IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
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STGD4M65DF2
STMicroelectronics
1:
S/5.92
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N.º de artículo de Mouser 511-STGD4M65DF2
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
2,128 En existencias
1
S/5.92
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S/3.73
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S/1.76
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IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
IGBTs PowerMESH" IGBT
STGP14NC60KD
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1:
S/7.86
2,050 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGP14NC60KD
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IGBTs PowerMESH" IGBT
2,050 En existencias
1
S/7.86
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S/3.62
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
STH180N10F3-2
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1,072 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH180N10F3-2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
1,072 En existencias
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S/20.71
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P
STL125N8F7AG
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1:
S/12.30
2,955 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL125N8F7AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P
2,955 En existencias
1
S/12.30
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S/7.98
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S/4.79
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S/4.32
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S/4.32
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL16N65M2
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S/11.72
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N.º de artículo de Mouser 511-STL16N65M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
1,440 En existencias
1
S/11.72
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S/4.44
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S/4.05
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S/4.05
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-HV-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
STL52N60DM6
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1:
S/24.02
1,501 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL52N60DM6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
1,501 En existencias
1
S/24.02
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S/18.37
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S/14.87
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S/13.23
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S/11.68
3,000
S/11.68
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
STP10N60M2
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S/7.82
1,799 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP10N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
1,799 En existencias
1
S/7.82
10
S/3.80
100
S/3.40
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S/2.72
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S/2.44
2,000
S/2.33
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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STP24N60M6
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1:
S/12.46
792 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP24N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
792 En existencias
1
S/12.46
10
S/6.23
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S/5.64
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S/4.55
1,000
S/4.48
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
STP50N65DM6
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1:
S/30.56
773 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP50N65DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
773 En existencias
1
S/30.56
10
S/21.56
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S/17.98
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S/16.04
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S/14.95
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp
STP7N95K3
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1:
S/15.73
934 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP7N95K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp
934 En existencias
1
S/15.73
10
S/8.21
100
S/6.93
500
S/6.42
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S/5.99
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Rectificadores y diodos Schottky 2X5 Amp 60 Volt
STPS10L60CFP
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1:
S/5.57
1,962 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STPS10L60CFP
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky 2X5 Amp 60 Volt
1,962 En existencias
1
S/5.57
10
S/2.33
100
S/2.32
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S/1.82
1,000
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S/1.65
2,000
S/1.46
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Schottky Diodes & Rectifiers
Si
Through Hole
TO-220FP-3
Rectificadores y diodos Schottky 1.0 Amp 60 Volt
STPS160A
STMicroelectronics
1:
S/1.36
16,929 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STPS160A
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky 1.0 Amp 60 Volt
16,929 En existencias
1
S/1.36
10
S/0.638
100
S/0.623
500
S/0.49
1,000
Ver
5,000
S/0.28
1,000
S/0.393
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S/0.28
5,000
S/0.28
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Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
SMA (DO-214AC)
Rectificadores y diodos Schottky 20A 100V
360°
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STPS20M100ST
STMicroelectronics
1:
S/12.34
806 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STPS20M100ST
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky 20A 100V
806 En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers
Si
Through Hole
TO-220-3
Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 8 A Silicon Carbide Diode
STPSC8H065BY-TR
STMicroelectronics
1:
S/13.78
2,480 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STPSC8H065BY-TR
STMicroelectronics
Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 8 A Silicon Carbide Diode
2,480 En existencias
1
S/13.78
10
S/8.99
100
S/7.01
500
S/5.92
1,000
S/5.14
2,500
S/5.14
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SiC Schottky Diodes
SMD/SMT
DPAK
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package
STS10P4LLF6
STMicroelectronics
1:
S/6.38
3,100 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STS10P4LLF6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package
3,100 En existencias
1
S/6.38
10
S/4.05
100
S/2.71
500
S/2.13
1,000
S/1.95
2,500
S/1.78
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
Rectificadores High Effecientcy Rectifier
STTH10R04G-TR
STMicroelectronics
1:
S/2.06
3,757 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STTH10R04G-TR
STMicroelectronics
Rectificadores High Effecientcy Rectifier
3,757 En existencias
1
S/2.06
500
S/1.80
1,000
S/1.68
2,000
S/1.43
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Rectifiers
SMD/SMT
D2-PAK
Diodos de Conmutación de Señal Baja 600V, 30A, Ultrafast diode
360°
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STTH30M06SPF
STMicroelectronics
1:
S/12.61
1,108 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STTH30M06SPF
STMicroelectronics
Diodos de Conmutación de Señal Baja 600V, 30A, Ultrafast diode
1,108 En existencias
1
S/12.61
10
S/5.45
100
S/5.37
600
S/4.79
1,200
S/4.36
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Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
Through Hole
Rectificadores high voltage diode
STTH512B-TR
STMicroelectronics
1:
S/2.96
5,888 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STTH512B-TR
STMicroelectronics
Rectificadores high voltage diode
5,888 En existencias
1
S/2.96
10
S/2.08
100
S/1.59
500
S/1.23
1,000
S/1.11
2,500
S/0.899
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Rectifiers
SMD/SMT
DPAK
Rectificadores Turbo 2 RECTIFIER Ultrafast Hi Vltg
STTH806G-TR
STMicroelectronics
1:
S/4.24
2,379 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STTH806G-TR
STMicroelectronics
Rectificadores Turbo 2 RECTIFIER Ultrafast Hi Vltg
2,379 En existencias
1
S/4.24
10
S/3.24
100
S/2.56
500
S/2.01
1,000
S/1.66
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Detalles
Rectifiers
SMD/SMT
D2-PAK
Rectificadores 8.0 Amp 600 Volt
STTH8R06FP
STMicroelectronics
1:
S/3.39
1,988 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STTH8R06FP
STMicroelectronics
Rectificadores 8.0 Amp 600 Volt
1,988 En existencias
1
S/3.39
10
S/1.82
100
S/1.77
500
S/1.71
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Detalles
Rectifiers
Through Hole
TO-220FPAC
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
+1 imagen
STW20N90K5
STMicroelectronics
1:
S/29.04
365 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW20N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
365 En existencias
1
S/29.04
10
S/17.09
100
S/14.32
600
S/14.21
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
STWA75N65DM6
STMicroelectronics
1:
S/54.88
407 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STWA75N65DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
407 En existencias
1
S/54.88
10
S/41.53
100
S/36.47
600
S/34.53
1,200
S/33.01
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
Triacs 4A logic level Triacs
T410-700T
STMicroelectronics
1:
S/6.34
1,905 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-T410-700T
STMicroelectronics
Triacs 4A logic level Triacs
1,905 En existencias
1
S/6.34
10
S/3.01
100
S/2.70
500
S/2.16
1,000
Ver
1,000
S/1.93
2,000
S/1.76
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Triacs
Through Hole
TO-220-3
Triacs 4A TRIACS
T435-800B-TR
STMicroelectronics
1:
S/5.02
2,940 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-T435-800B-TR
STMicroelectronics
Triacs 4A TRIACS
2,940 En existencias
1
S/5.02
10
S/3.16
100
S/2.09
500
S/1.72
1,000
S/1.48
2,500
S/1.29
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Triacs
SMD/SMT
DPAK
SCR 12 Amp 600 Volt
TN1215-600B-TR
STMicroelectronics
1:
S/5.76
2,784 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-TN1215-600B-TR
STMicroelectronics
SCR 12 Amp 600 Volt
2,784 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.76
10
S/3.65
100
S/2.43
500
S/1.90
1,000
S/1.73
2,500
S/1.55
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Detalles
SCRs
SMD/SMT
DPAK-2 (TO-252-2)
Perú
