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NexFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 278

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Nombre comercial = NexFET

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

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Texas Instruments
1: S/5.68
51,783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87330Q3D

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595-CSD87330Q3D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

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Cinta cortada

S/5.68

S/3.76

S/3.13

S/2.59

S/2.41

Envase tipo carrete

S/2.41

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20 A

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Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B

CSD16570Q5BT
Texas Instruments
1: S/14.44
10,415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16570Q5BT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16570Q5BT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B

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Cinta cortada

S/14.44

S/9.46

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S/5.45

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Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NexFET N Ch Pwr MosFET

CSD16556Q5B
Texas Instruments
1: S/11.87
3,798En existencias

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CSD16556Q5B

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595-CSD16556Q5B

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NexFET N Ch Pwr MosFET

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S/11.87

S/7.71

S/5.33

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S/4.20

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Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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CSD18532NQ5B
Texas Instruments
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2,118En existencias

N.º de artículo del Fabricante
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595-CSD18532NQ5B

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18532NQ5BT

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Cinta cortada

S/11.72

S/7.59

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S/4.05

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Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTT

CSD19506KTTT
Texas Instruments
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989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19506KTTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19506KTTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTT

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989En existencias

Cinta cortada

S/28.73

S/15.49

Envase tipo carrete

S/15.49

S/13.70

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Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET

CSD16342Q5A
Texas Instruments
1: S/6.42
4,743En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16342Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16342Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET

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S/6.42

S/4.09

S/1.94

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Envase tipo carrete

S/1.77

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Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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CSD17577Q3A
Texas Instruments
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61,649En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17577Q3A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17577Q3A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17577Q3AT

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61,649En existencias

Cinta cortada

S/3.74

S/2.31

S/1.51

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Envase tipo carrete

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Ver

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Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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CSD19531Q5AT
Texas Instruments
1: S/12.18
2,478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19531Q5AT

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595-CSD19531Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5.3mOhm NexFET Power MOSFET A 595-C A 595-CSD19531Q5A

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Cinta cortada

S/12.18

S/7.94

S/4.87

Envase tipo carrete

S/4.87

S/4.36

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Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD7520 A 595-CSD75208W1015

CSD75208W1015T
Texas Instruments
1: S/6.58
8,784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD75208W1015T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD75208W1015T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD7520 A 595-CSD75208W1015

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Cinta cortada

S/6.58

S/4.20

S/2.38

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S/2.38

S/2.09

Ver

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2 Channel

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- 6 V, 6 V

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750 mW

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Duty Cycle Sync Buck NexFET A 595-C A 595-CSD87333Q3DT

CSD87333Q3D
Texas Instruments
1: S/4.28
4,177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87333Q3D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87333Q3D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Duty Cycle Sync Buck NexFET A 595-C A 595-CSD87333Q3DT

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4,177En existencias

Cinta cortada

S/4.28

S/2.78

S/2.30

S/1.98

Envase tipo carrete

S/1.63

Ver

MouseReel Disponible

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VSON-8

N-Channel

2 Channel

30 V

15 A

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- 8 V, 8 V

1.2 V

3.5 nC

- 55 C

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1.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET

CSD16325Q5
Texas Instruments
1: S/10.59
2,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16325Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16325Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET

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2,250En existencias

Cinta cortada

S/10.59

S/6.85

S/4.75

S/3.84

S/3.54

Envase tipo carrete

S/3.54

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2.2 mOhms

- 8 V, 10 V

1.1 V

18 nC

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3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16327Q3

CSD16327Q3T
Texas Instruments
1: S/8.06
2,753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16327Q3T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16327Q3T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16327Q3

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2,753En existencias

Cinta cortada

S/8.06

S/5.18

S/3.04

Envase tipo carrete

S/3.04

S/2.63

S/2.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

4.8 mOhms

- 8 V, 10 V

1.4 V

8.4 nC

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+ 150 C

74 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch NexFET Powe r Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) A 595-CSD A 595-CSD17556Q5BT

CSD17556Q5B
Texas Instruments
1: S/12.11
2,203En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17556Q5B

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17556Q5B

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch NexFET Powe r Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) A 595-CSD A 595-CSD17556Q5BT

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2,203En existencias

Cinta cortada

S/12.11

S/7.86

S/5.45

S/4.59

S/4.28

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

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1 Channel

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100 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

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3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCH NexFET A 595 -CSD17577Q5A A 595- A 595-CSD17577Q5A

CSD17577Q5AT
Texas Instruments
1: S/7.98
5,369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17577Q5AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17577Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCH NexFET A 595 -CSD17577Q5A A 595- A 595-CSD17577Q5A

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5,369En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/5.10

S/3.01

Envase tipo carrete

S/3.01

S/2.60

S/2.41

MouseReel Disponible

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Carrete: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

27 nC

- 40 C

+ 85 C

53 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18509Q5BT

CSD18509Q5B
Texas Instruments
1: S/12.11
2,534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18509Q5B

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18509Q5B

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18509Q5BT

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Hoja de datos

2,534En existencias

Cinta cortada

S/12.11

S/7.86

S/5.45

S/4.59

S/4.20

Envase tipo carrete

S/4.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

195 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87335Q3D

CSD87335Q3DT
Texas Instruments
1: S/7.32
8,140En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87335Q3DT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87335Q3DT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87335Q3D

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Hoja de datos

8,140En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/4.90

S/4.13

Envase tipo carrete

S/4.13

S/3.88

S/3.81

MouseReel Disponible

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30 V

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1 V, 750 mV

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6 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET

CSD17311Q5
Texas Instruments
1: S/10.59
1,738En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17311Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17311Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET

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Hoja de datos

1,738En existencias

Cinta cortada

S/10.59

S/6.85

S/4.71

S/3.83

S/3.57

Envase tipo carrete

S/3.57

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

VSON-CLIP-8

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1 Channel

30 V

100 A

2.3 mOhms

- 8 V, 10 V

1.2 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17575Q3

CSD17575Q3T
Texas Instruments
1: S/7.79
3,212En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17575Q3T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17575Q3T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17575Q3

Hoja de datos

3,212En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.93

S/2.53

S/2.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

VSON-CLIP-8

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1 Channel

30 V

60 A

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- 20 V, 20 V

1.4 V

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+ 150 C

108 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18514Q5A

CSD18514Q5AT
Texas Instruments
1: S/8.33
19,176En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18514Q5AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18514Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18514Q5A

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Hoja de datos

19,176En existencias

Cinta cortada

S/8.33

S/5.37

S/3.16

Envase tipo carrete

S/3.16

S/2.74

S/2.57

MouseReel Disponible

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VSONP-8

N-Channel

1 Channel

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50 A

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+ 150 C

74 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Sync Buck NexFET Pwr Block

CSD87351ZQ5D
Texas Instruments
1: S/7.43
1,915En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87351ZQ5D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87351ZQ5D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Sync Buck NexFET Pwr Block

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Hoja de datos

1,915En existencias

Cinta cortada

S/7.43

S/4.98

S/4.20

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Envase tipo carrete

S/3.88

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

LSON-CLIP-8

N-Channel

2 Channel

30 V

32 A

- 8 V, 8 V

1 V, 750 mV

7.7 nC, 22 nC

- 55 C

+ 150 C

12 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17578Q5A

CSD17522Q5A
Texas Instruments
1: S/7.40
4,559En existencias

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CSD17522Q5A

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595-CSD17522Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17578Q5A

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S/7.40

S/4.71

S/3.17

S/2.51

S/2.33

Envase tipo carrete

S/2.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

12.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET

CSD87352Q5D
Texas Instruments
1: S/6.62
2,955En existencias

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CSD87352Q5D

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595-CSD87352Q5D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET

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S/6.62

S/4.40

S/3.69

S/3.36

S/2.95

Envase tipo carrete

S/2.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

LSON-CLIP-8

N-Channel

2 Channel

30 V

25 A

9 mOhms, 2.8 mOhms

- 8 V, 10 V

2.1 V

12.5 nC

- 55 C

+ 150 C

8.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

CSD16413Q5A
Texas Instruments
1: S/7.55
3,383En existencias

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CSD16413Q5A

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595-CSD16413Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

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S/7.55

S/4.83

S/3.26

S/2.59

S/2.37

Envase tipo carrete

S/2.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

4.1 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 59 A 595-CSD18532NQ5B

CSD18532NQ5BT
Texas Instruments
1: S/14.25
1,235En existencias

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CSD18532NQ5BT

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595-CSD18532NQ5BT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 59 A 595-CSD18532NQ5B

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S/14.25

S/9.34

S/5.37

Envase tipo carrete

S/5.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

49 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTTT

CSD19506KTT
Texas Instruments
1: S/19.81
1,796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19506KTT

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595-CSD19506KTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTTT

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S/19.81

S/14.52

S/11.48

Envase tipo carrete

S/9.58

S/9.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

150 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

NexFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

BGA-10
BGA-6
D2PAK-3 (TO-263-3)
DSBGA-12
DSBGA-4
DSBGA-6
DSBGA-9
LSON-CLIP-8
PICOSTAR-3
PICOSTAR-4
PICOSTAR-6
PTAB-5
SOIC-8
SON-8
TO-220-3
VSON-8
VSON-CLIP-22
VSON-CLIP-8
VSONP-8
WSON-6

1.6 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.5 A
2.9 A
3 A
3.1 A
3.2 A
3.5 A
3.9 A
4 A
4.5 A
5 A
7 A
7.1 A
7.4 A
8 A
10 A

590 uOhms
680 uOhms
740 uOhms
1 mOhms
1.15 mOhms
1.19 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms

450 mV
500 mV
550 mV
580 mV
600 mV
650 mV
680 mV
700 mV
750 mV
800 mV
850 mV
900 mV
950 mV
1 V
1 V, 750 mV
1.05 V
1.1 V
1.1 V, 1 V
1.1 V, 750 mV
1.15 V

913 pC
960 pC
1.04 nC
1.06 nC
1.14 nC
1.9 nC
2 nC
2.1 nC
2.2 nC
2.3 nC
2.4 nC
2.5 nC
2.6 nC
2.7 nC, 6.4 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.2 nC, 13.7 nC
3.3 nC
3.4 nC

500 mW
600 mW
700 mW
750 mW
800 mW
1 W
1.2 W
1.4 W
1.5 W
1.65 W
1.7 W
1.8 W
1.9 W
2.1 W
2.3 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W