Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 9

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52

SSM3K36MFV,L3F
Toshiba
1: S/1.32
143,783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K36MFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K36MFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52

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143,783En existencias

Cinta cortada

S/1.32

S/0.806

S/0.506

S/0.374

Envase tipo carrete

S/0.202

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 8,000

SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

500 mA

630 mOhms

- 5 V, 5 V

350 mV

1.23 nC

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

SSM3J351R,LF
Toshiba
1: S/2.14
98,881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J351R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J351RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

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98,881En existencias

Cinta cortada

S/2.14

S/1.32

S/0.845

S/0.638

Envase tipo carrete

S/0.424

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

3.5 A

164 mOhms

- 20 V, 10 V

800 mV

15.1 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM6K513NU,LF
Toshiba
1: S/2.76
12,033En existencias
18,000Se espera el 30/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K513NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K513NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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12,033En existencias

18,000Se espera el 30/03/2026

Cinta cortada

S/2.76

S/1.72

S/1.11

S/0.841

Envase tipo carrete

S/0.596

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

30 V

15 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V

SSM3J35AMFV,L3F
Toshiba
1: S/0.817
25,046En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J35AMFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J35AMFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V

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25,046En existencias

Cinta cortada

S/0.817

S/0.498

S/0.311

S/0.23

Envase tipo carrete

S/0.113

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 8,000

SMD/SMT

SOT-723-3

P-Channel

1 Channel

20 V

250 mA

1.1 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch MOSFET

SSM3J56ACT,L3F
Toshiba
1: S/1.60
19,906En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J56ACT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J56ACTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch MOSFET

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19,906En existencias

Cinta cortada

S/1.60

S/0.981

S/0.619

S/0.463

Ver

Envase tipo carrete

S/0.257

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

P-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

4 Ohms

- 8 V, 8 V

1 V

1.6 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27

TK18A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/16.93
61En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK18A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK18A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27

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61En existencias

S/16.93

S/8.72

S/7.67

S/7.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

18 A

270 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V

SSM6J501NU,LF
Toshiba
1: S/2.37
26,403Se espera el 10/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J501NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J501NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V

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26,403Se espera el 10/04/2026

Cinta cortada

S/2.37

S/1.48

S/0.946

S/0.716

Envase tipo carrete

S/0.525

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

1 Channel

20 V

10 A

15.3 mOhms

- 8 V, 8 V

300 mV

29.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V

SSM3K56ACT,L3F
Toshiba
1: S/1.48
140,000Se espera el 4/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56ACT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56ACTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V

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140,000Se espera el 4/05/2026

Cinta cortada

S/1.48

S/0.919

S/0.58

S/0.432

Envase tipo carrete

S/0.237

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

840 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM6K514NU,LF
Toshiba
1: S/2.80
5,994Se espera el 27/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K514NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K514NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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5,994Se espera el 27/03/2026

Cinta cortada

S/2.80

S/1.72

S/1.13

S/0.86

Envase tipo carrete

S/0.642

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

40 V

12 A

8.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

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