Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 452

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

NVMFS4C05NWFT1G
onsemi
1: S/7.98
2,943En existencias
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C05NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS4C05NWFT1G

Pedido especial de fábrica

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

Obtenga más información

Hoja de datos

2,943En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/5.53

S/3.89

S/3.34

Envase tipo carrete

S/2.77

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

30 V

116 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

3.61 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

NVTFWS008N04CTAG
onsemi
1: S/7.28
1,400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS008N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFWS008N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

1,400En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/4.98

S/3.34

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

48 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C478NLWFT1G
onsemi
1: S/9.11
978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C478NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C478NLWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

Obtenga más información

Hoja de datos

978En existencias

Cinta cortada

S/9.11

S/5.92

S/4.05

S/3.23

S/3.01

Envase tipo carrete

S/2.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

29 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

NVMYS2D9N04CLTWG
onsemi
1: S/7.20
2,515En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS2D9N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS2D9N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,515En existencias

Cinta cortada

S/7.20

S/4.63

S/3.08

S/2.48

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

LFPAK-4

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL

NVTFS5C454NLTAG
onsemi
1: S/6.58
1,260En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C454NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C454NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

1,260En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/4.48

S/3.11

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.35

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

85 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C442NWFAFT1G
onsemi
1: S/7.71
1,448En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C442NWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C442NWAT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,448En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/5.99

S/4.36

S/3.88

Envase tipo carrete

S/3.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

140 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

NVMYS011N04CTWG
onsemi
1: S/3.19
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS011N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS011N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/3.19

S/3.08

S/2.18

S/1.74

S/1.58

Envase tipo carrete

S/1.28

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH U8FL

NVTFS4C02NTAG
onsemi
1: S/7.98
1,009En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C02NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C02NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH U8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

1,009En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/6.11

S/5.02

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

162 A

2.25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

3.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

NVTFWS005N04CTAG
onsemi
1: S/6.03
1,400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS005N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFWS005N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

1,400En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/4.94

S/3.44

S/3.01

Envase tipo carrete

S/2.50

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

69 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C466NWFT1G
onsemi
1: S/7.86
1,488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C466NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C466NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

Obtenga más información

Hoja de datos

1,488En existencias

Cinta cortada

S/7.86

S/6.03

S/4.36

S/3.97

S/3.41

Envase tipo carrete

S/3.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

49 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

NVMFS5C628NWFT1G
onsemi
1: S/12.03
760En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

Obtenga más información

Hoja de datos

760En existencias

Cinta cortada

S/12.03

S/9.03

S/6.42

S/5.64

Envase tipo carrete

S/4.63

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

NVMYS5D3N04CTWG
onsemi
1: S/4.16
2,970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS5D3N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS5D3N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

2,970En existencias

Cinta cortada

S/4.16

S/3.34

S/2.33

S/1.96

Envase tipo carrete

S/1.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

71 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C423NLAFT1G
onsemi
1: S/8.68
760En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C423NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C423NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

760En existencias

Cinta cortada

S/8.68

S/6.66

S/4.79

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.61

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVTFWS030N06CTAG
onsemi
1: S/5.72
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS030N06CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFWS030N06CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

Obtenga más información

Hoja de datos

1,500En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/3.81

S/2.68

S/2.22

Envase tipo carrete

S/1.74

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

19 A

29.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

4.7 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO

NVMFS4C301NET1G
onsemi
1: S/13.16
1,350En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C301NET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS4C301NET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO

Obtenga más información

Hoja de datos

1,350En existencias

Cinta cortada

S/13.16

S/8.56

S/5.92

S/5.10

Envase tipo carrete

S/4.28

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO

NVMFS4C301NWFET1G
onsemi
1: S/13.39
1,350En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C301NWFET1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS4C301NWFET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO

Obtenga más información

Hoja de datos

1,350En existencias

Cinta cortada

S/13.39

S/8.76

S/6.07

S/5.25

Envase tipo carrete

S/4.40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C430NLWFAFT1G-TK
onsemi
1: S/8.10
1,188En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C430NLWFAFT1G-TK

N.º de artículo de Mouser
863-5C430NLWFAFT1GTK

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

1,188En existencias

Cinta cortada

S/8.10

S/5.18

S/3.51

S/2.79

Envase tipo carrete

S/2.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.4 mOhms

20 V

2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C628NLAFT1G-YE
onsemi
1: S/9.07
1,200En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C628NLAFT1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,200En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/5.80

S/3.97

S/3.17

Envase tipo carrete

S/2.71

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

2.4 mOhms

20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C673NLAFT1G-YE
onsemi
1: S/5.22
1,326En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C673NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C673NLAFT1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,326En existencias

Cinta cortada

S/5.22

S/3.31

S/2.19

S/1.80

Envase tipo carrete

S/1.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

9.2 mOhms

20 V

2 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SO8FL

NVMFS5C410NLWFHT1G
onsemi
1: S/11.48
1,112En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C410NLWFHT1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C410NLWFHT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

1,112En existencias

Cinta cortada

S/11.48

S/7.43

S/5.14

S/4.24

Envase tipo carrete

S/3.67

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

330 A

820 uOhms

20 V

2 V

143 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C423NLWFHT1G
onsemi
1: S/6.89
1,350En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C423NLWFHT1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C423NLWFHT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

1,350En existencias

Cinta cortada

S/6.89

S/4.36

S/2.93

S/2.31

Envase tipo carrete

S/1.99

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

2 mOhms

20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C430NLWFHT1G
onsemi
1: S/8.06
1,341En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C430NLWFHT1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C430NLWFHT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

1,341En existencias

Cinta cortada

S/8.06

S/5.18

S/3.49

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.38

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.4 mOhms

20 V

2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

NVMFS5C442NLET1G-YE
onsemi
1: S/6.31
1,350En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C442NLET1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C442NLET1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

Obtenga más información

Hoja de datos

1,350En existencias

Cinta cortada

S/6.31

S/4.01

S/2.67

S/2.10

Envase tipo carrete

S/1.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

130 A

2.5 mOhms

20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL S08FL

NVMFS5C450NLWFET1G
onsemi
1: S/5.84
875En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C450NLWFET1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C450NLWFET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL S08FL

Obtenga más información

Hoja de datos

875En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/3.68

S/2.45

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

110 A

2.8 mOhms

20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL S08FL

NVMFS5C450NLWFHT1G
onsemi
1: S/5.84
1,350En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C450NLWFHT1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C450NLWFHT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL S08FL

Obtenga más información

Hoja de datos

1,350En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/3.68

S/2.45

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

110 A

2.8 mOhms

20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W