Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Resultados: 452

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NTTFS004N04CTAG
onsemi
1: S/2.65
4,438En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS004N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS004N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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4,438En existencias

Cinta cortada

S/2.65

S/2.06

S/1.41

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.716

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

77 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NT1G
onsemi
1: S/13.97
1,497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

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1,497En existencias

Cinta cortada

S/13.97

S/9.42

S/7.24

S/7.01

S/6.34

Envase tipo carrete

S/5.68

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

268 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

NVMFS5C468NWFT1G
onsemi
1: S/7.01
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C468NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C468NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

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3,000En existencias

Cinta cortada

S/7.01

S/4.90

S/3.32

S/2.64

S/2.60

Envase tipo carrete

S/2.28

MouseReel Disponible

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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04C
onsemi
1: S/24.76
2,812En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC0D9N04C

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC0D9N04C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

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2,812En existencias

Cinta cortada

S/24.76

S/17.59

S/12.92

S/11.87

Envase tipo carrete

S/10.55

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

313 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO

NTMFS5C442NLT1G
onsemi
1: S/2.57
1,384En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C442NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C442NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO

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1,384En existencias

Cinta cortada

S/2.57

S/2.56

S/2.35

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.89

S/1.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

130 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

3.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C462NT1G
onsemi
1: S/12.61
7,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C462NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C462NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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Hoja de datos

7,390En existencias

Cinta cortada

S/12.61

S/8.37

S/5.88

S/5.06

S/4.36

Envase tipo carrete

S/4.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

70 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C460NT1G
onsemi
1: S/6.34
1,521En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C460NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C460NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 MOHM T6 S08FL SIN

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1,521En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/4.87

S/3.48

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

71 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.0 Ohm 142A Single N-Channel

NVTFWS002N04CLTAG
onsemi
1: S/7.59
1,280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS002N04CLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFWS002N04CLTG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.0 Ohm 142A Single N-Channel

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1,280En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/5.88

S/4.24

S/3.82

S/3.42

Envase tipo carrete

S/3.12

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

142 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

85 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 30V NCH

NTMFS4C020NT1G
onsemi
1: S/5.88
1,646En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4C020NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4C020NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 30V NCH

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1,646En existencias

Cinta cortada

S/5.88

S/4.16

S/2.95

S/2.21

Envase tipo carrete

S/1.98

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

30 V

370 A

670 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

3.84 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel

NTMYS2D4N04CTWG
onsemi
1: S/7.82
2,935En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS2D4N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS2D4N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel

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Hoja de datos

2,935En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/5.25

S/3.93

S/3.54

S/3.47

Envase tipo carrete

S/2.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

138 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C628NT1G
onsemi
1: S/13.70
6,926En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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6,926En existencias

Cinta cortada

S/13.70

S/8.72

S/7.01

S/6.46

Ver

Envase tipo carrete

S/5.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C670NWFT1G
onsemi
1: S/10.39
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C670NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C670NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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3,000En existencias

Cinta cortada

S/10.39

S/7.12

S/5.06

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC1D6N06CL
onsemi
1: S/27.99
2,029En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC1D6N06CL

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC1D6N06CL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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2,029En existencias

Cinta cortada

S/27.99

S/18.29

S/15.57

S/15.49

S/14.36

Envase tipo carrete

S/12.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

224 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION

NTMTS0D6N04CTXG
onsemi
1: S/16.82
2,342En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS0D6N04CTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS0D6N04CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION

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2,342En existencias

Cinta cortada

S/16.82

S/11.25

S/8.02

S/7.36

Ver

Envase tipo carrete

S/5.92

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

Power-88-8

N-Channel

1 Channel

40 V

533 A

480 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

187 nC

- 55 C

+ 175 C

245 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 27.5 mOhm 21A Single N-Channel

NTMYS025N06CLTWG
onsemi
1: S/6.93
2,394En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS025N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS025N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 27.5 mOhm 21A Single N-Channel

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Hoja de datos

2,394En existencias

Cinta cortada

S/6.93

S/4.44

S/2.96

S/2.34

S/2.14

Envase tipo carrete

S/1.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.7 nC

- 55 C

+ 175 C

24 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C410NWFAFT1G
onsemi
1: S/19.11
805En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C410NWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C410NWT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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Hoja de datos

805En existencias

Cinta cortada

S/19.11

S/14.83

S/10.67

S/10.43

Ver

Envase tipo carrete

S/8.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

40 V

300 A

760 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C446NT1G
onsemi
1: S/17.09
1,356En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C446NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C446NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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Hoja de datos

1,356En existencias

Cinta cortada

S/17.09

S/11.41

S/8.91

S/8.68

S/8.17

Envase tipo carrete

S/7.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

127 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

89 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH

NVMTS0D7N04CTXG
onsemi
1: S/37.10
1,891En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS0D7N04CTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS0D7N04CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH

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Hoja de datos

1,891En existencias

Cinta cortada

S/37.10

S/25.50

S/20.59

S/20.55

S/19.50

Envase tipo carrete

S/16.78

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

433 A

630 uOhms

- 20 V, 20 V

1 V

205 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NLWFAFT1G-TK
onsemi
1: S/15.14
1,200En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NLWFAFT1G-TK

N.º de artículo de Mouser
863-5C404NLWFAFT1GTK

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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Hoja de datos

1,200En existencias

Cinta cortada

S/15.14

S/9.93

S/6.93

S/6.15

Envase tipo carrete

S/5.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

370 A

670 uOhms

20 V

2 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NLWFHT3G
onsemi
1: S/14.44
4,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NLWFHT3G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C404NLWFHT3G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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Hoja de datos

4,500En existencias

Cinta cortada

S/14.44

S/9.46

S/6.62

S/5.80

Ver

Envase tipo carrete

S/4.75

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

370 A

670 uOhms

20 V

2 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 0.67 MOHMS LL

NVMFS5C404NLET1G
onsemi
1: S/15.10
1,139En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NLET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NLET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 0.67 MOHMS LL

Obtenga más información

Hoja de datos

1,139En existencias

Cinta cortada

S/15.10

S/9.89

S/6.89

S/6.15

S/5.53

Envase tipo carrete

S/5.02

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

370 A

670 uOhms

20 V

2 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 0.7 MOHMS SL

NVMFS5C404NWFHT1G
onsemi
1: S/14.44
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NVMFS5C404NWFHT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 0.7 MOHMS SL

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S/14.44

S/9.42

S/6.62

S/5.80

Envase tipo carrete

S/4.79

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

378 A

700 uOhms

20 V

4 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel

NVMJS1D5N04CLTWG
onsemi
1: S/6.81
2,965En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMJS1D5N04CLTWG

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863-NVMJS1D5N04CLTWG

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel

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Cinta cortada

S/6.81

S/5.49

S/3.97

S/3.36

S/2.74

Envase tipo carrete

S/2.69

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-8

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

NVMYS1D3N04CTWG
onsemi
1: S/10.32
2,069En existencias
NRND

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NVMYS1D3N04CTWG

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863-NVMYS1D3N04CTWG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

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Cinta cortada

S/10.32

S/7.24

S/5.14

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

252 A

1.15 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NAFT1G
onsemi
1: S/28.45
1,358En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NAFT1G

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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Cinta cortada

S/28.45

S/19.23

S/14.48

S/14.44

Ver

Envase tipo carrete

S/11.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

378 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

3.9 W, 200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W