Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVMFS5C456NLWFHT1G
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S/3.16

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

NVMFS4C303NET1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

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S/5.68

S/3.57

S/2.37

S/1.85

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S/1.56

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

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S/5.18

S/3.27

S/2.16

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S/1.41

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127 A

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

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S/5.68

S/3.56

S/2.37

S/1.85

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S/1.55

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

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127 A

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2.2 V

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

NVMFS4C305NT1G-YE
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NVMFS4C305NT1G-YE

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

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S/5.68

S/3.56

S/2.37

S/1.85

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S/1.55

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SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

30 V

127 A

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20 V

2.2 V

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79 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH

NVMFS4C306NET1G
onsemi
1: S/4.94
1,341En existencias
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NVMFS4C306NET1G

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863-NVMFS4C306NET1G

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S/4.94

S/3.10

S/2.05

S/1.62

Envase tipo carrete

S/1.33

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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

30 V

71 A

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20 V

2.1 V

26 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 1.4 MOHMS LL

NVMFS5C430NLET1G
onsemi
1: S/7.47
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C430NLET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C430NLET1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 1.4 MOHMS LL

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S/7.47

S/4.79

S/3.22

S/2.55

Envase tipo carrete

S/2.23

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.4 mOhms

20 V

2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 2.5 MOHMS LL

NVMFS5C442NLET1G
onsemi
1: S/6.31
1,350En existencias
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NVMFS5C442NLET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C442NLET1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 2.5 MOHMS LL

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S/6.31

S/4.01

S/2.67

S/2.10

Envase tipo carrete

S/1.76

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

130 A

2.5 mOhms

20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 2.8 MOHMS LL

NVMFS5C450NLET1G
onsemi
1: S/6.31
1,348En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C450NLET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C450NLET1G

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 2.8 MOHMS LL

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S/6.31

S/4.01

S/2.67

S/2.10

Envase tipo carrete

S/1.77

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

110 A

2.8 mOhms

20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVMFS5C456NLET1G
onsemi
1: S/5.10
1,350En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C456NLET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C456NLET1G

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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S/5.10

S/3.22

S/2.13

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.38

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Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

87 A

3.7 mOhms

20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 4.5 MOHMS LL

NVMFS5C460NLET1G
onsemi
1: S/4.94
1,171En existencias
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NVMFS5C460NLET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C460NLET1G

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 4.5 MOHMS LL

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S/4.94

S/3.13

S/2.07

S/1.63

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S/1.34

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

78 A

4.5 mOhms

20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C628NLET1G
onsemi
1: S/8.37
1,347En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NLET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NLET1G

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

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S/8.37

S/5.37

S/3.64

S/2.90

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S/2.50

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

2.4 mOhms

20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 1.65MOHM T6 SINGLE S08FL

NVMFS5C645NWFT1G
onsemi
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C645NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C645NWFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 1.65MOHM T6 SINGLE S08FL

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S/8.02

S/5.06

S/3.40

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.00

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

60 V

92 A

4.6 mOhms

20 V

4 V

20.4 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

NVTFS4C13NETAG
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S/0.814

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

14 A

9.4 mOhms

20 V

2.1 V

15.2 nC

- 55 C

+ 175 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C410NWFAFT1G-TK
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S/5.80

S/4.87

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S/3.66

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Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

300 A

9.2 mOhms

20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C426NWFAFT1G-TK
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S/9.58

S/6.19

S/4.20

S/3.38

Envase tipo carrete

S/2.93

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Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

235 A

1.3 mOhms

20 V

3.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

128 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W