Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
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Diodos PIN RF PIN Diode 180V 3W Ceramic MELF Pkg
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
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15,000 Se espera el 28/04/2026
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GaAs
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
CEL CE3520K3
CE3520K3
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551-CE3520K3
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
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RF JFET Transistors
GaAs
Diodos PIN RF PIN Diode 240V 3W Ceramic MELF Pkg
L8104-240
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551-L8104-240
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Diodos PIN RF PIN Diode 240V 3W Ceramic MELF Pkg
No en existencias
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PIN Diodes
Si
SMD/SMT
MELF
Diodos PIN RF PIN Diode 90V 1W Ceramic MELF Pkg
L8107
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No en existencias
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L8107
N.º de artículo de Mouser
551-L8107
CEL
Diodos PIN RF PIN Diode 90V 1W Ceramic MELF Pkg
No en existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
PIN Diodes
Si
SMD/SMT
MELF
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) For NESG270034-AZ
NESG270034-EV09-AZ
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NESG270034-EV09-AZ
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) For NESG270034-AZ
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S/614.04
10
S/575.12
25
S/553.47
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S/544.87
100
Ver
100
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RF Bipolar Transistors
SiGe
SMD/SMT
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
CE3521M4-C2
CEL
15,000:
S/3.33
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551-CE3521M4-C2
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
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Detalles
RF JFET Transistors
GaAs
SMD/SMT
minimold-4
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
CEL NE5550979A-EV04-A
NE5550979A-EV04-A
CEL
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N/A
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551-NE5550979A-EV04A
CEL
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
N/A
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Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
CEL CE7530K2-C1
CE7530K2-C1
CEL
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S/4.52
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
551-CE7530K2-C1
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
No en existencias
Comprar
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
Detalles
RF JFET Transistors
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
CEL CE7531K3-C1
CE7531K3-C1
CEL
10,000:
S/4.52
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
551-CE7531K3-C1
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
No en existencias
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Min.: 10,000
Mult.: 10,000
Detalles
RF JFET Transistors