Semiconductores – Mouser Perú

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USB-C Chargers & Adapters

Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.03
9,978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0502NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0502NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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S/6.03

S/3.84

S/2.56

S/2.02

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S/1.46

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0503NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.87
9,366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0503NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0503NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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S/4.87

S/3.07

S/2.03

S/1.61

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S/1.14

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.60
6,045En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT200N08S5N023ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT200N08S5N023

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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S/14.60

S/9.73

S/7.47

S/6.77

S/6.73

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S/5.49

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.14
4,458En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/8.14

S/5.22

S/3.52

S/2.80

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S/2.25

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/10.08
1,722En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R285P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R285P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/10.08

S/5.64

S/4.52

S/3.62

S/3.34

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S/2.95

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC034N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.00
13,563En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC034N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC034N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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S/10.00

S/6.46

S/4.44

S/3.55

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S/2.89

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE006NE2LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.63
14,065En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE006NE2LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE006NE2LM5ATM1

Infineon Technologies

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S/10.63

S/6.85

S/4.71

S/3.25

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S/3.25

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.98
4,735En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0500NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0500NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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S/7.98

S/5.10

S/3.45

S/2.74

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S/2.11

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/5.49
4,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R600P7SXKS

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S/5.49

S/2.44

S/1.84

S/1.35

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/1.83
6,275En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R600P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R600P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/1.69

S/1.30

S/1.14

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S/0.938

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.11
19,852En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R900P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R900P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/3.11

S/2.11

S/1.50

S/1.15

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S/0.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.66
5,852En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R900P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/6.66

S/4.24

S/2.83

S/2.23

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S/1.71

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPI051N15N5AKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.29
454En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPI051N15N5AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPI051N15N5AKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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454En existencias

S/27.29

S/19.97

S/16.15

S/11.09

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.01
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS200N08S5N023ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS200N08S5N023

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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S/17.01

S/11.33

S/8.02

S/7.43

S/6.62

Envase tipo carrete

S/5.99

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R450P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.09
3,335En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R450P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R450P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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3,335En existencias

Cinta cortada

S/11.09

S/7.20

S/4.98

S/4.09

S/3.76

Envase tipo carrete

S/3.32

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ011NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.93
7,992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ011NE2LS5IATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ011NE2LS5IATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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7,992En existencias

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S/6.93

S/5.64

S/4.90

S/4.20

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Envase tipo carrete

S/3.34

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ084N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.72
10,772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ084N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ084N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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10,772En existencias

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S/5.72

S/3.97

S/3.14

S/2.71

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Envase tipo carrete

S/2.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.91
6,984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT150N10S5N035ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT150N10S5N035

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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6,984En existencias

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S/14.91

S/9.77

S/6.85

S/6.11

S/5.49

Envase tipo carrete

S/4.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.93
6,472En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R750P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R750P7ATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Hoja de datos

6,472En existencias

Cinta cortada

S/6.93

S/4.67

S/3.13

S/2.57

Envase tipo carrete

S/1.89

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD134B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/0.701
42,769En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ESD134B1W0201E6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ESD134B1W0201E63

Infineon Technologies

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

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42,769En existencias

Cinta cortada

S/0.701

S/0.343

S/0.179

S/0.175

Envase tipo carrete

S/0.144

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 15,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.54
3,847En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ009NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ009NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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3,847En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/5.33

S/4.63

S/3.93

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Envase tipo carrete

S/3.11

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.72
2,520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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2,520En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/3.61

S/2.40

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.48

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice

IPD80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.24
3,529En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R3K3P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice

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3,529En existencias

Cinta cortada

S/4.24

S/2.67

S/1.74

S/1.35

Envase tipo carrete

S/1.03

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT012N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.96
1,146En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT012N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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1,146En existencias

Cinta cortada

S/18.96

S/12.57

S/8.95

S/8.45

S/7.63

Envase tipo carrete

S/6.85

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R450P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.11
921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R450P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R450P7XKSA1

Infineon Technologies

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921En existencias

S/12.11

S/6.07

S/5.49

S/4.48

S/3.89

Min.: 1
Mult.: 1

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