Semiconductores – Mouser Perú

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USB-C Chargers & Adapters

Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3

IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.29
526En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPI029N06NAKSA1

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726-IPI029N06NAKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/22.58
52En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R065P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/22.58

S/17.05

S/13.82

S/12.26

S/10.51

Envase tipo carrete

S/10.51

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
4,741En existencias

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IPN60R600P7SATMA1

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726-IPN60R600P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/4.09

S/2.55

S/1.66

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.28
3,298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R600P7SATMA1

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726-IPN70R600P7SATMA

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S/4.28

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.24
3,693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R2K4P7ATMA1

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726-IPN80R2K4P7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.56
648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R120P7XKSA1

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S/11.56

S/7.16

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S/5.25

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
598En existencias

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IPP60R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R280P7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
3,000En existencias

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IPU80R4K5P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R4K5P7AKMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R750P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
516En existencias

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IPU95R750P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU95R750P7AKMA1

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S/5.88

S/4.09

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/46.87
22En existencias

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IPW60R024P7XKSA1

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726-IPW60R024P7XKSA1

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S/46.87

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S/23.90

S/22.81

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.86
197En existencias
240En pedido

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IPW60R120P7XKSA1

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726-IPW60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

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197En existencias

240En pedido

S/10.86

S/10.63

S/9.11

S/7.86

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/39.16
130En existencias
240Se espera el 21/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R037P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R037P7XKSA

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130En existencias

240Se espera el 21/05/2026

S/39.16

S/38.26

S/22.27

S/19.77

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.59
174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R080P7XKSA

Infineon Technologies

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S/23.59

S/14.13

S/11.79

S/10.20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.63
1,494En existencias
NRND

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IPN80R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R600P7ATMA1

NRND

Infineon Technologies

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S/7.63

S/4.87

S/3.38

S/2.86

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S/2.21

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.73
328En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R280P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/12.73

S/6.85

S/5.02

S/4.52

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/4.24
538En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP80R900P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R900P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Hoja de datos

538En existencias

S/4.24

S/3.89

S/3.56

S/2.90

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPS70R600P7SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/4.59
196En existencias
4,500Se espera el 23/07/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPS70R600P7SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPS70R600P7AKMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

196En existencias

4,500Se espera el 23/07/2026

S/4.59

S/2.88

S/1.90

S/1.46

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPW80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.79
231En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW80R280P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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231En existencias

S/14.79

S/8.14

S/6.66

S/5.14

S/5.10

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSZ039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.94
1,711En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
BSZ039N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ039N06NSATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Hoja de datos

1,711En existencias

Cinta cortada

S/4.94

S/4.05

S/3.49

S/3.41

Envase tipo carrete

S/2.59

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Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

IPB024N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.94
18,252En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB024N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB024N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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18,252En pedido

Cinta cortada

S/17.94

S/11.87

S/8.95

S/7.86

Envase tipo carrete

S/7.01

S/6.38

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.27
37,680En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

37,680En pedido

S/13.27

S/7.24

S/5.92

S/4.55

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB017N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.23
930Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

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Hoja de datos

930Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/22.23

S/16.00

S/12.61

S/12.57

Envase tipo carrete

S/10.63

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD150B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/0.467
134,990Se espera el 16/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
ESD150B1W0201E6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-D150B1W0201E6327

Infineon Technologies

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

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Hoja de datos

134,990Se espera el 16/04/2026

Cinta cortada

S/0.467

S/0.331

S/0.144

S/0.136

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Envase tipo carrete

S/0.082

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 15,000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD131B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.01
112,685En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ESD131B1W0201E6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ESD131B1W0201E63

Infineon Technologies

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

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Hoja de datos

112,685En pedido

Cinta cortada

S/1.01

S/0.611

S/0.381

S/0.28

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Envase tipo carrete

S/0.163

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 15,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC28N08S5L230ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.90
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUC28N08S5L230ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC28N08S5L230A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

10,000En pedido

Cinta cortada

S/4.90

S/3.09

S/2.03

S/1.61

Ver

Envase tipo carrete

S/1.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

USB-C Chargers & Adapters

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