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XP Serie Semiconductores

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N.° de pieza

Herramientas de desarrollo para temporizador y reloj XP-EVK ProXO EVK for Ceramic Package

XP-EVK
Renesas Electronics
1: S/997.69
4En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP-EVK

N.º de artículo de Mouser
972-XP-EVK

Renesas Electronics

Herramientas de desarrollo para temporizador y reloj XP-EVK ProXO EVK for Ceramic Package

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4En existencias

S/997.69

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X

XP10N3R5XT
YAGEO XSemi
1: S/7.36
2,995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10N3R5XT

N.º de artículo de Mouser
603-XP10N3R5XT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X

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2,995En existencias

Cinta cortada

S/7.36

S/4.71

S/3.16

S/2.50

S/2.38

Envase tipo carrete

S/2.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-251

XP10NA011J
YAGEO XSemi
1: S/4.59
6,732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA011J

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA011J

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-251

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6,732En existencias

S/4.59

S/1.97

S/1.58

S/1.35

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL

XP10NA1R5TL
YAGEO XSemi
1: S/19.62
1,890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA1R5TL

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA1R5TL

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL

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S/19.62

S/13.04

S/9.30

S/8.84

S/8.25

Envase tipo carrete

S/8.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P

XP3832CMT
YAGEO XSemi
1: S/7.24
2,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3832CMT

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603-XP3832CMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P

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Cinta cortada

S/7.24

S/4.63

S/3.11

S/2.46

S/2.27

Envase tipo carrete

S/2.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6

XP3N1R0MT
YAGEO XSemi
1: S/7.16
2,970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3N1R0MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N1R0MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6

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2,970En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.06

S/2.42

S/2.29

Envase tipo carrete

S/2.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 49A PMPAK-5x6

XP4NA1R4CMT-A
YAGEO XSemi
1: S/6.93
2,999En existencias

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XP4NA1R4CMT-A

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603-XP4NA1R4CMT-A

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 49A PMPAK-5x6

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S/6.93

S/4.44

S/2.96

S/2.34

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 58A PMPAK-5x6

XP4NAR95CMT-A
YAGEO XSemi
1: S/8.68
2,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4NAR95CMT-A

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603-XP4NAR95CMT-A

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 58A PMPAK-5x6

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Cinta cortada

S/8.68

S/5.61

S/3.79

S/3.02

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 13. 3A TO-252

XP60SA290DH
YAGEO XSemi
1: S/8.64
2,846En existencias

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XP60SA290DH

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603-XP60SA290DH

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 13. 3A TO-252

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S/8.64

S/5.57

S/3.77

S/3.01

S/2.95

Envase tipo carrete

S/2.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 28A TO-262

XP60SL115DR
YAGEO XSemi
1: S/17.36
999En existencias

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XP60SL115DR

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603-XP60SL115DR

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 28A TO-262

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999En existencias

S/17.36

S/8.95

S/8.10

S/7.01

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252

XP65SL380DH
YAGEO XSemi
1: S/8.68
3,000En existencias

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XP65SL380DH

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603-XP65SL380DH

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252

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S/8.68

S/5.61

S/3.79

S/3.02

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X

XP6NA1R4CXT
YAGEO XSemi
1: S/11.37
2,960En existencias

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XP6NA1R4CXT

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603-XP6NA1R4CXT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X

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S/11.37

S/7.36

S/5.10

S/4.20

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6

XP6NA1R7CMT
YAGEO XSemi
1: S/9.54
2,995En existencias

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XP6NA1R7CMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA1R7CMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6

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S/9.54

S/6.15

S/4.20

S/3.35

S/3.21

Envase tipo carrete

S/3.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252

XP6NA3R0H
YAGEO XSemi
1: S/7.01
2,982En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA3R0H

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA3R0H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252

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Cinta cortada

S/7.01

S/4.48

S/2.99

S/2.36

S/2.22

Envase tipo carrete

S/2.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL

XP8NA1R2TL
YAGEO XSemi
1: S/19.46
1,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP8NA1R2TL

N.º de artículo de Mouser
603-XP8NA1R2TL

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL

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1,997En existencias

Cinta cortada

S/19.46

S/12.92

S/9.23

S/8.76

S/8.17

Envase tipo carrete

S/8.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X

XP8NA2R2CXT
YAGEO XSemi
1: S/9.96
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP8NA2R2CXT

N.º de artículo de Mouser
603-XP8NA2R2CXT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X

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3,000En existencias

Cinta cortada

S/9.96

S/6.42

S/4.40

S/3.53

S/3.41

Envase tipo carrete

S/3.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1

XP10C150M
YAGEO XSemi
1: S/3.19
2,958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10C150M

N.º de artículo de Mouser
603-XP10C150M

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1

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2,958En existencias

Cinta cortada

S/3.19

S/1.98

S/1.28

S/0.981

Envase tipo carrete

S/0.751

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T

XP10N3R8IT
YAGEO XSemi
1: S/9.61
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10N3R8IT

N.º de artículo de Mouser
603-XP10N3R8IT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T

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1,000En existencias

S/9.61

S/4.71

S/4.20

S/3.38

S/3.12

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220

XP10N3R8P
YAGEO XSemi
1: S/9.30
1,758En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10N3R8P

N.º de artículo de Mouser
603-XP10N3R8P

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220

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1,758En existencias

S/9.30

S/4.55

S/3.72

S/3.24

S/2.98

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252

XP10NA011H
YAGEO XSemi
1: S/4.75
2,952En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA011H

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA011H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252

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Cinta cortada

S/4.75

S/2.98

S/1.96

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.20

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T

XP10NA8R4IT
YAGEO XSemi
1: S/6.23
967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA8R4IT

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA8R4IT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T

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967En existencias

S/6.23

S/2.89

S/2.31

S/1.98

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3

XP10TN028YT
YAGEO XSemi
1: S/3.58
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10TN028YT

N.º de artículo de Mouser
603-XP10TN028YT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3

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S/3.58

S/2.23

S/1.45

S/1.12

Envase tipo carrete

S/0.872

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 8.1 A TO-252

XP10TN135H
YAGEO XSemi
1: S/2.34
2,925En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10TN135H

N.º de artículo de Mouser
603-XP10TN135H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 8.1 A TO-252

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2,925En existencias

Cinta cortada

S/2.34

S/1.45

S/0.93

S/0.705

Envase tipo carrete

S/0.506

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 3A SOT-223

XP10TN135K
YAGEO XSemi
1: S/1.95
2,845En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10TN135K

N.º de artículo de Mouser
603-XP10TN135K

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 3A SOT-223

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2,845En existencias

Cinta cortada

S/1.95

S/1.19

S/0.767

S/0.568

Envase tipo carrete

S/0.401

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 6.3 A PMPAK-5x6

XP1504MT
YAGEO XSemi
1: S/3.46
2,995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP1504MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP1504MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 6.3 A PMPAK-5x6

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2,995En existencias

Cinta cortada

S/3.46

S/2.16

S/1.41

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.833

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

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