Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Resultados: 452

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

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onsemi
1: S/7.36
3,215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C682NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C682NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

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3,215En existencias

Cinta cortada

S/7.36

S/4.79

S/3.23

S/2.56

Envase tipo carrete

S/2.20

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5 nC

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+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04CL
onsemi
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3,648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC0D9N04CL

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC0D9N04CL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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Hoja de datos

3,648En existencias

Cinta cortada

S/22.65

S/15.61

S/11.76

S/11.72

S/11.56

Envase tipo carrete

S/9.54

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

316 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFWD020N06CT1G
onsemi
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFWD020N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWD020N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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1,500En existencias

Cinta cortada

S/11.83

S/7.71

S/5.33

S/4.48

S/3.81

Envase tipo carrete

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SO-8FL-Dual-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFWD024N06CT1G
onsemi
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1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWD024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWD024N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Cinta cortada

S/11.52

S/7.51

S/5.18

S/4.32

S/3.70

Envase tipo carrete

S/3.51

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SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFWD030N06CT1G
onsemi
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1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWD030N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWD030N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Cinta cortada

S/11.05

S/7.16

S/4.94

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.47

Ver

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SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH

NVMTS0D4N04CLTXG
onsemi
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1,705En existencias
6,000Se espera el 30/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS0D4N04CLTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS0D4N04CLTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH

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1,705En existencias

6,000Se espera el 30/03/2026

Cinta cortada

S/43.36

S/30.24

S/25.50

S/24.87

Envase tipo carrete

S/20.79

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

40 V

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- 20 V, 20 V

2.5 V

341 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION

NVMTS0D6N04CTXG
onsemi
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429En existencias
3,000Se espera el 1/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS0D6N04CTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS0D6N04CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION

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429En existencias

3,000Se espera el 1/01/2027

Cinta cortada

S/36.28

S/25.11

S/20.28

S/20.24

S/20.12

Envase tipo carrete

S/16.54

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SMD/SMT

Power88-8

N-Channel

1 Channel

40 V

533 A

480 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

187 nC

- 55 C

+ 175 C

245 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

NVMYS8D0N04CTWG
onsemi
1: S/1.83
11,812En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS8D0N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS8D0N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

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11,812En existencias

Cinta cortada

S/1.83

S/1.78

S/1.66

Envase tipo carrete

S/1.61

S/1.45

Ver

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

49 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH

NVTFS4C05NWFTAG
onsemi
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2,418En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C05NWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C05NWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH

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Cinta cortada

S/8.72

S/6.27

S/4.40

S/3.55

Envase tipo carrete

S/3.19

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

102 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

NVTFS5C454NLWFTAG
onsemi
1: S/8.68
3,267En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C454NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C454NLWFTA

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

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Cinta cortada

S/8.68

S/5.53

S/3.89

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

85 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

NVTFS5C478NLTAG
onsemi
1: S/6.07
8,979En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C478NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C478NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

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8,979En existencias

Cinta cortada

S/6.07

S/3.85

S/2.57

S/2.02

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

26 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

3.8 nC

- 55 C

+ 175 C

20 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL

NVTFS5C680NLTAG
onsemi
1: S/5.37
15,280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C680NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C680NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL

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15,280En existencias

Cinta cortada

S/5.37

S/3.34

S/2.22

S/1.75

Envase tipo carrete

S/1.42

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

20 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

6 nC

- 55 C

+ 175 C

20 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C426NAFT1G-YE
onsemi
1: S/9.15
1,148En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C426NAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C426NAFT1GYE

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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Hoja de datos

1,148En existencias

Cinta cortada

S/9.15

S/5.84

S/4.05

S/3.44

Envase tipo carrete

S/2.65

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

235 A

1.3 mOhms

20 V

3.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

128 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C430NAFT1G-YE
onsemi
1: S/8.02
1,350En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C430NAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C430NAFT1GYE

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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Hoja de datos

1,350En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/5.06

S/3.39

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.24

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

185 A

1.7 mOhms

20 V

3.5 V

47 nC

- 55 C

+ 175 C

106 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C466NLWFT1G
onsemi
1: S/11.76
1,780En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C466NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C466NLWFT

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

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Hoja de datos

1,780En existencias

Cinta cortada

S/11.76

S/8.10

S/5.88

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.28

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

52 A

6.2 mOhms, 6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO

NVMFS4C01NT1G
onsemi
1: S/21.64
598En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C01NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS4C01NT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO

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Hoja de datos

598En existencias

Cinta cortada

S/21.64

S/14.48

S/10.78

S/10.59

S/10.00

Envase tipo carrete

S/8.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

30 V

370 A

560 uOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

139 nC

- 55 C

+ 175 C

161 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

NVMFS4C03NWFT1G
onsemi
1: S/8.14
504En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C03NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS4C03NWFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

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Hoja de datos

504En existencias

Cinta cortada

S/8.14

S/6.58

S/4.83

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

30 V

159 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

45.2 nC

- 55 C

+ 175 C

77 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NET1G
onsemi
1: S/10.63
1,347En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NET1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

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Hoja de datos

1,347En existencias

Cinta cortada

S/10.63

S/6.85

S/4.71

S/3.83

Envase tipo carrete

S/3.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

268 A

1.1 mOhms

20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C426NET1G
onsemi
1: S/7.71
1,323En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C426NET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C426NET1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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Hoja de datos

1,323En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.90

S/3.32

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

235 A

1.3 mOhms

20 V

3.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

128 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C456NWFT1G
onsemi
1: S/10.47
1,265En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C456NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C456NWFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN

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Hoja de datos

1,265En existencias

Cinta cortada

S/10.47

S/7.01

S/4.87

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.41

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C628NLAFT1G
onsemi
1: S/13.70
698En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NLFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

Obtenga más información

Hoja de datos

698En existencias

Cinta cortada

S/13.70

S/9.54

S/6.89

S/6.11

S/5.84

Envase tipo carrete

S/4.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

NVMJS1D0N04CTWG
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S/12.77

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S/6.23

S/5.41

S/5.37

Envase tipo carrete

S/4.40

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LFPAK-8

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

NVMJS1D2N04CLTWG
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S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.60

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

LFPAK-8

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

NVMYS3D5N04CTWG
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1: S/7.08
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NRND

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Cinta cortada

S/7.08

S/4.67

S/3.13

S/2.50

Envase tipo carrete

S/2.02

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

LFPAK-4

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM

NVTFS4C06NTWG
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1: S/8.72
5,000En existencias
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NVTFS4C06NTWG

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863-NVTFS4C06NTWG

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Cinta cortada

S/8.72

S/5.57

S/3.87

S/3.28

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Envase tipo carrete

S/2.39

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

71 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W