Rectificadores y diodos Schottky 10A, 100V, Automotive Trench Schottky
TSAD10H100H
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Rectificadores y diodos Schottky 10A, 100V, Automotive Trench Schottky
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Rectificadores y diodos Schottky 20A, 120V, Automotive Trench Schottky
TSAD20H120H
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Rectificadores y diodos Schottky 20A, 120V, Automotive Trench Schottky
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Rectificadores y diodos Schottky 10A, 45V, Automotive Trench Schottky
TSAD10M45CH
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Rectificadores y diodos Schottky 10A, 45V, Automotive Trench Schottky
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPD30N06S2L23ATMA3
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
IPB120N10S405ATMA1
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IAUTN06S5N008GATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
1,589 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ40S04M3L,LXHQ
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
46,180 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
25,771 En existencias
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S/11.17
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S/3.27
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
301,476 En existencias
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S/3.39
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S/0.701
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S/0.677
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
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SQ4184EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
29,774 En existencias
1
S/10.04
10
S/4.90
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S/3.44
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S/3.06
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ4483EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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47,007 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ4483EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
47,007 En existencias
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1
S/9.38
10
S/4.59
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S/3.27
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S/2.90
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S/3.18
5,000
S/2.79
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/8.64
71,040 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
71,040 En existencias
1
S/8.64
10
S/5.49
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S/3.70
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S/3.00
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S/2.42
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
SQJ407EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/8.33
47,339 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ407EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
47,339 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.33
10
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S/2.90
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S/2.42
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/7.71
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N.º de artículo de Mouser 78-SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
28,792 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.71
10
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S/2.61
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9,000
S/2.11
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/5.61
44,746 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
44,746 En existencias
1
S/5.61
10
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S/1.39
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S/1.36
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S/1.22
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
SQJ464EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/6.38
76,016 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ464EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
76,016 En existencias
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1
S/6.38
10
S/3.02
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S/2.69
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S/2.11
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S/1.69
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9,000
S/1.67
24,000
S/1.64
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
AUIRF7769L2TR
Infineon Technologies
1:
S/43.21
4,570 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-AUIRF7769L2TR
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
4,570 En existencias
1
S/43.21
10
S/24.41
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S/23.20
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S/22.11
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :4,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/17.28
40,781 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
40,781 En existencias
1
S/17.28
10
S/8.84
100
S/8.02
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S/6.81
1,000
S/6.11
2,000
S/5.53
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/4.16
143,220 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
143,220 En existencias
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1
S/4.16
10
S/2.79
100
S/1.74
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S/1.26
1,000
S/1.18
3,000
S/1.00
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/4.83
306,379 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
306,379 En existencias
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1
S/4.83
10
S/2.25
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S/2.00
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S/1.55
3,000
S/1.22
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Ver
1,000
S/1.53
6,000
S/1.19
9,000
S/1.12
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Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
SQJ410EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/13.55
25,494 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ410EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
25,494 En existencias
1
S/13.55
10
S/8.80
100
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S/5.06
1,000
S/4.94
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S/4.40
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SQJQ410EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/16.74
10,758 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJQ410EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
10,758 En existencias
1
S/16.74
10
S/8.52
100
S/7.75
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S/6.50
2,000
S/6.07
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/14.05
40,493 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
40,493 En existencias
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S/14.05
10
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S/6.38
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S/5.22
1,000
S/5.14
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S/4.87
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Perú
