Semiconductores – Mouser Perú

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USB-C Chargers & Adapters

Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2

IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.86
4,456En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD053N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2

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S/7.86

S/4.98

S/3.36

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S/2.14

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.50
1,481En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/9.50

S/6.11

S/4.20

S/3.34

S/3.20

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S/2.76

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
3,494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/8.02

S/5.14

S/3.50

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.61
Plazo de entrega 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/5.61

S/3.74

S/2.55

S/2.02

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.81
3,156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

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S/6.81

S/4.32

S/2.89

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S/1.91

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.52
9,180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

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S/4.52

S/2.85

S/1.88

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R450P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.65
4,161En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R450P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R450P7ATMA1

Infineon Technologies

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S/4.20

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S/2.86

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
4,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R750P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R750P7ATMA1

Infineon Technologies

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S/9.23

S/5.88

S/4.09

S/3.46

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S/2.67

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.36
7,565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R125P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1

Infineon Technologies

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S/9.42

S/6.62

S/5.80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/10.90
2,450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185P7AUMA1

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S/5.02

S/4.20

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S/3.43

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.31
5,772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN95R1K2P7ATMA1

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726-IPN95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

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S/6.31

S/4.01

S/2.68

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S/1.77

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN95R3K7P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.52
29,400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN95R3K7P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

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S/4.52

S/2.84

S/1.87

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S/1.20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.27
947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/16.27

S/8.37

S/7.59

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.55
5,764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/10.55

S/5.02

S/4.67

S/3.80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8

IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.19
3,050En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT012N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8

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S/22.19

S/14.83

S/10.67

S/10.43

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S/8.49

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.50
1,067En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/16.50

S/8.45

S/8.33

S/8.29

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Interfaz IC USB USB Type-C Port Controller

CYPD3175-24LQXQ
Infineon Technologies
1: S/7.82
2,929En existencias
4,900Se espera el 12/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
CYPD3175-24LQXQ

N.º de artículo de Mouser
727-CYPD3175-24LQXQ

Infineon Technologies

Interfaz IC USB USB Type-C Port Controller

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2,929En existencias

4,900Se espera el 12/03/2026

S/7.82

S/5.80

S/5.29

S/4.71

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC014N06NSTATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.73
2,333En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC014N06NSTATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N06NSTATM1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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2,333En existencias

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S/12.73

S/10.08

S/7.82

S/7.16

Envase tipo carrete

S/5.80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0589NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.13
779En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0589NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0589NSATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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779En existencias

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S/4.13

S/2.55

S/1.95

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.17

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Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.33
2,204En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN95R2K0P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R2K0P7ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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2,204En existencias

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S/5.33

S/3.35

S/2.22

S/1.74

S/1.58

Envase tipo carrete

S/1.21

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R1K4P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/5.41
1,334En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R1K4P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R1K4P7AKMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Hoja de datos

1,334En existencias

S/5.41

S/5.18

S/4.32

S/3.86

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R3K7P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/5.33
2,153En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPU95R3K7P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU95R3K7P7AKMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

2,153En existencias

S/5.33

S/3.37

S/2.23

S/1.83

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

BSC096N10LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.54
551En existencias
10,000Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC096N10LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC096N10LS5ATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

551En existencias

10,000Se espera el 23/02/2026

Cinta cortada

S/6.54

S/4.98

S/4.05

S/3.79

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Envase tipo carrete

S/2.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

IPA040N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.82
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA040N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA040N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

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500En existencias

S/10.82

S/5.25

S/4.87

S/3.78

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

IPA060N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.46
249En existencias
500Se espera el 23/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA060N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA060N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

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249En existencias

500Se espera el 23/04/2026

S/9.46

S/4.71

S/4.24

S/3.44

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Mult.: 1

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