MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

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Resultados: 49

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

NTHL025N065SC1
onsemi
1: S/60.10
1,292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL025N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL025N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

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Hoja de datos

1,292En existencias

S/60.10

S/50.02

S/49.59

S/45.46

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

99 A

28.5 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

348 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC 20MW 1200V

NVHL020N120SC1
onsemi
1: S/158.54
996En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVHL020N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVHL020N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC 20MW 1200V

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Hoja de datos

996En existencias

S/158.54

S/135.19

S/135.15

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

103 A

28 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

203 nC

- 55 C

+ 175 C

535 W

Enhancement

AEC-Q101

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

NVHL160N120SC1
onsemi
1: S/48.81
2,424En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVHL160N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVHL160N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

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Hoja de datos

2,424En existencias

S/48.81

S/29.78

S/25.34

S/24.48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

224 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V

NTH4L060N065SC1
onsemi
1: S/32.81
430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L060N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L060N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V

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Hoja de datos

430En existencias

S/32.81

S/24.41

S/23.51

S/22.69

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

70 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.3 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

NTHL060N065SC1
onsemi
1: S/36.01
569En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL060N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL060N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

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Hoja de datos

569En existencias

S/36.01

S/24.29

S/22.15

S/22.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

70 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1

NTH4L040N120SC1
onsemi
1: S/67.38
1,491En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L040N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L040N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1

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Hoja de datos

1,491En existencias

S/67.38

S/52.59

S/49.75

S/49.67

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

58 A

56 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V

NTBG015N065SC1
onsemi
1: S/93.30
3,923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG015N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG015N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V

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Hoja de datos

3,923En existencias

Cinta cortada

S/93.30

S/81.55

S/80.30

S/68.47

Envase tipo carrete

S/67.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

145 A

18 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

283 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V

NTBG040N120SC1
onsemi
1: S/70.73
1,014En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG040N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG040N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V

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Hoja de datos

1,014En existencias

Cinta cortada

S/70.73

S/59.83

S/59.40

S/53.21

Envase tipo carrete

S/51.03

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

60 A

56 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

NTHL045N065SC1
onsemi
1: S/53.09
1,824En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL045N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL045N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

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Hoja de datos

1,824En existencias

S/53.09

S/35.38

S/26.86

S/26.82

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

66 A

50 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

291 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC 60MOHM

NVHL060N090SC1
onsemi
1: S/53.87
265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVHL060N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVHL060N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC 60MOHM

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Hoja de datos

265En existencias

S/53.87

S/40.21

S/39.08

S/38.46

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

46 A

84 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V

NVHL040N120SC1
onsemi
1: S/80.19
221En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVHL040N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVHL040N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V

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Hoja de datos

221En existencias

S/80.19

S/63.02

S/60.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

60 A

56 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

348 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

NTBG160N120SC1
onsemi
1: S/26.59
2,060En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG160N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG160N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

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Hoja de datos

2,060En existencias

Cinta cortada

S/26.59

S/21.56

S/19.38

S/16.62

Envase tipo carrete

S/16.27

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19.5 A

224 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

33.8 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 16

NTH4L160N120SC1
onsemi
1: S/25.34
2,161En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L160N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L160N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 16

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Hoja de datos

2,161En existencias

S/25.34

S/18.22

S/17.91

S/17.17

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17.3 A

224 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A

NVHL080N120SC1
onsemi
1: S/58.78
1,182En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVHL080N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVHL080N120SC1

NRND

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A

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Hoja de datos

1,182En existencias

S/58.78

S/44.34

S/35.30

S/34.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

110 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

178 W

Enhancement

AEC-Q101

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V

NTH4L045N065SC1
onsemi
1: S/38.34
1,595En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L045N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L045N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V

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Hoja de datos

1,595En existencias

S/38.34

S/29.47

S/28.34

S/28.30

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

50 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L

NTH4L060N090SC1
onsemi
1: S/37.76
314En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L060N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L060N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L

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Hoja de datos

314En existencias

S/37.76

S/28.73

S/28.06

S/27.25

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

900 V

46 A

84 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS 60MOHM 900V

NTBG060N090SC1
onsemi
1: S/40.99
1,276En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG060N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG060N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS 60MOHM 900V

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Hoja de datos

1,276En existencias

Cinta cortada

S/40.99

S/33.86

S/31.06

S/27.48

Envase tipo carrete

S/27.48

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

44 A

84 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

NVBG080N120SC1
onsemi
1: S/44.14
1,973En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVBG080N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVBG080N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,973En existencias

Cinta cortada

S/44.14

S/30.63

S/25.89

S/25.85

Envase tipo carrete

S/24.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

110 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

AEC-Q101

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

NTBG080N120SC1
onsemi
1: S/39.59
646En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG080N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG080N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

Obtenga más información

Hoja de datos

646En existencias

Cinta cortada

S/39.59

S/32.58

S/30.56

S/28.69

Envase tipo carrete

S/25.85

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

110 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC 60MOHM 900V

NTHL060N090SC1
onsemi
1: S/37.68
1,219En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL060N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL060N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC 60MOHM 900V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,219En existencias

S/37.68

S/28.30

S/27.17

S/26.24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

46 A

84 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1

NTHL080N120SC1A
onsemi
1: S/50.29
1,326En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL080N120SC1A

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL080N120SC1A

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1

Obtenga más información

Hoja de datos

1,326En existencias

S/50.29

S/30.44

S/29.04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

110 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

178 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS 20MOHM 900V

NTBG020N090SC1
onsemi
1: S/99.92
1,861En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG020N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG020N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS 20MOHM 900V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,861En existencias

Cinta cortada

S/99.92

S/84.31

S/81.35

S/77.38

Envase tipo carrete

S/70.65

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

112 A

28 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

477 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1

NTH4L020N120SC1
onsemi
1: S/113.43
257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L020N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L020N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1

Obtenga más información

Hoja de datos

257En existencias

S/113.43

S/93.50

S/93.26

S/93.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

102 A

28 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

510 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V

NVH4L080N120SC1
onsemi
1: S/45.50
689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVH4L080N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVH4L080N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V

Obtenga más información

Hoja de datos

689En existencias

S/45.50

S/27.83

S/27.79

S/27.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

80 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART

NVH4L160N120SC1
onsemi
1: S/31.45
181En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVH4L160N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVH4L160N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART

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Hoja de datos

181En existencias

S/31.45

S/25.65

S/25.61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17.3 A

224 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

EliteSiC

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

17 A
17.3 A
19.5 A
29 A
30 A
31 A
33 A
44 A
46 A
47 A
55 A
58 A
60 A
62 A
66 A
98 A
99 A
102 A
103 A
112 A

88 W
111 W
119 W
121 W
136 W
170 W
176 W
178 W
179 W
187 W
211 W
221 W
242 W
250 W
291 W
319 W
348 W
357 W
468 W
477 W