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Toshiba DTMOSIV Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 112

Filtros aplicados:

Fabricante = Toshiba Nombre comercial = DTMOSIV

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK20V60W5,LVQ
Toshiba
1: S/15.96
2,567En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK20V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK20V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

2,567En existencias

Cinta cortada

S/15.96

S/12.26

S/8.80

S/8.25

S/7.43

Envase tipo carrete

S/6.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

156 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK6P65W,RQ
Toshiba
1: S/5.45
7,464En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK6P65W,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK6P65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

7,464En existencias

Cinta cortada

S/5.45

S/4.36

S/3.05

S/2.99

Envase tipo carrete

S/2.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

5.8 A

890 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

TK6P60W,RVQ
Toshiba
1: S/12.42
5,745En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK6P60W,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK6P60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

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Hoja de datos

5,745En existencias

Cinta cortada

S/12.42

S/5.14

S/4.09

Envase tipo carrete

S/4.05

S/3.89

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

820 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W

TK12A80W,S4X
Toshiba
1: S/15.80
2,476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK12A80W,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A80WS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W

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Hoja de datos

2,476En existencias

S/15.80

S/7.71

S/7.05

S/6.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11.5 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

TK16G60W5,RVQ
Toshiba
1: S/16.11
991En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16G60W5,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16G60W5RVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

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Hoja de datos

991En existencias

Cinta cortada

S/16.11

S/10.67

S/8.56

Envase tipo carrete

S/6.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

230 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK8P60W5,RVQ
Toshiba
1: S/5.64
1,657En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK8P60W5,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK8P60W5RVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

1,657En existencias

Cinta cortada

S/5.64

S/4.16

S/3.22

Envase tipo carrete

S/3.13

S/3.10

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

440 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

TK35N65W,S1F
Toshiba
1: S/40.40
20En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK35N65W,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK35N65WS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

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Hoja de datos

20En existencias

S/40.40

S/28.22

S/19.97

S/19.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS

TK14A65W5,S5X
Toshiba
1: S/15.26
47En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK14A65W5,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK14A65W5S5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS

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Hoja de datos

47En existencias

S/15.26

S/10.00

S/7.67

S/7.47

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.7 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK17N65W,S1F
Toshiba
1: S/21.76
34En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK17N65W,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK17N65WS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

34En existencias

S/21.76

S/14.48

S/9.85

S/8.49

S/8.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

17.3 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

165 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK8A60W5,S5VX
Toshiba
1: S/10.08
192En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK8A60W5,S5VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A60W5S5VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

192En existencias

S/10.08

S/6.03

S/4.32

S/3.31

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

440 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

TK7A80W,S4X
Toshiba
1: S/13.39
551En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7A80W,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A80WS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

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Hoja de datos

551En existencias

S/13.39

S/6.23

S/6.19

S/5.88

S/5.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6.5 A

950 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC

TK10P60W,RVQ
Toshiba
1: S/13.47
449En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10P60W,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK10P60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC

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Hoja de datos

449En existencias

Cinta cortada

S/13.47

S/7.24

S/6.19

Envase tipo carrete

S/5.92

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ

TK8P65W,RQ
Toshiba
1: S/7.28
1,788En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK8P65W,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK8P65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ

Obtenga más información

Hoja de datos

1,788En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/5.80

S/4.59

S/4.24

Envase tipo carrete

S/3.74

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

7.8 A

670 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

TK16V60W5,LVQ
Toshiba
1: S/17.52
2,495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

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Hoja de datos

2,495En existencias

Cinta cortada

S/17.52

S/13.55

S/9.69

S/9.26

S/8.41

Envase tipo carrete

S/7.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

245 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC

TK12P60W,RVQ
Toshiba
1: S/9.46
757En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK12P60W,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK12P60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC

Hoja de datos

757En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/6.97

S/5.57

S/5.49

Ver

Envase tipo carrete

S/4.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11.5 A

340 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK39N60W5,S1VF
Toshiba
1: S/28.34
4,415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK39N60W5,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK39N60W5S1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

4,415En existencias

S/28.34

S/17.24

S/15.88

S/13.86

S/13.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38.8 A

62 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

135 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

TK100L60W,VQ
Toshiba
1: S/117.94
74En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK100L60W,VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK100L60WVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

Obtenga más información

Hoja de datos

74En existencias

S/117.94

S/90.27

S/83.49

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PL-3

N-Channel

1 Channel

600 V

100 A

15 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

360 nC

- 55 C

+ 150 C

797 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK14G65W,RQ
Toshiba
1: S/11.29
1,288En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK14G65W,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK14G65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

1,288En existencias

Cinta cortada

S/11.29

S/8.14

S/6.19

S/5.88

Envase tipo carrete

S/4.87

S/4.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.7 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

TK31V60W5,LVQ
Toshiba
1: S/22.65
1,587En existencias
2,250Se espera el 10/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK31V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK31V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,587En existencias

2,250Se espera el 10/02/2026

Cinta cortada

S/22.65

S/15.22

S/11.56

S/11.48

S/11.37

Envase tipo carrete

S/9.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

87 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

105 nC

+ 150 C

240 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK10A60W5,S5VX
Toshiba
1: S/10.43
257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10A60W5,S5VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A60W5S5VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

257En existencias

S/10.43

S/5.22

S/5.02

S/3.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

350 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

TK10A60W,S4VX
Toshiba
1: S/7.16
79En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

Obtenga más información

Hoja de datos

79En existencias

S/7.16

S/5.37

S/5.18

S/5.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

327 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W

TK10A80W,S4X
Toshiba
1: S/16.50
188En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10A80W,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A80WS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W

Obtenga más información

Hoja de datos

188En existencias

S/16.50

S/8.91

S/8.10

S/6.46

S/6.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

9.5 A

460 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

TK10E60W,S1VX
Toshiba
1: S/17.83
61En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10E60W,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK10E60WS1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

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61En existencias

S/17.83

S/9.19

S/8.25

S/6.97

S/6.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A

TK10Q60W,S1VQ
Toshiba
1: S/16.82
150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10Q60W,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK10Q60WS1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A

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Hoja de datos

150En existencias

S/16.82

S/9.46

S/6.66

S/6.15

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

327 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS

TK11A65W,S5X
Toshiba
1: S/7.82
53En existencias
250Se espera el 17/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK11A65W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK11A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS

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53En existencias

250Se espera el 17/04/2026

S/7.82

S/3.71

S/3.30

S/2.65

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11.1 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Toshiba DTMOSIV Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Recursos

Soporte

5.8 A
6.2 A
6.5 A
6.8 A
7 A
7.8 A
8 A
9.3 A
9.5 A
9.7 A
11.1 A
11.5 A
12 A
13.7 A
15.8 A
17 A
17.3 A
18.5 A
20 A
27.6 A

15 mOhms
33 mOhms
36 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
68 mOhms
73 mOhms
78 mOhms
80 mOhms
82 mOhms
87 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
130 mOhms
140 mOhms
150 mOhms

11 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
25 nC
30 nC
32 nC
35 nC
38 nC
40 nC
43 nC
45 nC
48 nC
50 nC

30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
60 W
80 W
88.3 W
100 W
104 W
110 W
130 W
139 W
156 W
165 W
180 W
230 W
240 W
270 W
400 W