Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS SOD-962 VRMW 15V 1uA TVS Diodes
DF2S20ASL,L3F
Toshiba
1:
S/0.662
8,789 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 757-DF2S20ASLL3F
Nuevo producto
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS SOD-962 VRMW 15V 1uA TVS Diodes
8,789 En existencias
1
S/0.662
10
S/0.463
100
S/0.226
500
S/0.191
1,000
Ver
10,000
S/0.082
1,000
S/0.132
2,500
S/0.117
5,000
S/0.109
10,000
S/0.082
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LVMOS SOP-8-ADV
TPCA8120,L1Q
Toshiba
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5,354 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPCA8120L1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LVMOS SOP-8-ADV
5,354 En existencias
1
S/6.07
10
S/3.87
100
S/2.58
500
S/2.11
1,000
Ver
1,000
S/1.85
2,500
S/1.70
5,000
S/1.55
10,000
S/1.53
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOP-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/16.15
46,556 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
46,556 En existencias
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-220SM-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS
SSM6N15AFU,LF
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369,132 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N15AFULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS
369,132 En existencias
1
S/1.21
10
S/0.74
100
S/0.463
500
S/0.343
3,000
S/0.241
6,000
Ver
1,000
S/0.292
6,000
S/0.218
9,000
S/0.183
24,000
S/0.179
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
Diodos de varactor Variable capacitance diode for electronic tuning applications
JDV2S41AFS,L3M
Toshiba
1:
S/5.33
4,490 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser 757-JDV2S41AFSL3M
Nuevo en Mouser
Toshiba
Diodos de varactor Variable capacitance diode for electronic tuning applications
4,490 En existencias
1
S/5.33
10
S/3.38
100
S/2.24
500
S/1.77
1,000
Ver
1,000
S/1.59
2,500
S/1.46
5,000
S/1.29
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Varactor Diodes
SMD/SMT
SOD-923-2
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
SSM6L14FE(TE85L,F)
Toshiba
1:
S/1.79
282,583 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6L14FETE85LF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
282,583 En existencias
1
S/1.79
10
S/1.11
100
S/0.705
500
S/0.529
4,000
S/0.30
8,000
Ver
1,000
S/0.428
2,000
S/0.413
8,000
S/0.292
24,000
S/0.276
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-563-6
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
DF3D18FU,LF
Toshiba
1:
S/1.48
162,435 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-DF3D18FULF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
162,435 En existencias
1
S/1.48
10
S/0.989
100
S/0.67
500
S/0.518
1,000
S/0.44
3,000
S/0.319
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Detalles
SOT-323-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
TK160F10N1L,LXGQ
Toshiba
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S/18.14
26,382 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK160F10N1LLXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
26,382 En existencias
1
S/18.14
10
S/12.03
100
S/8.52
500
S/7.94
1,000
S/6.46
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-220SM-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 80V 120A
TPH2R408QM,L1Q
Toshiba
1:
S/9.42
89,001 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH2R408QM,L1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 80V 120A
89,001 En existencias
1
S/9.42
10
S/6.07
100
S/4.16
500
S/3.31
1,000
Ver
5,000
S/2.75
1,000
S/3.16
2,500
S/2.93
5,000
S/2.75
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 150W -15A 80 HFE -3V -230V
+1 imagen
TTA1943(Q)
Toshiba
1:
S/13.04
11,261 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TTA1943Q
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 150W -15A 80 HFE -3V -230V
11,261 En existencias
1
S/13.04
10
S/7.90
100
S/4.71
500
S/4.59
1,000
Ver
1,000
S/4.32
25,000
Presupuesto
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Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
2-21F1A-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
XPN12006NC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/6.89
56,524 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-XPN12006NCL1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
56,524 En existencias
1
S/6.89
10
S/4.13
100
S/2.80
500
S/2.28
1,000
Ver
5,000
S/1.82
1,000
S/2.12
2,500
S/2.08
5,000
S/1.82
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TSON-8
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
TW060N120C,S1F
Toshiba
1:
S/89.37
374 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TW060N120CS1F
Toshiba
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
374 En existencias
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Detalles
SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
SSM6K341NU,LF
Toshiba
1:
S/2.69
590,951 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K341NULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
590,951 En existencias
1
S/2.69
10
S/1.67
100
S/1.10
500
S/0.841
3,000
S/0.627
6,000
Ver
1,000
S/0.736
6,000
S/0.572
9,000
S/0.498
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
UDFN-6
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET
TK160F10N1L,LQ
Toshiba
1:
S/10.51
18,984 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK160F10N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET
18,984 En existencias
1
S/10.51
10
S/8.49
100
S/6.19
500
S/6.07
1,000
S/5.14
5,000
S/4.94
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-220SMW-3
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
TW045N120C,S1F
Toshiba
1:
S/110.00
131 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TW045N120CS1F
Toshiba
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
131 En existencias
1
S/110.00
10
S/69.17
120
S/67.61
510
S/67.30
1,020
Ver
1,020
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 200V Switching High-Speed Diode
1SS306TE85LF
Toshiba
1:
S/6.97
21,404 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS306TE85LF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 200V Switching High-Speed Diode
21,404 En existencias
1
S/6.97
10
S/4.16
100
S/3.12
500
S/3.11
3,000
S/3.11
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
SMD/SMT
SC-61
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
1SS226,LF
Toshiba
1:
S/0.506
901,551 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS226LF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
901,551 En existencias
1
S/0.506
10
S/0.35
100
S/0.284
500
S/0.206
3,000
S/0.086
9,000
Ver
1,000
S/0.191
9,000
S/0.082
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
SMD/SMT
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
TK31V60X,LQ
Toshiba
1:
S/25.42
4,913 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK31V60XLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
4,913 En existencias
1
S/25.42
10
S/17.17
100
S/14.21
500
S/14.17
1,000
Ver
2,500
S/11.60
1,000
S/12.85
2,500
S/11.60
5,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DFN8x8-5
IGBTs 1350V DISCRETE IGBT TRANS
GT30N135SRA,S1E
Toshiba
1:
S/16.62
3,448 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-GT30N135SRAS1E
Toshiba
IGBTs 1350V DISCRETE IGBT TRANS
3,448 En existencias
1
S/16.62
10
S/9.96
30
S/9.96
100
S/8.80
500
S/8.76
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/5.18
45,634 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
45,634 En existencias
1
S/5.18
10
S/3.29
100
S/2.18
500
S/1.70
2,000
S/1.39
4,000
Ver
1,000
S/1.54
4,000
S/1.23
10,000
S/1.22
24,000
S/1.20
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
TPH1R306P1,L1Q
Toshiba
1:
S/10.67
25,255 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH1R306P1L1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
25,255 En existencias
1
S/10.67
10
S/7.82
100
S/5.61
500
S/4.79
1,000
Ver
5,000
S/3.89
1,000
S/4.44
2,500
S/4.20
5,000
S/3.89
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOP-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V
SSM6L40TU,LF
Toshiba
1:
S/2.37
143,935 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6L40TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V
143,935 En existencias
1
S/2.37
10
S/1.46
100
S/0.934
500
S/0.705
3,000
S/0.436
6,000
Ver
1,000
S/0.623
6,000
S/0.416
9,000
S/0.389
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
UF-6
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
TPW1500CNH,L1Q
Toshiba
1:
S/13.04
14,835 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPW1500CNHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
14,835 En existencias
1
S/13.04
10
S/8.49
100
S/5.92
500
S/5.10
1,000
Ver
5,000
S/4.13
1,000
S/4.67
2,500
S/4.44
5,000
S/4.13
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DSOP-8
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
1SS302A,LF
Toshiba
1:
S/0.545
674,700 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS302ALF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
674,700 En existencias
1
S/0.545
10
S/0.378
100
S/0.284
500
S/0.21
3,000
S/0.093
6,000
Ver
1,000
S/0.183
6,000
S/0.09
9,000
S/0.082
24,000
S/0.078
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
SMD/SMT
SOT-323-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
1:
S/10.47
26,128 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
26,128 En existencias
1
S/10.47
10
S/6.77
100
S/4.67
500
S/3.75
1,000
Ver
2,000
S/3.10
1,000
S/3.57
2,000
S/3.10
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Perú
