MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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Id - Corriente de drenaje continua

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/121.06
1,030En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R008M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

1,030En existencias

Cinta cortada

S/121.06

S/94.16

S/93.65

S/93.61

Envase tipo carrete

S/87.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/88.05
1,189En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R012M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R012M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

1,189En existencias

Cinta cortada

S/88.05

S/64.65

S/63.49

S/63.45

Envase tipo carrete

S/58.62

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/66.76
3,562En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R017M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R017M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

3,562En existencias

Cinta cortada

S/66.76

S/47.76

S/44.65

Envase tipo carrete

S/40.64

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/56.21
433En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R022M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R022M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

433En existencias

Cinta cortada

S/56.21

S/39.51

S/35.42

Envase tipo carrete

S/33.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/47.99
1,900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R026M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R026M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

1,900En existencias

Cinta cortada

S/47.99

S/33.51

S/28.96

Envase tipo carrete

S/27.01

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/37.33
467En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R040M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R040M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

467En existencias

Cinta cortada

S/37.33

S/25.81

S/20.90

Envase tipo carrete

S/19.54

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/27.29
1,651En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R078M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R078M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

1,651En existencias

Cinta cortada

S/27.29

S/18.41

S/13.70

Envase tipo carrete

S/12.81

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/23.51
749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R116M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R116M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

749En existencias

Cinta cortada

S/23.51

S/15.76

S/11.37

S/11.25

Envase tipo carrete

S/10.51

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/19.97
254En existencias
1,000Se espera el 9/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R181M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R181M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

254En existencias

1,000Se espera el 9/03/2026

Cinta cortada

S/19.97

S/13.27

S/10.08

S/9.23

Envase tipo carrete

S/8.33

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.26
201En existencias
8,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R234M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R234M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

201En existencias

8,000En pedido

Cinta cortada

S/18.26

S/12.07

S/9.07

S/8.21

Envase tipo carrete

S/7.47

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/32.35
9En existencias
2,000Se espera el 11/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R053M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R053M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

9En existencias

2,000Se espera el 11/06/2026

Cinta cortada

S/32.35

S/22.69

S/18.37

S/17.20

Envase tipo carrete

S/16.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

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