Semiconductores – Mouser Perú

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE

IDW30G120C5BFKSA1
Infineon Technologies
1: S/46.67
2,027En existencias
1,200Se espera el 30/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IDW30G120C5BFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IDW30G120C5BFKSA

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE

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2,027En existencias

1,200Se espera el 30/04/2026

S/46.67

S/28.06

S/26.00

Min.: 1
Mult.: 1

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

IDW40G65C5BXKSA2
Infineon Technologies
1: S/51.19
187En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IDW40G65C5BXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IDW40G65C5BXKSA2

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

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187En existencias

S/51.19

S/31.76

S/30.13

Min.: 1
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Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE

IDWD10G120C5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.91
1,718En existencias
1,680Se espera el 12/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IDWD10G120C5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IDWD10G120C5XKSA

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE

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1,718En existencias

1,680Se espera el 12/03/2026

S/17.91

S/11.99

S/11.79

S/10.16

S/9.26

Min.: 1
Mult.: 1

Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE

IDWD20G120C5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.40
425En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IDWD20G120C5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IDWD20G120C5XKSA

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE

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425En existencias

S/30.40

S/18.65

S/15.80

Min.: 1
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Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE

IDWD30G120C5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/49.36
1,079En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IDWD30G120C5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IDWD30G120C5XKSA

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE

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1,079En existencias

S/49.36

S/30.32

S/25.96

S/25.42

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/50.49
222En existencias
720Se espera el 23/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R027M1HXKSA1

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726-IMZA65R027M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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222En existencias

720Se espera el 23/07/2026

S/50.49

S/30.63

S/29.93

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.54
302En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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302En existencias

S/35.54

S/20.90

S/18.92

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.77
726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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726En existencias

S/19.77

S/11.13

S/10.16

S/9.50

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.09
1,594En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,594En existencias

S/14.09

S/7.16

S/6.50

S/6.31

S/5.53

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.67
4,057En existencias
1,500Se espera el 16/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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4,057En existencias

1,500Se espera el 16/07/2026

S/7.67

S/4.05

S/3.24

S/2.65

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.11
3,296En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R360P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/6.11

S/2.91

S/2.42

S/1.97

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/5.22
15,546En existencias
60,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R600P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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15,546En existencias

60,000En pedido

S/5.22

S/2.44

S/2.09

S/1.75

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R040CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/31.68
760En existencias
2,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R040CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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760En existencias

2,000Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/31.68

S/21.88

S/17.05

S/16.58

Envase tipo carrete

S/15.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.51
1,073En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R045P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R045P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,073En existencias

Cinta cortada

S/26.51

S/18.88

S/15.26

S/13.58

Envase tipo carrete

S/11.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.73
828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R115CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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828En existencias

Cinta cortada

S/19.73

S/13.39

S/10.59

S/9.42

Envase tipo carrete

S/8.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.57
4,315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R145CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R145CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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4,315En existencias

Cinta cortada

S/12.57

S/8.41

S/6.03

S/5.18

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R210PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.95
3,214En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R210PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R210PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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3,214En existencias

Cinta cortada

S/8.95

S/5.72

S/3.88

S/3.10

S/2.92

Envase tipo carrete

S/2.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
3,494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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3,494En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/5.14

S/3.50

S/2.97

S/2.58

Envase tipo carrete

S/2.36

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.66
3,156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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3,156En existencias

Cinta cortada

S/6.66

S/4.24

S/2.84

S/2.24

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.59
9,180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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9,180En existencias

Cinta cortada

S/4.59

S/2.85

S/1.88

S/1.47

Envase tipo carrete

S/1.14

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R450P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.42
4,151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R450P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R450P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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4,151En existencias

Cinta cortada

S/9.42

S/6.07

S/4.16

S/3.32

S/3.16

Envase tipo carrete

S/3.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.76
4,790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R750P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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4,790En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/5.64

S/3.83

S/3.06

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.76

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R060CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/26.35
1,029En existencias
3,000Se espera el 26/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R060CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R060CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,029En existencias

3,000Se espera el 26/03/2026

Cinta cortada

S/26.35

S/17.79

S/13.12

S/12.42

Envase tipo carrete

S/12.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/20.82
1,784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R075CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R075CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,784En existencias

Cinta cortada

S/20.82

S/15.06

S/10.86

S/10.63

S/10.08

Envase tipo carrete

S/9.93

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.36
7,555En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R125P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

7,555En existencias

Cinta cortada

S/14.36

S/9.42

S/6.62

S/5.80

S/5.57

Envase tipo carrete

S/5.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

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