IXFN20N120 Serie Módulos MOSFET

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
IXYS Módulos MOSFET 20 Amps 1200V 0.6 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, + 30 V 6.5 V - 55 C + 150 C 595 W IXFN20N120 Tube
IXYS Módulos MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 750 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 780 W IXFN20N120 Tube