Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor R_DS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

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Resultados: 81

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC037N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.05
14,720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC037N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC037N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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14,720En existencias

Cinta cortada

S/17.05

S/11.25

S/8.02

S/7.36

Ver

Envase tipo carrete

S/6.38

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8FL

N-Channel

1 Channel

120 V

163 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISC130N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.03
6,839En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC130N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC130N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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6,839En existencias

Cinta cortada

S/19.03

S/16.70

S/12.07

S/11.95

Ver

Envase tipo carrete

S/11.17

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-8-3

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

242 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

IPB051N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.21
998En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB051N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB051N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

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Hoja de datos

998En existencias

Cinta cortada

S/14.21

S/9.30

S/6.50

S/5.45

Envase tipo carrete

S/5.02

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

139 A

4.8 mOhms

20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

IPB057N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.70
277En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB057N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB057N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

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277En existencias

Cinta cortada

S/13.70

S/8.95

S/6.23

S/5.25

Envase tipo carrete

S/4.90

S/4.79

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

128 A

5.4 mOhms

20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package

IPF048N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.52
360En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPF048N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF048N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package

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Hoja de datos

360En existencias

Cinta cortada

S/17.52

S/11.56

S/8.14

S/7.12

Envase tipo carrete

S/6.66

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

PG-TO263-7

N-Channel

1 Channel

150 V

146 A

4.6 mOhms

20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S6N007TATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.70
1,996En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S6N007TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S6N007TAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

1,996En existencias

Cinta cortada

S/13.70

S/8.95

S/6.23

S/5.33

Envase tipo carrete

S/4.87

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-3

N-Channel

40 V

390 A

750 uOhms

20 V

3 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

206 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S6N009TATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.34
3,967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S6N009TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S6N009TAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

3,967En existencias

Cinta cortada

S/12.34

S/8.02

S/5.57

S/4.67

S/4.48

Envase tipo carrete

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPB068N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/31.84
1,552En existencias
2,000Se espera el 14/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB068N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB068N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

1,552En existencias

2,000Se espera el 14/05/2026

Cinta cortada

S/31.84

S/21.88

S/16.74

S/16.39

Envase tipo carrete

S/15.30

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

200 V

134 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPB339N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.92
1,998En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB339N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB339N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Cinta cortada

S/15.92

S/10.47

S/7.40

S/6.66

Envase tipo carrete

S/6.23

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

39 A

33.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

15.9 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPF019N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.66
1,411En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF019N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF019N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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1,411En existencias

Cinta cortada

S/26.66

S/18.26

S/13.47

S/13.04

Envase tipo carrete

S/12.18

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPF067N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/32.42
1,511En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF067N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF067N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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1,511En existencias

Cinta cortada

S/32.42

S/22.27

S/16.82

S/16.47

Envase tipo carrete

S/15.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

200 V

138 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPP069N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/29.23
1,350En existencias
1,500Se espera el 9/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP069N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP069N20NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

1,350En existencias

1,500Se espera el 9/04/2026

S/29.23

S/15.84

S/14.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

136 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPP339N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.24
2,329En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP339N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP339N20NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

2,329En existencias

S/10.24

S/5.37

S/4.90

S/4.05

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

39 A

33.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

15.9 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPT129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.82
2,001En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT129N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

2,001En existencias

Cinta cortada

S/29.82

S/20.20

S/15.26

S/14.83

S/14.52

Envase tipo carrete

S/13.86

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/31.53
3,628En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC017N12NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

3,628En existencias

Cinta cortada

S/31.53

S/21.29

S/16.43

S/16.11

Envase tipo carrete

S/15.34

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQE013N04LM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.77
4,165En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE013N04LM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE013N04LM6SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

4,165En existencias

Cinta cortada

S/12.77

S/8.29

S/5.76

S/4.79

Ver

Envase tipo carrete

S/4.36

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

31 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC030N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.82
1,009En existencias
5,000Se espera el 23/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC030N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,009En existencias

5,000Se espera el 23/07/2026

Cinta cortada

S/23.82

S/15.96

S/11.95

S/11.37

S/11.02

Envase tipo carrete

S/8.87

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

194 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC073N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.61
8,959En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC073N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC073N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

8,959En existencias

Cinta cortada

S/12.61

S/8.21

S/5.72

S/4.87

Ver

Envase tipo carrete

S/4.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

86 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC104N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.24
11,729En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC104N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC104N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

11,729En existencias

Cinta cortada

S/10.24

S/6.62

S/4.55

S/3.65

Ver

Envase tipo carrete

S/3.41

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

63 A

10.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISG0613N04NM6HATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.24
3,789En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ISG0613N04NM6HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0613N04NM6HAT

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,789En existencias

Cinta cortada

S/17.24

S/11.44

S/8.10

S/7.47

S/7.05

Envase tipo carrete

S/6.97

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

40 V

299 A

880 uOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ106N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.33
3,096En existencias
10,000Se espera el 6/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISZ106N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ106N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,096En existencias

10,000Se espera el 6/04/2026

Cinta cortada

S/11.33

S/7.32

S/5.02

S/4.05

S/3.65

Envase tipo carrete

S/3.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

62 A

10.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ063N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.84
46,953En existencias
90,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ063N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ063N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Cinta cortada

S/2.84

S/2.30

S/1.99

S/1.91

Envase tipo carrete

S/1.70

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC012N04LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.96
24,033En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC012N04LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC012N04LM6ATMA

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/9.96

S/7.16

S/4.98

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.06

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

238 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S6N013TATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.63
2,283En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S6N013TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S6N013TAT

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/10.63

S/6.89

S/4.75

S/3.79

S/3.65

Envase tipo carrete

S/3.43

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPF129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.89
610En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPF129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF129N20NM6ATMA

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Cinta cortada

S/22.89

S/15.34

S/11.05

S/10.90

Envase tipo carrete

S/10.16

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

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sTOLL-6
TDSON-8
TDSON-8FL
TDSON-FL-8

24 A
26 A
31 A
39 A
40 A
44 A
50 A
55 A
59 A
62 A
63 A
74 A
75 A
80 A
86 A
87 A
88 A
90 A
97 A
100 A

450 uOhms
470 uOhms
550 uOhms
600 uOhms
700 uOhms
750 uOhms
880 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.35 mOhms
1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.24 mOhms
2.4 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.15 mOhms

3.6 nC
7.4 nC
9 nC
9.4 nC
9.5 nC
9.9 nC
10 nC
10.4 nC
13 nC
14 nC
14.4 nC
14.8 nC
15.9 nC
17 nC
19 nC
23 nC
25 nC
26 nC
28 nC
29 nC

250 mW
2.5 W
38 W
41 W
43 W
48 W
52 W
75 W
79 W
83 W
88 W
94 W
95 W
100 W
125 W
136 W
150 W
158 W
167 W
187 W