Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 451

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V SG NCH

NVMTS0D7N06CTXG
onsemi
1: S/43.71
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS0D7N06CTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS0D7N06CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V SG NCH

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Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/43.71

S/30.28

S/25.53

S/23.39

Envase tipo carrete

S/20.82

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

464 A

720 uOhms

- 20 V, 20 V

4 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

294.6 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL

NVTFS5C658NLTAG
onsemi
1: S/6.85
25,263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C658NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C658NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL

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Hoja de datos

25,263En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.79

S/3.73

S/3.09

Envase tipo carrete

S/2.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

109 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NET1G
onsemi
1: S/15.10
1,350En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NET1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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Hoja de datos

1,350En existencias

Cinta cortada

S/15.10

S/9.89

S/6.89

S/5.64

Envase tipo carrete

S/5.22

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

378 A

700 uOhms

20 V

4 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLAFT1G
onsemi
1: S/13.62
1,657En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

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Hoja de datos

1,657En existencias

Cinta cortada

S/13.62

S/9.42

S/8.06

S/7.79

Envase tipo carrete

S/7.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVTFS004N04CTAG
onsemi
1: S/7.63
2,900En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS004N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS004N04CTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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Hoja de datos

2,900En existencias

Cinta cortada

S/7.63

S/4.90

S/3.30

S/2.62

Envase tipo carrete

S/2.26

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

77 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL

NVTFS5C453NLTAG
onsemi
1: S/8.68
3,708En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C453NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C453NLTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL

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Hoja de datos

3,708En existencias

Cinta cortada

S/8.68

S/5.61

S/3.79

S/3.36

Envase tipo carrete

S/3.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

107 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

NVTFS5C466NLTAG
onsemi
1: S/6.62
2,805En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C466NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C466NLTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

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Hoja de datos

2,805En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/3.00

S/2.96

Envase tipo carrete

S/2.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

51 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

NTMFS5C612NT1G
onsemi
1: S/9.65
1,548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C612NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C612NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

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Hoja de datos

1,548En existencias

Cinta cortada

S/9.65

S/6.19

S/4.36

S/3.48

Envase tipo carrete

S/3.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 219A 1.8MO

NTMFS5C612NLT1G
onsemi
1: S/8.06
2,973En existencias
3,000Se espera el 11/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C612NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C612NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 219A 1.8MO

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Hoja de datos

2,973En existencias

3,000Se espera el 11/12/2026

Cinta cortada

S/8.06

S/5.18

S/3.49

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.43

S/2.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

235 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NTMFS5C628NLT3G
onsemi
1: S/7.98
2,629En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C628NLT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C628NLT3G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

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Hoja de datos

2,629En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/5.37

S/3.69

S/2.94

S/2.81

Envase tipo carrete

S/2.30

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

3.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SO8FL

NTMFS5C645NLT1G
onsemi
1: S/7.08
7,600En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C645NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C645NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SO8FL

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Hoja de datos

7,600En existencias

Cinta cortada

S/7.08

S/4.52

S/3.02

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.00

S/1.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH

NTMFS5C646NLT1G
onsemi
1: S/10.67
3,411En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C646NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C646NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH

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Hoja de datos

3,411En existencias

Cinta cortada

S/10.67

S/7.47

S/5.53

S/4.67

Envase tipo carrete

S/3.93

S/3.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

89 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

15.7 nC

- 55 C

+ 150 C

66 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 68A 6.7MOH

NTMFS5C670NLT1G
onsemi
1: S/3.93
55,790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C670NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C670NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 68A 6.7MOH

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Hoja de datos

55,790En existencias

Cinta cortada

S/3.93

S/2.28

S/1.54

S/1.22

Envase tipo carrete

S/0.969

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

71 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NTMFSC0D9N04CL
onsemi
1: S/9.34
2,839En existencias
6,000Se espera el 3/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFSC0D9N04CL

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFSC0D9N04CL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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Hoja de datos

2,839En existencias

6,000Se espera el 3/04/2026

Cinta cortada

S/9.34

S/6.03

S/4.20

S/3.33

Envase tipo carrete

S/2.76

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

313 A

850 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

NTMJS1D4N06CLTWG
onsemi
1: S/12.22
1,570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMJS1D4N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMJS1D4N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

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Hoja de datos

1,570En existencias

Cinta cortada

S/12.22

S/9.61

S/6.66

S/6.62

Envase tipo carrete

S/3.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-8

N-Channel

1 Channel

60 V

262 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.5mOhms 150A Single N-Channel

NTMJS2D5N06CLTWG
onsemi
1: S/9.03
2,923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMJS2D5N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMJS2D5N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.5mOhms 150A Single N-Channel

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Hoja de datos

2,923En existencias

Cinta cortada

S/9.03

S/5.96

S/4.16

S/3.33

Envase tipo carrete

S/2.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-8

N-Channel

1 Channel

60 V

31 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

24 nC, 52 nC

- 55 C

+ 175 C

113 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION

NTMTS0D6N04CLTXG
onsemi
1: S/16.23
4,626En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS0D6N04CLTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS0D6N04CLTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION

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Hoja de datos

4,626En existencias

Cinta cortada

S/16.23

S/10.74

S/7.59

S/6.89

Envase tipo carrete

S/5.80

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

Power-88-8

N-Channel

1 Channel

40 V

554.5 A

420 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

265 nC

- 55 C

+ 175 C

245.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL NCH

NTMTS0D7N06CLTXG
onsemi
1: S/18.68
2,050En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS0D7N06CLTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS0D7N06CLTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL NCH

Obtenga más información

Hoja de datos

2,050En existencias

Cinta cortada

S/18.68

S/12.38

S/8.84

S/8.29

S/7.82

Envase tipo carrete

S/6.73

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PQFN-88-8

N-Channel

1 Channel

60 V

477 A

680 uOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

225 nC

- 55 C

+ 175 C

294.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0mOhms 133A Single N-Channel

NTMYS3D3N06CLTWG
onsemi
1: S/11.29
2,902En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS3D3N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS3D3N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0mOhms 133A Single N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

2,902En existencias

Cinta cortada

S/11.29

S/8.37

S/5.84

S/4.98

Envase tipo carrete

S/4.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

133 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18.4 nC, 40.7 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

NTMYS4D1N06CLTWG
onsemi
1: S/9.26
2,801En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS4D1N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS4D1N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

Obtenga más información

Hoja de datos

2,801En existencias

Cinta cortada

S/9.26

S/5.96

S/4.09

S/3.25

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 V SANYO T6 NCH IN

NTR3C21NZT1G
onsemi
1: S/1.91
106,984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTR3C21NZT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTR3C21NZT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 V SANYO T6 NCH IN

Obtenga más información

Hoja de datos

106,984En existencias

Cinta cortada

S/1.91

S/1.27

S/0.845

S/0.759

Envase tipo carrete

S/0.564

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

3.6 A

24 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV

17.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.56 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL IN U8FL

NTTFS5C670NLTAG
onsemi
1: S/8.06
2,793En existencias
34,500Se espera el 27/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS5C670NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS5C670NLTAG

onsemi

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Cinta cortada

S/8.06

S/5.41

S/4.59

S/4.40

Envase tipo carrete

S/4.16

S/3.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

70 A

9.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

63 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C454NLT4G
onsemi
1: S/5.53
2,711En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C454NLT4G

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863-NVD5C454NLT4G

onsemi

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2,711En existencias

Cinta cortada

S/5.53

S/4.55

S/4.01

S/3.70

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

88 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C460NLT4G
onsemi
1: S/9.77
1,895En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C460NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C460NLT4G

onsemi

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Cinta cortada

S/9.77

S/6.31

S/4.32

S/3.46

S/3.37

Envase tipo carrete

S/2.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

73 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

47 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C460NT4G
onsemi
1: S/9.73
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NVD5C460NT4G

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863-NVD5C460NT4G

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S/9.73

S/6.31

S/4.32

S/3.46

S/3.37

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S/2.88

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

47 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W