Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 10V Unidirect
SM6T10A
STMicroelectronics
1:
S/0.856
19,811 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
SM6T10A
N.º de artículo de Mouser 511-SM6T10A
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 10V Unidirect
19,811 En existencias
1
S/0.856
10
S/0.677
100
S/0.603
500
S/0.568
1,000
S/0.533
2,500
S/0.385
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
SMB (DO-214AA)
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600 W 4kW Transil 6V to 70V Bi
SM6T27CAY
STMicroelectronics
1:
S/2.22
12,559 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SM6T27CAY
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600 W 4kW Transil 6V to 70V Bi
12,559 En existencias
1
S/2.22
10
S/2.13
100
S/1.89
1,000
S/1.88
2,500
S/1.60
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
SMB (DO-214AA)
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS HJ Temp Transil
SMA6J6.5CA-TR
STMicroelectronics
1:
S/0.934
7,388 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SMA6J6.5CA-TR
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS HJ Temp Transil
7,388 En existencias
1
S/0.934
10
S/0.907
5,000
S/0.74
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
SMA (DO-214AC)
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W 13V Unidirect
SMAJ13A-TR
STMicroelectronics
1:
S/0.662
50,978 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SMAJ13A-TR
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W 13V Unidirect
50,978 En existencias
1
S/0.662
10
S/0.475
5,000
S/0.385
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
SMA (DO-214AC)
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 20V Bidirect
SMBJ20CA-TR
STMicroelectronics
1:
S/0.662
71,865 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SMBJ20CA
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 20V Bidirect
71,865 En existencias
1
S/0.662
10
S/0.498
100
S/0.494
500
S/0.459
1,000
S/0.424
2,500
S/0.385
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
SMB (DO-214AA)
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500W 5.0V Bidirect
SMCJ5.0CA-TR
STMicroelectronics
1:
S/1.21
11,679 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SMCJ5.0CA-TR
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500W 5.0V Bidirect
11,679 En existencias
1
S/1.21
2,500
S/1.02
25,000
S/0.985
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
SMC (DO-214AB)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
STB18NF25
STMicroelectronics
1:
S/9.58
4,220 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB18NF25
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
4,220 En existencias
1
S/9.58
10
S/6.19
100
S/4.24
500
S/3.38
1,000
S/2.84
2,000
Ver
2,000
S/2.76
5,000
S/2.72
10,000
S/2.68
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 120 Amp
STB200NF03T4
STMicroelectronics
1:
S/13.27
1,547 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB200NF03
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 120 Amp
1,547 En existencias
1
S/13.27
10
S/8.68
100
S/6.03
500
S/5.64
1,000
S/5.37
2,000
S/4.24
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A
STD26NF10
STMicroelectronics
1:
S/8.52
2,109 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD26NF10
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A
2,109 En existencias
1
S/8.52
10
S/5.49
100
S/3.71
500
S/2.95
2,500
S/2.45
5,000
Ver
1,000
S/2.78
5,000
S/2.31
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH
STD3NK50ZT4
STMicroelectronics
1:
S/7.08
7,145 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD3NK50Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH
7,145 En existencias
1
S/7.08
10
S/4.52
100
S/3.03
500
S/2.40
2,500
S/1.88
5,000
Ver
1,000
S/2.21
5,000
S/1.86
10,000
S/1.76
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 40 Amp
STD45NF75T4
STMicroelectronics
1:
S/8.25
2,800 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD45NF75
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 40 Amp
2,800 En existencias
1
S/8.25
10
S/5.25
100
S/3.64
500
S/3.28
2,500
S/2.73
5,000
Ver
1,000
S/3.26
5,000
S/2.30
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
STD4N90K5
STMicroelectronics
1:
S/8.14
3,569 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD4N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
3,569 En existencias
1
S/8.14
10
S/5.68
100
S/4.13
500
S/3.29
1,000
S/3.18
2,500
S/2.54
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistores Darlington PWR BIP/S.SIGNAL
+4 imágenes
STD901T
STMicroelectronics
1:
S/9.58
10,416 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
STD901T
N.º de artículo de Mouser 511-STD901T
STMicroelectronics
Transistores Darlington PWR BIP/S.SIGNAL
10,416 En existencias
1
S/9.58
10
S/6.19
100
S/4.24
500
S/3.37
2,500
S/3.14
10,000
Ver
1,000
S/3.33
10,000
S/2.78
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Darlington Transistors
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
STF11NM80
STMicroelectronics
1:
S/26.78
920 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF11NM80
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
920 En existencias
1
S/26.78
10
S/13.94
100
S/13.12
500
S/11.21
1,000
Ver
1,000
S/11.09
5,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet
STF15NM65N
STMicroelectronics
1:
S/21.14
938 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF15NM65N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet
938 En existencias
1
S/21.14
10
S/11.25
100
S/11.21
500
S/10.04
1,000
S/8.10
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
STF23N80K5
STMicroelectronics
1:
S/23.55
811 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF23N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
811 En existencias
1
S/23.55
10
S/12.57
100
S/11.48
500
S/9.61
1,000
S/9.26
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF3LN80K5
STMicroelectronics
1:
S/7.94
3,127 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF3LN80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
3,127 En existencias
1
S/7.94
10
S/3.97
100
S/3.51
500
S/2.81
1,000
Ver
1,000
S/2.49
2,000
S/2.27
5,000
S/2.18
10,000
S/2.17
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF40N65M2
STMicroelectronics
1:
S/15.10
1,102 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF40N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
1,102 En existencias
1
S/15.10
10
S/11.79
100
S/10.86
500
S/10.74
1,000
Ver
1,000
S/9.46
2,000
S/8.68
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
STGD7NC60HT4
STMicroelectronics
1:
S/12.85
3,046 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGD7NC60H
STMicroelectronics
IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
3,046 En existencias
1
S/12.85
10
S/8.33
100
S/5.99
500
S/5.10
2,500
S/4.13
5,000
Ver
1,000
S/4.40
5,000
S/4.09
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
STGIPN3H60A
STMicroelectronics
1:
S/31.49
467 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGIPN3H60A
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
467 En existencias
1
S/31.49
10
S/19.42
100
S/17.52
476
S/15.57
952
Ver
952
S/15.30
2,856
S/15.22
5,236
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Modules
Si
Through Hole
NDIP-26
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
360°
+4 imágenes
STGW75H65DFB2-4
STMicroelectronics
1:
S/21.76
598 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGW75H65DFB2-4
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
598 En existencias
1
S/21.76
10
S/15.80
100
S/14.40
600
S/13.82
3,000
Ver
3,000
S/13.74
5,400
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
STH240N10F7-2
STMicroelectronics
1:
S/18.29
940 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH240N10F7-2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
940 En existencias
1
S/18.29
10
S/12.11
100
S/8.60
500
S/7.98
1,000
S/6.42
2,000
S/6.34
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Transil IEC 61000 500A 24V to 33V
STIEC45-30AS
STMicroelectronics
1:
S/10.24
3,632 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STIEC45-30AS
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Transil IEC 61000 500A 24V to 33V
3,632 En existencias
1
S/10.24
10
S/7.36
100
S/5.29
500
S/5.02
1,000
S/4.75
2,500
S/4.09
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
SMC (DO-214AB)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V
STL140N4LLF5
STMicroelectronics
1:
S/12.30
2,858 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL140N4LLF5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V
2,858 En existencias
1
S/12.30
10
S/7.98
100
S/5.68
500
S/4.83
1,000
S/4.48
3,000
S/3.89
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL160N4F7
STMicroelectronics
1:
S/7.51
4,235 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL160N4F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
4,235 En existencias
1
S/7.51
10
S/4.79
100
S/3.25
500
S/2.58
3,000
S/2.07
6,000
Ver
1,000
S/2.35
6,000
S/2.06
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Perú
