Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
CE3521M4
CEL
1:
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551-CE3521M4
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
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S/13.51
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
minimold-4
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GaAs
20 GHz
- 55 C
+ 125 C
11.9 dB
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
CE3512K2-C1
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551-CE3512K2-C1
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
MICRO-X-4
pHEMT
GaAs
12 GHz
- 55 C
+ 125 C
13.7 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
CE7613M4
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1:
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
minimold-4
pHEMT
Si
12 GHz
- 55 C
+ 125 C
14.1 dB
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
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S/2.23
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
minimold-4
Si
12 GHz
- 55 C
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
CE3520K3-C1
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1:
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CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
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S/8.87
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S/4.75
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
MICRO-X-4
pHEMT
GaAs
24 GHz
- 55 C
+ 125 C
13.8 dB
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
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594 En existencias
720 Se espera el 17/03/2026
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551-CE3512K2
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
594 En existencias
720 Se espera el 17/03/2026
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S/8.41
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S/5.64
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
MICRO-X-4
pHEMT
GaAs
12 GHz
- 55 C
+ 125 C
13.7 dB
Bulk
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
CE3514M4
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113 En existencias
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551-CE3514M4
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
113 En existencias
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1
S/10.78
10
S/6.97
100
S/3.93
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S/3.76
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S/3.62
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Detalles
RF JFET Transistors
SMD/SMT
minimold-4
pHEMT
GaAs
12 GHz
- 55 C
+ 125 C
12.2 dB
Bulk
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
CE3514M4-C2
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1:
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1,897 En existencias
15,000 Se espera el 28/04/2026
N.º de artículo de Mouser
551-CE3514M4-C2
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
1,897 En existencias
15,000 Se espera el 28/04/2026
Embalaje alternativo
1
S/5.02
10
S/3.32
100
S/2.76
500
S/2.65
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Ver
15,000
S/2.50
1,000
S/2.56
2,500
S/2.50
15,000
S/2.50
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF JFET Transistors
SMD/SMT
minimold-4
pHEMT
GaAs
12 GHz
- 55 C
+ 125 C
12.2 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
CEL CE3520K3
CE3520K3
CEL
1:
S/15.38
103 En existencias
N.º de artículo de Mouser
551-CE3520K3
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
103 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/15.38
10
S/10.08
100
S/7.40
500
S/5.88
1,000
S/5.84
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF JFET Transistors
pHEMT
GaAs
Bulk
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) For NESG270034-AZ
NESG270034-EV09-AZ
CEL
1:
S/614.04
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
NESG270034-EV09-AZ
CEL
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) For NESG270034-AZ
No en existencias
1
S/614.04
10
S/575.12
25
S/553.47
50
S/544.87
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
Bipolar
SiGe
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
CE3521M4-C2
CEL
15,000:
S/3.89
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
551-CE3521M4-C2
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
No en existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 15,000
Mult.: 15,000
Detalles
RF JFET Transistors
SMD/SMT
minimold-4
pHEMT
GaAs
20 GHz
- 55 C
+ 125 C
11.9 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
CEL NE5550979A-EV04-A
NE5550979A-EV04-A
CEL
1:
S/690.49
N/A
N.º de artículo de Mouser
551-NE5550979A-EV04A
CEL
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
N/A
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Bulk
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
CEL CE7530K2-C1
CE7530K2-C1
CEL
10,000:
S/5.29
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
551-CE7530K2-C1
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
No en existencias
Comprar
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
Detalles
RF JFET Transistors
Reel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
CEL CE7531K3-C1
CE7531K3-C1
CEL
10,000:
S/5.29
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
551-CE7531K3-C1
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
No en existencias
Comprar
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
Detalles
RF JFET Transistors
Reel