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STP33N60DM2

Name: STMicroelectronics STP33N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP33N60DM2
Price: 13.74 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STP33N60DM2

Fabricante N.º:

STP33N60DM2

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

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	S/13.74	S/13.74
	S/9.23	S/92.30
	S/8.56	S/856.00
	S/7.43	S/3,715.00
	S/6.89	S/6,890.00
	S/6.85	S/13,700.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	24 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	130 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	43 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	190 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Serie:	STP33N60DM2
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	62 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns
Peso de la unidad:	2 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Q_rr, t_rr) and shows 20% lower R_DS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.