A3T09S100NR1

NXP Semiconductors
771-A3T09S100NR1
A3T09S100NR1

Fabricante:

Descripción:
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 136 to 941 MHz, 32 V

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
10 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 500   Múltiples: 500
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)
S/124.25 S/62,125.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
NXP
Categoría de producto: Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
RoHS:  
A3T09S100
Reel
Marca: NXP Semiconductors
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: JFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 500
Subcategoría: Transistors
Alias de las piezas n.º: 935419977528
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
TARIC:
8541210000
ECCN:
EAR99