Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF40N65M2
STMicroelectronics
1:
S/15.10
1,102 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF40N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
1,102 En existencias
1
S/15.10
10
S/11.13
100
S/10.55
500
S/10.47
1,000
Ver
1,000
S/9.07
2,000
S/8.68
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
STGD7NC60HT4
STMicroelectronics
1:
S/12.85
3,046 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGD7NC60H
STMicroelectronics
IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
3,046 En existencias
1
S/12.85
10
S/8.33
100
S/5.99
500
S/5.10
1,000
S/4.40
2,500
S/4.09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
STGIPN3H60A
STMicroelectronics
1:
S/31.49
467 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGIPN3H60A
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
467 En existencias
1
S/31.49
10
S/19.31
100
S/17.24
476
S/15.57
952
Ver
952
S/15.41
2,856
S/15.34
5,236
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Modules
Si
Through Hole
NDIP-26
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
360°
+4 imágenes
STGW75H65DFB2-4
STMicroelectronics
1:
S/21.56
598 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGW75H65DFB2-4
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
598 En existencias
1
S/21.56
10
S/15.61
100
S/14.40
600
S/13.82
3,000
Ver
3,000
S/13.74
5,400
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
STH240N10F7-2
STMicroelectronics
1:
S/18.29
940 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STH240N10F7-2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
940 En existencias
1
S/18.29
10
S/12.11
100
S/8.60
500
S/7.98
1,000
S/6.42
2,000
S/6.34
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Transil IEC 61000 500A 24V to 33V
STIEC45-30AS
STMicroelectronics
1:
S/10.24
2,132 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STIEC45-30AS
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Transil IEC 61000 500A 24V to 33V
2,132 En existencias
1
S/10.24
10
S/7.36
100
S/5.29
500
S/5.02
1,000
S/4.87
2,500
S/4.09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
SMC (DO-214AB)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V
STL140N4LLF5
STMicroelectronics
1:
S/12.30
2,858 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL140N4LLF5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V
2,858 En existencias
1
S/12.30
10
S/7.98
100
S/5.68
500
S/4.83
1,000
S/4.48
3,000
S/3.89
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL160N4F7
STMicroelectronics
1:
S/7.51
4,235 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL160N4F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
4,235 En existencias
1
S/7.51
10
S/4.79
100
S/3.25
500
S/2.58
3,000
S/2.07
6,000
Ver
1,000
S/2.35
6,000
S/2.06
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
STL260N4F7
STMicroelectronics
1:
S/14.29
5,403 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL260N4F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
5,403 En existencias
1
S/14.29
10
S/9.38
100
S/6.54
500
S/5.76
3,000
S/4.87
6,000
Ver
1,000
S/5.29
6,000
S/4.67
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
STP20NK50Z
STMicroelectronics
1:
S/19.31
4,483 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP20NK50Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
4,483 En existencias
1
S/19.31
10
S/9.30
100
S/8.95
1,000
S/8.56
5,000
Ver
5,000
S/8.45
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh
STP30N65M5
STMicroelectronics
1:
S/28.77
708 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP30N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh
708 En existencias
1
S/28.77
10
S/15.49
100
S/14.67
500
S/12.57
1,000
Ver
1,000
S/12.53
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
STP33N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/13.74
1,426 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP33N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
1,426 En existencias
1
S/13.74
10
S/9.23
100
S/8.56
500
S/7.43
1,000
Ver
1,000
S/6.89
2,000
S/6.85
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
STP45N60DM6
STMicroelectronics
1:
S/27.25
1,008 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP45N60DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
1,008 En existencias
1
S/27.25
10
S/20.12
100
S/16.27
500
S/14.48
1,000
Ver
1,000
S/11.72
2,000
S/11.17
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
STP7NK80Z
STMicroelectronics
1:
S/14.87
1,935 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP7NK80Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
1,935 En existencias
1
S/14.87
10
S/6.70
100
S/6.27
500
S/5.61
1,000
Ver
1,000
S/5.02
2,000
S/4.94
5,000
S/4.87
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Rectificadores y diodos Schottky 40 V, 10 A dual Low Vf Power Schottky Rectifier
+1 imagen
STPS10L40CSF
STMicroelectronics
1:
S/4.75
11,083 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STPS10L40CSF
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky 40 V, 10 A dual Low Vf Power Schottky Rectifier
11,083 En existencias
1
S/4.75
10
S/2.97
100
S/1.88
500
S/1.47
1,000
S/1.26
6,000
S/1.06
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Schottky Diodes & Rectifiers
Si
Through Hole
Rectificadores y diodos Schottky 20 Amp 15 Volt
STPS20L15G-TR
STMicroelectronics
1:
S/7.67
10,833 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STPS20L15G-TR
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky 20 Amp 15 Volt
10,833 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.67
10
S/4.63
100
S/3.61
500
S/2.87
1,000
S/2.24
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Rectificadores y diodos Schottky 120 V, 20 A 3-lead single Low Leakage Power Schottky rectifier
360°
+4 imágenes
STPS20SM120ST
STMicroelectronics
1:
S/6.19
3,386 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STPS20SM120ST
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky 120 V, 20 A 3-lead single Low Leakage Power Schottky rectifier
3,386 En existencias
1
S/6.19
10
S/2.08
100
S/1.97
500
S/1.83
1,000
Ver
1,000
S/1.69
2,000
S/1.67
5,000
S/1.61
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Schottky Diodes & Rectifiers
Si
Through Hole
TO-220AB-3
Rectificadores y diodos Schottky 8.0 Amp 100 Volt
STPS8H100G-TR
STMicroelectronics
1:
S/2.37
4,798 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STPS8H100G-TR
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky 8.0 Amp 100 Volt
4,798 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.37
10
S/1.86
100
S/1.77
500
S/1.69
1,000
S/1.56
2,000
S/1.49
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A
STS5DNF60L
STMicroelectronics
1:
S/6.50
3,793 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STS5DNF60L
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A
3,793 En existencias
1
S/6.50
10
S/4.13
100
S/2.75
500
S/2.17
2,500
S/1.84
5,000
Ver
1,000
S/1.98
5,000
S/1.59
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20 Volt 6 Amp
STS6NF20V
STMicroelectronics
1:
S/3.70
16,886 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STS6NF20V
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20 Volt 6 Amp
16,886 En existencias
1
S/3.70
10
S/2.30
100
S/1.50
500
S/1.16
2,500
S/0.923
5,000
Ver
1,000
S/1.05
5,000
S/0.81
25,000
S/0.728
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
Rectificadores Ultrafast Recovery 3000V 12pF Diode
STTH30AC06CWL
STMicroelectronics
1:
S/13.62
1,145 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STTH30AC06CWL
STMicroelectronics
Rectificadores Ultrafast Recovery 3000V 12pF Diode
1,145 En existencias
1
S/13.62
10
S/5.33
100
S/4.94
600
S/4.59
1,200
Ver
1,200
S/4.40
10,200
S/4.36
25,200
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Rectifiers
Through Hole
TO-247-3
Rectificadores Recovery Diode Ultra Fast
STTH3R02S
STMicroelectronics
1:
S/2.26
17,060 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STTH3R02S
STMicroelectronics
Rectificadores Recovery Diode Ultra Fast
17,060 En existencias
1
S/2.26
10
S/1.42
100
S/1.05
500
S/0.798
2,500
S/0.471
5,000
Ver
1,000
S/0.712
5,000
S/0.452
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Rectifiers
SMD/SMT
SMC
Rectificadores Recovery Diode Ultra Fast
STTH802B-TR
STMicroelectronics
1:
S/3.00
10,422 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STTH802B-TR
STMicroelectronics
Rectificadores Recovery Diode Ultra Fast
10,422 En existencias
1
S/3.00
10
S/2.07
100
S/1.61
500
S/1.24
1,000
S/1.12
2,500
S/0.79
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Rectifiers
SMD/SMT
D-PAK
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
STU13N60M2
STMicroelectronics
1:
S/8.25
2,414 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STU13N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
2,414 En existencias
1
S/8.25
10
S/3.73
100
S/3.36
500
S/2.82
3,000
S/2.21
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
STU7NM60N
STMicroelectronics
1:
S/11.41
1,749 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STU7NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
1,749 En existencias
1
S/11.41
10
S/4.90
100
S/4.52
500
S/4.09
1,000
Ver
1,000
S/3.53
3,000
S/3.44
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3