Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
BFU725F/N1,115
NXP Semiconductors
1:
S/3.62
5,999 En pedido
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
771-BFU725FN1115
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
5,999 En pedido
1
S/3.62
10
S/2.22
100
S/1.46
500
S/1.15
1,000
S/1.00
3,000
S/0.759
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF Bipolar Transistors
SiGe
SMD/SMT
SOT-343F-4
NPN
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
BFU730F,115
NXP Semiconductors
1:
S/4.05
3,000 Se espera el 30/03/2026
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
771-BFU730F115
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
3,000 Se espera el 30/03/2026
1
S/4.05
10
S/2.51
100
S/1.64
500
S/1.26
1,000
S/1.16
3,000
S/0.969
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF Bipolar Transistors
SiGe
SMD/SMT
SOT-343F-4
NPN
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) SiGe:C MMIC Transistor
BFU730LXZ
NXP Semiconductors
1:
S/3.35
7,490 En pedido
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
771-BFU730LXZ
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) SiGe:C MMIC Transistor
7,490 En pedido
1
S/3.35
10
S/2.06
100
S/1.35
500
S/1.06
1,000
Ver
10,000
S/0.751
1,000
S/0.911
2,500
S/0.833
5,000
S/0.81
10,000
S/0.751
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF Bipolar Transistors
SiGe
SMD/SMT
SOT-883C-3
NPN
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 136 to 941 MHz, 32 V
A3T09S100NR1
NXP Semiconductors
500:
S/124.25
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
771-A3T09S100NR1
NXP Semiconductors
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 136 to 941 MHz, 32 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
JFETs
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
AFV10700GSR5
NXP Semiconductors
50:
S/3,130.50
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
771-AFV10700GSR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
NI-780GS-4L
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300BN
NXP Semiconductors
240:
S/268.78
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300BN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 240
Mult.: 240
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4
AFT09MP055NR1
NXP Semiconductors
500:
S/122.50
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MP055NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
TO-270WB-4
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
AFT09MS031GNR1
NXP Semiconductors
500:
S/89.10
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
TO-270-2
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50GNR5
NXP Semiconductors
50:
S/1,102.86
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50GNR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
OM-1230G-4
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
MRF6V12250HR5
NXP Semiconductors
50:
S/2,611.40
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V12250HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Screw Mount
NI-780
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V
MRF6V14300HSR5
NXP Semiconductors
50:
S/2,275.83
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V14300HSR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
NI-780S
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
MRFE6VP61K25HR6
NXP Semiconductors
150:
S/1,264.09
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR6
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 150
Mult.: 150
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Screw Mount
NI-1230H-4
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W 2700-3100MHz
AFT31150NR5
NXP Semiconductors
50:
S/1,155.41
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
771-AFT31150NR5
NRND
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W 2700-3100MHz
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Screw Mount
OM-780-2
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 500W 50V NI780H
MRF6V12500HR5
NXP Semiconductors
50:
S/3,703.13
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V12500HR5
NRND
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 500W 50V NI780H
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Screw Mount
NI-780H-2
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 900MHZ 10W
MW6S010GNR1
NXP Semiconductors
500:
S/105.99
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
841-MW6S010GNR1
NRND
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 900MHZ 10W
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
TO-270-2
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
MHT1803A
NXP Semiconductors
240:
S/111.36
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803A
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Comprar
Min.: 240
Mult.: 240
RF MOSFET Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 900MHZ 10W TO270-2N
MW6S010NR1
NXP Semiconductors
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
841-MW6S010NR1
NRND
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 900MHZ 10W TO270-2N
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
TO-270-2
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 12 W CW over 136 to 941 MHz, 7.5 V
NXP Semiconductors AFM912NT1
AFM912NT1
NXP Semiconductors
1,000:
S/16.89
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
N.º de artículo de Mouser
771-AFM912NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 12 W CW over 136 to 941 MHz, 7.5 V
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Comprar
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
DFN-16
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors AFT05MP075N-54M
AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors
1:
S/3,957.97
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
N.º de artículo de Mouser
771-AFT05MP075N54M
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MP075N-54M
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
1
S/3,957.97
10
S/3,504.88
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors AFT05MS004-200M
AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors
1:
S/1,859.10
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
N.º de artículo de Mouser
771-AFT05MS004200M
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MS004-200M
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
1
S/1,859.10
10
S/1,617.61
25
S/1,555.95
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-89-3
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors AFT27S006N-1000M
AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors
1:
S/4,715.41
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
N.º de artículo de Mouser
771-AFT27S006N1000M
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT27S006N-1000M
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
1
S/4,715.41
10
S/4,436.28
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PLD-1.5W
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4G
NXP Semiconductors AFT09MP055GNR1
AFT09MP055GNR1
NXP Semiconductors
500:
S/135.73
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MP055GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4G
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
TO-270WB-4
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V
NXP Semiconductors AFV121KHR5
AFV121KHR5
NXP Semiconductors
50:
S/5,487.22
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-AFV121KHR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
NI-1230H-4S
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1KW 50V NI1230H
NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors
50:
S/3,719.01
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1KW 50V NI1230H
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Screw Mount
NI-1230-4
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230GS
NXP Semiconductors MRFE6VP61K25GSR5
MRFE6VP61K25GSR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,688.10
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25GSR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230GS
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
1
S/1,688.10
10
S/1,459.06
25
S/1,219.33
50
S/1,219.29
250
Ver
250
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Screw Mount
NI-1230GS-4
N-Channel