Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Resultados: 452

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C430NWFAFT1G-TK
onsemi
1: S/8.10
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C430NWFAFT1G-TK

N.º de artículo de Mouser
863-S5C430NWFAFT1GTK

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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Cinta cortada

S/8.10

S/5.18

S/3.51

S/2.79

Envase tipo carrete

S/2.39

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Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

185 A

1.7 mOhms

20 V

3.5 V

47 nC

- 55 C

+ 175 C

106 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 1.15MO

NVMFS4C302NWFET1G
onsemi
1: S/8.25
1,192En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C302NWFET1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS4C302NWFET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 1.15MO

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1,192En existencias

Cinta cortada

S/8.25

S/5.29

S/3.58

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.46

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Min.: 1
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SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

30 V

241 A

1.15 mOhms

20 V

2.2 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

NVMFS4C303NWFET1G
onsemi
1: S/5.72
1,200En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C303NWFET1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS4C303NWFET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

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Cinta cortada

S/5.72

S/3.58

S/2.38

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.57

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

NVMFS4C305NET1G-YE
onsemi
1: S/5.18
1,337En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C305NET1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS4C305NET1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

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Cinta cortada

S/5.18

S/3.27

S/2.16

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.41

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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

30 V

127 A

2.8 mOhms

20 V

2.2 V

30 nC

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+ 175 C

79 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C410NWFHT1G
onsemi
1: S/11.48
1,200En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C410NWFHT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS5C410NWFHT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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Cinta cortada

S/11.48

S/7.43

S/5.14

S/4.24

Envase tipo carrete

S/3.67

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

300 A

920 uOhms

20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C430NWFHT1G
onsemi
1: S/8.06
1,200En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C430NWFHT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS5C430NWFHT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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Cinta cortada

S/8.06

S/5.18

S/3.49

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.38

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

185 A

1.7 mOhms

20 V

3.5 V

47 nC

- 55 C

+ 175 C

106 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C442NWFHT1G
onsemi
1: S/8.68
900En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C442NWFHT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS5C442NWFHT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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Cinta cortada

S/8.68

S/5.57

S/3.78

S/3.01

Envase tipo carrete

S/2.63

Ver

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Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

140 A

2.3 mOhms

20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C450NWFHT1G
onsemi
1: S/5.84
1,200En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C450NWFHT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS5C450NWFHT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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Cinta cortada

S/5.84

S/3.68

S/2.45

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.62

Ver

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

102 A

3.3 mOhms

20 V

3.5 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C456NT1G
onsemi
1: S/6.11
1,405En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C456NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C456NT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN

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Cinta cortada

S/6.11

S/4.13

S/3.24

S/2.83

Envase tipo carrete

S/2.35

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

NVMFS4C03NT1G
onsemi
1: S/9.38
1,000En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C03NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS4C03NT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

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1,000En existencias

Cinta cortada

S/9.38

S/6.19

S/5.02

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.60

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

30 V

159 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

45.2 nC

- 55 C

+ 175 C

77 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C468NLWFET3G
onsemi
1: S/4.28
5,000En existencias
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C468NLWFET3G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C468NLWFET3G

Pedido especial de fábrica

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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Hoja de datos

5,000En existencias

Cinta cortada

S/4.28

S/2.69

S/1.76

S/1.36

Envase tipo carrete

S/1.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

37 A

10.3 mOhms

20 V

2 V

7.3 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm

NVTFS4C08NTAG
onsemi
1: S/7.71
1,460En existencias
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C08NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C08NTAG

Pedido especial de fábrica

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm

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Hoja de datos

1,460En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/2.63

S/2.60

S/2.57

Envase tipo carrete

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

55 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

18.2 nC

- 55 C

+ 175 C

31 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C673NT1G
onsemi
1: S/7.28
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C673NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C673NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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Hoja de datos

1,500En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/4.87

S/3.27

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C426NWFHT1G
onsemi
1: S/9.34
1,200En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C426NWFHT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS5C426NWFHT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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Hoja de datos

1,200En existencias

Cinta cortada

S/9.34

S/6.03

S/4.09

S/3.29

Envase tipo carrete

S/2.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

235 A

1.3 mOhms

20 V

3.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

128 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 30V 1.2 MOHM PQFN56MP

NTMFD001N03P9
onsemi
1: S/10.94
2,927En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTMFD001N03P9

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFD001N03P9

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 30V 1.2 MOHM PQFN56MP

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Hoja de datos

2,927En existencias

Cinta cortada

S/10.94

S/7.08

S/4.90

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.26

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

2 Channel

30 V

57 A, 165 A

- 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V

3 V

7.9 nC, 43 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W, 41 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V LFPAK 5X7

NTMJST2D6N08HTXG
onsemi
1: S/14.01
2,920En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
NTMJST2D6N08HTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMJST2D6N08HTXG

Nuevo en Mouser

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V LFPAK 5X7

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Hoja de datos

2,920En existencias

Cinta cortada

S/14.01

S/9.19

S/6.42

S/5.61

Envase tipo carrete

S/4.55

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TCPAK-10

N-Channel

1 Channel

80 V

273 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

116 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V LFPAK 5X7

NTMJST1D4N06CLTXG
onsemi
1: S/11.37
2,820En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
NTMJST1D4N06CLTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMJSTD4N06CLTXG

Nuevo en Mouser

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V LFPAK 5X7

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Hoja de datos

2,820En existencias

Cinta cortada

S/11.37

S/7.36

S/5.10

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.43

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TCPAK57-10

N-Channel

1 Channel

40 V

273 A

1.49 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

92.2 nC

- 55 C

+ 175 C

116 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 200A

NTMFS5C430NLT1G
onsemi
1: S/6.07
43,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C430NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C430NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 200A

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Hoja de datos

43,990En existencias

Cinta cortada

S/6.07

S/3.81

S/2.53

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.65

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL IN U8FL

NTTFS5C673NLTAG
onsemi
1: S/1.71
90,534En existencias
76,500Se espera el 10/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS5C673NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS5C673NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL IN U8FL

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Hoja de datos

90,534En existencias

76,500Se espera el 10/03/2026

Cinta cortada

S/1.71

S/1.08

S/0.868

S/0.825

Envase tipo carrete

S/0.747

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

NVMFS5C420NLT1G
onsemi
1: S/11.60
8,807En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

Obtenga más información

Hoja de datos

8,807En existencias

Cinta cortada

S/11.60

S/9.69

S/7.63

S/7.01

Ver

Envase tipo carrete

S/5.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

277 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

146 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT1G
onsemi
1: S/25.69
5,901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

Obtenga más información

Hoja de datos

5,901En existencias

Cinta cortada

S/25.69

S/17.79

S/13.12

S/12.96

S/10.70

Envase tipo carrete

S/10.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION

NVMTS001N06CLTXG
onsemi
1: S/33.86
4,239En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS001N06CLTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS001N06CLTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION

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4,239En existencias

Cinta cortada

S/33.86

S/24.76

S/24.72

S/19.89

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Envase tipo carrete

S/16.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PQFN-88-8

N-Channel

1 Channel

60 V

398.2 A

810 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

165 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION

NVMTS0D6N04CLTXG
onsemi
1: S/35.11
4,518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS0D6N04CLTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS0D6N04CLTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION

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Hoja de datos

4,518En existencias

Cinta cortada

S/35.11

S/24.44

S/19.89

S/19.54

Envase tipo carrete

S/17.71

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PQFN-88-8

N-Channel

1 Channel

40 V

554.5 A

420 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

245.4 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V SG NCH

NVMTS0D7N06CTXG
onsemi
1: S/43.71
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS0D7N06CTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS0D7N06CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V SG NCH

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Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/43.71

S/30.28

S/25.53

S/23.39

Envase tipo carrete

S/20.82

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

464 A

720 uOhms

- 20 V, 20 V

4 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

294.6 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL

NVTFS5C658NLTAG
onsemi
1: S/6.85
25,263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C658NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C658NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL

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Hoja de datos

25,263En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.79

S/3.73

S/3.09

Envase tipo carrete

S/2.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

109 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W