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STMicroelectronics SuperMESH Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 169

Filtros aplicados:

Fabricante = STMicroelectronics Nombre comercial = SuperMESH

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH

STD1NK60T4
STMicroelectronics
1: S/6.07
8,222En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD1NK60T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD1NK60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

8,222En existencias

Cinta cortada

S/6.07

S/3.84

S/2.57

S/2.02

S/1.84

Envase tipo carrete

S/1.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

1 A

8.5 Ohms

- 30 V, 30 V

2.25 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH

STF3NK100Z
STMicroelectronics
1: S/18.18
1,813En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF3NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STF3NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,813En existencias

S/18.18

S/9.77

S/8.87

S/7.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

2.5 A

6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

STP10NK60Z
STMicroelectronics
1: S/16.66
3,126En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10NK60Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP10NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

3,126En existencias

S/16.66

S/8.68

S/7.86

S/7.05

S/6.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

750 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

STP10NK80Z
STMicroelectronics
1: S/20.59
2,181En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP10NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

2,181En existencias

S/20.59

S/10.16

S/8.91

S/8.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

9 A

900 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH

STP8NK80Z
STMicroelectronics
1: S/16.85
1,571En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP8NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP8NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,571En existencias

S/16.85

S/8.33

S/7.12

S/6.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6.2 A

1.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450 Volt 0.4 A

STS1DNC45
STMicroelectronics
1: S/10.43
4,686En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS1DNC45

N.º de artículo de Mouser
511-STS1DNC45

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450 Volt 0.4 A

Obtenga más información

Hoja de datos

4,686En existencias

Cinta cortada

S/10.43

S/6.77

S/4.63

S/3.75

S/3.50

Envase tipo carrete

S/3.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

450 V

400 mA

4.1 Ohms

- 30 V, 30 V

2.3 V

10 nC

- 65 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 400V -.23 Zener SuperMESH 15A

STP17NK40ZFP
STMicroelectronics
1: S/19.77
1,901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP17NK40ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP17NK40ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 400V -.23 Zener SuperMESH 15A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,901En existencias

S/19.77

S/10.28

S/9.38

S/8.33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

15 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH

STW12NK90Z
STMicroelectronics
1: S/26.82
992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW12NK90Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW12NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

992En existencias

S/26.82

S/15.41

S/12.88

S/12.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

11 A

880 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

113 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

STW15N95K5
STMicroelectronics
1: S/18.96
1,444En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW15N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW15N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

Obtenga más información

Hoja de datos

1,444En existencias

S/18.96

S/10.55

S/8.76

S/8.10

S/7.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

12 A

410 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

STW7NK90Z
STMicroelectronics
1: S/19.31
943En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW7NK90Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW7NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

943En existencias

S/19.31

S/10.82

S/8.91

S/8.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

5.8 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

46.5 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB10N95K5
STMicroelectronics
1: S/16.23
4,628En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB10N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB10N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

4,628En existencias

Cinta cortada

S/16.23

S/10.70

S/7.55

S/6.85

Envase tipo carrete

S/6.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

8 A

800 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A

STP10NK70ZFP
STMicroelectronics
1: S/20.01
1,586En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10NK70ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP10NK70ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,586En existencias

S/20.01

S/10.43

S/9.50

S/8.49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.6 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3.75 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH

STP3NK80Z
STMicroelectronics
1: S/9.85
1,947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP3NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP3NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

1,947En existencias

S/9.85

S/4.83

S/4.36

S/3.48

S/3.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

4.5 Ohms

- 25 V, 25 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A

STD3NK80Z-1
STMicroelectronics
1: S/10.35
3,422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NK80Z-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NK80Z-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A

Hoja de datos

3,422En existencias

S/10.35

S/4.90

S/4.32

S/3.74

S/3.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH

STD4NK60ZT4
STMicroelectronics
1: S/8.64
2,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD4NK60ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD4NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

2,390En existencias

Cinta cortada

S/8.64

S/5.57

S/3.76

S/3.00

S/2.84

Envase tipo carrete

S/2.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH

STP12NK80Z
STMicroelectronics
1: S/18.33
1,269En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP12NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP12NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

1,269En existencias

S/18.33

S/9.50

S/8.64

S/7.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10.5 A

750 mOhms

- 30 V, 30 V

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH

STP9NK90Z
STMicroelectronics
1: S/19.50
1,897En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP9NK90Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP9NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

1,897En existencias

S/19.50

S/10.16

S/9.26

S/8.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

8 A

1.3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH

STB12NK80ZT4
STMicroelectronics
1: S/22.65
1,020En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB12NK80ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB12NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

1,020En existencias

Cinta cortada

S/22.65

S/15.22

S/10.98

S/10.78

Envase tipo carrete

S/10.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

10.5 A

750 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw

STD5N95K3
STMicroelectronics
1: S/14.64
6,493En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw

Obtenga más información

Hoja de datos

6,493En existencias

Cinta cortada

S/14.64

S/9.61

S/6.73

S/5.96

S/5.57

Envase tipo carrete

S/5.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

4 A

3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-1.1ohms Zener SuperMESH 8A

STF9NK90Z
STMicroelectronics
1: S/18.96
811En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF9NK90Z

N.º de artículo de Mouser
511-STF9NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-1.1ohms Zener SuperMESH 8A

Obtenga más información

Hoja de datos

811En existencias

S/18.96

S/11.79

S/10.78

S/9.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

8 A

1.3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3

STP12NK30Z
STMicroelectronics
1: S/12.42
1,381En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP12NK30Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP12NK30Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3

Hoja de datos

1,381En existencias

S/12.42

S/6.23

S/5.41

S/4.55

S/4.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

300 V

9 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH

STP9NK60Z
STMicroelectronics
1: S/13.58
1,750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP9NK60Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP9NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

1,750En existencias

S/13.58

S/6.85

S/6.23

S/5.06

S/5.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3

STU4N62K3
STMicroelectronics
1: S/8.49
2,904En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU4N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STU4N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3

Obtenga más información

Hoja de datos

2,904En existencias

S/8.49

S/4.63

S/3.68

S/3.11

S/2.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

620 V

3.8 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300 Volt 60 Amp Zener SuperMESH3

STY60NK30Z
STMicroelectronics
1: S/52.43
483En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STY60NK30Z

N.º de artículo de Mouser
511-STY60NK30Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300 Volt 60 Amp Zener SuperMESH3

Hoja de datos

483En existencias

S/52.43

S/31.84

S/30.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Max247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

60 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

220 nC

- 55 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

STB6NK60ZT4
STMicroelectronics
1: S/13.00
1,277En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB6NK60ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB6NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,277En existencias

Cinta cortada

S/13.00

S/8.49

S/5.92

S/5.06

Envase tipo carrete

S/4.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics SuperMESH Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
3 A
3.5 A

45 mOhms
250 mOhms
270 mOhms
299 mOhms
400 mOhms
410 mOhms
480 mOhms
500 mOhms
520 mOhms
550 mOhms
640 mOhms
680 mOhms
700 mOhms
750 mOhms
800 mOhms
850 mOhms
880 mOhms
900 mOhms
950 mOhms
980 mOhms

4.9 nC
6 nC
6.9 nC
7 nC
9.5 nC
10 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16 nC
16.5 nC
16.9 nC
17 nC
18 nC
19 nC
19.5 nC
20 nC
22 nC

2 W
2.5 W
3 W
3.3 W
20 W
25 W
27 W
30 W
35 W
40 W
42 W
45 W
70 W
90 W
110 W
115 W
125 W
130 W
140 W
150 W