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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 109

Filtros aplicados:

Fabricante = Advanced Linear Devices

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210808ASCL
Advanced Linear Devices
50: S/22.19
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210808ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210808ASCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/22.19

S/22.15

S/21.06

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Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210808SCL
Advanced Linear Devices
50: S/16.62
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210808SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210808SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/16.62

S/16.58

S/16.23

S/15.26

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210814PCL
Advanced Linear Devices
50: S/19.27
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210814PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210814PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/19.27

S/19.23

S/19.19

S/18.02

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10 V

70 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

1.4 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210814SCL
Advanced Linear Devices
50: S/17.71
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210814SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210814SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/17.71

S/17.67

S/17.44

S/16.39

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10 V

70 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

1.4 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212902SAL
Advanced Linear Devices
50: S/16.15
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212902SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212902SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/16.15

S/16.11

S/15.73

S/14.79

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

180 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212904PAL
Advanced Linear Devices
50: S/17.56
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212904PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212904PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/17.56

S/17.52

S/17.28

S/16.27

S/16.23

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

420 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212904SAL
Advanced Linear Devices
50: S/16.15
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212904SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212904SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/16.15

S/16.11

S/15.73

S/14.79

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

420 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212908APAL
Advanced Linear Devices
50: S/24.87
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212908APAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212908APAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/24.87

S/24.83

S/23.24

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Through Hole

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N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212908ASAL
Advanced Linear Devices
50: S/22.85
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212908ASAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212908ASAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/22.85

S/22.81

S/21.72

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212908PAL
Advanced Linear Devices
50: S/17.56
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212908PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212908PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/17.56

S/17.52

S/17.28

S/16.27

S/16.23

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

780 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212914PAL
Advanced Linear Devices
50: S/21.88
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212914PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212914PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/21.88

S/21.84

S/20.71

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

1.4 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310700APCL
Advanced Linear Devices
50: S/25.46
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310700APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310700APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Hoja de datos

No en existencias

S/25.46

S/23.51

S/21.72

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.1 kOhms

- 8 V, 8 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310700ASCL
Advanced Linear Devices
50: S/25.07
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310700ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310700ASCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/25.07

S/25.03

S/23.47

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.1 kOhms

- 8 V, 8 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310700PCL
Advanced Linear Devices
50: S/22.11
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310700PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310700PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/22.11

S/22.07

S/20.94

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.1 kOhms

- 8 V, 8 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310702APCL
Advanced Linear Devices
50: S/29.86
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310702APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310702APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/29.86

S/29.82

S/28.42

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.14 kOhms

- 8 V, 8 V

180 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310702PCL
Advanced Linear Devices
50: S/22.11
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310702PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310702PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/22.11

S/22.07

S/20.94

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.14 kOhms

- 8 V, 8 V

180 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310702SCL
Advanced Linear Devices
50: S/20.05
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310702SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310702SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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Hoja de datos

No en existencias

S/20.05

S/20.01

S/19.97

S/18.80

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.14 kOhms

- 8 V, 8 V

180 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310704APCL
Advanced Linear Devices
50: S/29.86
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310704APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310704APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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Hoja de datos

No en existencias

S/29.86

S/29.82

S/28.42

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

DIP-16

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310704ASCL
Advanced Linear Devices
50: S/25.07
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310704ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310704ASCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/25.07

S/25.03

S/23.47

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

SOIC-16

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310704PCL
Advanced Linear Devices
50: S/25.92
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310704PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310704PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/25.92

S/25.89

S/24.33

Min.: 50
Mult.: 50

DIP-16

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310704SCL
Advanced Linear Devices
50: S/20.05
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310704SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310704SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/20.05

S/20.01

S/19.97

S/18.80

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

SOIC-16

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310708APCL
Advanced Linear Devices
50: S/29.86
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310708APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310708APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/29.86

S/29.82

S/28.42

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

DIP-16

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310708ASCL
Advanced Linear Devices
50: S/25.07
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310708ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310708ASCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/25.07

S/25.03

S/23.47

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

SOIC-16

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310708PCL
Advanced Linear Devices
50: S/25.92
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310708PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310708PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/25.92

S/25.89

S/24.33

Min.: 50
Mult.: 50

DIP-16

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310708SAL
Advanced Linear Devices
1: S/14.60
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310708SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310708SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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Hoja de datos

No en existencias

S/14.60

S/9.54

S/7.43

S/6.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
400 mV
420 mV
780 mV
820 mV
1.4 V
1.62 V
1.72 V
1.82 V
1.92 V
2.02 V
2.12 V
2.22 V
2.28 V
2.32 V
2.42 V
2.52 V