L-E3
Vishay Semiconductors
1: S/21.88
571En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SUM110P04-04L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM110P04-04L-E3

NRND

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SUM1

Hoja de datos

571En existencias

Cinta cortada

S/21.88

S/14.64

S/10.51

S/9.54

Envase tipo carrete

S/9.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

110 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

235 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 55A 125W

SUM55P06-19L-E3
Vishay / Siliconix
1: S/14.13
7,156En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SUM55P06-19L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM55P06-19L-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 55A 125W

Hoja de datos

7,156En pedido

Cinta cortada

S/14.13

S/9.26

S/6.46

S/5.29

Envase tipo carrete

S/5.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

55 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 50A 83W w/Sense Terminal

SUM50N03-13LC-E3
Vishay / Siliconix
800: S/4.40
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM50N03-13LC-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM50N03-13LC-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 50A 83W w/Sense Terminal

No en existencias

Envase tipo carrete

S/4.40

S/4.13

Min.: 800
Mult.: 800

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-5

TrenchFET

Reel

SUM & SUP ThunderFET / TrenchFET MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.8 mOhms
3.2 mOhms
3.5 mOhms
3.8 mOhms
3.83 mOhms
4 mOhms
4.2 mOhms
8.1 mOhms
8.6 mOhms
9.5 mOhms
10.1 mOhms
11.2 mOhms
12.4 mOhms
12.9 mOhms
16.5 mOhms
19 mOhms
30 mOhms