Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode SNG Bi-directional
DF2B29FU,H3F
Toshiba
1:
S/1.17
11,784 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-DF2B29FUH3F
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode SNG Bi-directional
11,784 En existencias
1
S/1.17
10
S/0.712
100
S/0.401
500
S/0.30
3,000
S/0.202
6,000
Ver
1,000
S/0.257
6,000
S/0.191
9,000
S/0.171
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
DF2B36FU,H3F
Toshiba
1:
S/0.545
15,277 En existencias
33,000 Se espera el 11/05/2026
N.º de artículo de Mouser 757-DF2B36FUH3F
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
15,277 En existencias
33,000 Se espera el 11/05/2026
1
S/0.545
100
S/0.261
1,000
S/0.257
3,000
S/0.156
6,000
S/0.152
9,000
S/0.148
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
DF3D29FU,LF
Toshiba
1:
S/1.48
5,700 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-DF3D29FULF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
5,700 En existencias
1
S/1.48
10
S/0.989
100
S/0.67
500
S/0.518
3,000
S/0.323
9,000
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1,000
S/0.471
9,000
S/0.319
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
SSM3J377R,LF
Toshiba
1:
S/1.32
8,377 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J377RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
8,377 En existencias
1
S/1.32
10
S/0.821
100
S/0.506
500
S/0.37
3,000
S/0.269
6,000
Ver
1,000
S/0.319
6,000
S/0.245
9,000
S/0.206
24,000
S/0.199
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A
SSM3J378R,LF
Toshiba
1:
S/1.56
5,790 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J378RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A
5,790 En existencias
1
S/1.56
10
S/0.965
100
S/0.607
500
S/0.455
3,000
S/0.292
6,000
Ver
1,000
S/0.374
6,000
S/0.28
9,000
S/0.226
24,000
S/0.218
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
SSM3K337R,LF
Toshiba
1:
S/2.72
9,271 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K337RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
9,271 En existencias
1
S/2.72
10
S/1.69
100
S/1.10
500
S/0.841
3,000
S/0.627
6,000
Ver
1,000
S/0.74
6,000
S/0.592
9,000
S/0.545
24,000
S/0.487
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
SSM3K347R,LF
Toshiba
1:
S/1.13
5,008 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K347RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
5,008 En existencias
1
S/1.13
10
S/1.07
100
S/0.701
500
S/0.529
3,000
S/0.315
6,000
Ver
1,000
S/0.467
6,000
S/0.30
9,000
S/0.276
24,000
S/0.265
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
SSM3K376R,LF
Toshiba
1:
S/1.40
17,760 En existencias
18,000 Se espera el 3/06/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K376RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
17,760 En existencias
18,000 Se espera el 3/06/2026
1
S/1.40
10
S/0.794
100
S/0.564
500
S/0.401
3,000
S/0.284
6,000
Ver
1,000
S/0.346
6,000
S/0.249
9,000
S/0.206
24,000
S/0.202
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
SSM6N357R,LF
Toshiba
1:
S/2.57
1,106 En existencias
3,000 Se espera el 19/06/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N357RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
1,106 En existencias
3,000 Se espera el 19/06/2026
1
S/2.57
10
S/1.58
100
S/1.02
500
S/0.775
3,000
S/0.572
6,000
Ver
1,000
S/0.693
6,000
S/0.525
9,000
S/0.452
24,000
S/0.436
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
S/7.12
291 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ20S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
291 En existencias
1
S/7.12
10
S/4.67
100
S/3.13
500
S/2.48
2,000
S/1.97
4,000
Ver
1,000
S/2.30
4,000
S/1.87
24,000
S/1.84
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
S/11.48
563 En existencias
2,000 Se espera el 10/04/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
563 En existencias
2,000 Se espera el 10/04/2026
1
S/11.48
10
S/6.85
100
S/5.02
500
S/4.28
2,000
S/3.74
4,000
Ver
1,000
S/3.97
4,000
S/3.48
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Toshiba
1:
S/7.01
2,565 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ8S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
2,565 En existencias
1
S/7.01
10
S/4.48
100
S/2.99
500
S/2.37
2,000
S/1.93
4,000
Ver
1,000
S/2.16
4,000
S/1.76
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
TK65S04N1L,LQ
Toshiba
1:
S/10.63
100 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK65S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
100 En existencias
1
S/10.63
10
S/6.89
100
S/4.75
500
S/3.84
1,000
S/3.79
2,000
S/3.13
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
TK90S06N1L,LQ
Toshiba
1:
S/11.33
218 En existencias
2,000 Se espera el 2/03/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TK90S06N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
218 En existencias
2,000 Se espera el 2/03/2026
1
S/11.33
10
S/7.40
100
S/5.14
500
S/4.28
2,000
S/3.48
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
SSM3H137TU,LF
Toshiba
1:
S/2.72
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3H137TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
1
S/2.72
10
S/1.68
100
S/1.08
500
S/0.821
3,000
S/0.611
6,000
Ver
1,000
S/0.74
6,000
S/0.557
9,000
S/0.483
24,000
S/0.471
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
2SD1223(TE16L1,NQ)
Toshiba
1:
S/5.57
Plazo de entrega 21 Semanas
N.º de artículo de Mouser 757-2SD1223TE16L1NQ
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
Plazo de entrega 21 Semanas
1
S/5.57
10
S/3.52
100
S/2.34
500
S/1.83
2,000
S/1.48
4,000
Ver
1,000
S/1.67
4,000
S/1.38
10,000
S/1.29
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Brushless MCD Automotive; AEC-Q10
TB9081FG
Toshiba
1,600:
S/32.39
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TB9081FG
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Brushless MCD Automotive; AEC-Q10
No en existencias
Comprar
Min.: 1,600 Mult.: 1,600
Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 2Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
+3 imágenes
TB9101FNG,EL
Toshiba
2,000:
S/10.04
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TB9101FNG,EL
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 2Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
No en existencias
Comprar
Min.: 2,000 Mult.: 2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
2,000:
S/1.93
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
2,000
S/1.93
4,000
S/1.76
Comprar
Min.: 2,000 Mult.: 2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014
TK20S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba
2,000:
S/1.88
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK20S04K3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014
No en existencias
2,000
S/1.88
4,000
S/1.79
10,000
S/1.77
Comprar
Min.: 2,000 Mult.: 2,000
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q
Toshiba 1SS403TPH3F
1SS403TPH3F
Toshiba
6,000:
S/0.30
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS403(TPH3,F)
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q
No en existencias
6,000
S/0.30
12,000
S/0.28
24,000
S/0.257
Comprar
Min.: 6,000 Mult.: 6,000
Detalles
