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MDmesh Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STW58N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/40.79
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STW58N60DM2AG

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511-STW58N60DM2AG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD4N90K5
STMicroelectronics
1: S/8.14
3,569En existencias

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STD4N90K5

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511-STD4N90K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

STF11NM80
STMicroelectronics
1: S/26.78
920En existencias

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STF11NM80

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511-STF11NM80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet

STF15NM65N
STMicroelectronics
1: S/21.29
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STF15NM65N

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511-STF15NM65N

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package

STF23N80K5
STMicroelectronics
1: S/23.63
811En existencias

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STF23N80K5

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511-STF23N80K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF3LN80K5
STMicroelectronics
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3,187En existencias

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STF3LN80K5

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511-STF3LN80K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF40N65M2
STMicroelectronics
1: S/15.10
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STF40N65M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

STP30N65M5
STMicroelectronics
1: S/28.77
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STP30N65M5

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S/14.67

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

STP33N60DM2
STMicroelectronics
1: S/13.74
1,426En existencias

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STP33N60DM2

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511-STP33N60DM2

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S/8.56

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag

STP45N60DM6
STMicroelectronics
1: S/27.25
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STP45N60DM6

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511-STP45N60DM6

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S/20.12

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STU13N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.25
2,414En existencias

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STU13N60M2

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511-STU13N60M2

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S/3.73

S/3.36

S/2.82

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh

STU7NM60N
STMicroelectronics
1: S/11.41
1,749En existencias

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STU7NM60N

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511-STU7NM60N

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S/4.90

S/4.52

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW12N170K5
STMicroelectronics
1: S/41.30
1,113En existencias

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STW12N170K5

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511-STW12N170K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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S/41.30

S/28.80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh

STW77N65M5
STMicroelectronics
1: S/63.25
511En existencias

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STW77N65M5

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511-STW77N65M5

STMicroelectronics

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S/63.25

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S/33.71

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

STB12N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/13.12
227En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB12N60DM2AG

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511-STB12N60DM2AG

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S/8.52

S/6.54

S/5.45

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S/4.44

S/4.40

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

STU6N65M2
STMicroelectronics
1: S/6.07
45En existencias

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STU6N65M2

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511-STU6N65M2

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S/2.98

S/2.46

S/2.04

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP16N65M2
STMicroelectronics
1: S/11.02
251En existencias
1,000Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP16N65M2

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511-STP16N65M2

STMicroelectronics

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S/11.02

S/7.08

S/5.06

S/4.24

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack

STF18N60DM2
STMicroelectronics
1: S/11.99
371En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF18N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF18N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack

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S/11.99

S/7.75

S/5.68

S/4.75

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

STB10N60M2
STMicroelectronics
1: S/9.46
1,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB10N60M2

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511-STB10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

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Cinta cortada

S/9.46

S/6.11

S/4.16

S/3.38

Envase tipo carrete

S/2.84

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD18N60M6
STMicroelectronics
1: S/8.64
1,632En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD18N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STD18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

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S/8.64

S/5.53

S/3.81

S/3.05

Envase tipo carrete

S/2.37

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Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

STD3NM60N
STMicroelectronics
1: S/6.81
2,222En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

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S/6.81

S/4.32

S/2.90

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STD6N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.75
2,265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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S/7.75

S/4.94

S/3.35

S/2.84

Envase tipo carrete

S/2.14

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Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF26N60M2
STMicroelectronics
1: S/13.27
981En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF26N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF26N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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S/13.27

S/6.70

S/6.03

S/4.90

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5

STI20N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.99
958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI20N65M5

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511-STI20N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5

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S/14.99

S/7.24

S/5.96

S/5.41

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL13N60M6
STMicroelectronics
1: S/10.12
2,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL13N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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S/10.12

S/6.46

S/4.40

S/3.60

Envase tipo carrete

S/2.83

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