Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
1SS302A,LF
Toshiba
1:
S/0.545
670,425 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS302ALF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
670,425 En existencias
1
S/0.545
10
S/0.378
100
S/0.284
500
S/0.21
3,000
S/0.093
6,000
Ver
1,000
S/0.183
6,000
S/0.09
9,000
S/0.082
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
DF3D18FU,LF
Toshiba
1:
S/1.48
162,435 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-DF3D18FULF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
162,435 En existencias
1
S/1.48
10
S/0.989
100
S/0.67
500
S/0.518
1,000
S/0.44
3,000
S/0.319
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
S/5.88
4,317 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ40S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
4,317 En existencias
1
S/5.88
10
S/4.87
100
S/3.48
500
S/2.95
2,000
S/2.50
10,000
Ver
1,000
S/2.90
10,000
S/2.41
24,000
Presupuesto
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
DF3D36FU,LF
Toshiba
1:
S/1.36
24,201 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-DF3D36FULF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
24,201 En existencias
1
S/1.36
10
S/0.919
100
S/0.619
500
S/0.483
3,000
S/0.296
6,000
Ver
1,000
S/0.436
6,000
S/0.292
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
TK55S10N1,LQ
Toshiba
1:
S/14.21
1,560 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK55S10N1LQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
1,560 En existencias
1
S/14.21
10
S/9.30
100
S/6.54
500
S/5.72
1,000
S/5.25
2,000
S/4.63
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
TK100S04N1L,LQ
Toshiba
1:
S/13.62
3,703 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK100S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
3,703 En existencias
1
S/13.62
10
S/8.87
100
S/6.23
500
S/5.41
1,000
S/5.02
2,000
S/4.40
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
S/6.54
1,307 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
1,307 En existencias
1
S/6.54
10
S/4.83
100
S/3.26
500
S/2.58
2,000
S/2.12
4,000
Ver
1,000
S/2.37
4,000
S/1.97
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK15S04N1L,LQ
Toshiba
1:
S/6.15
1,682 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK15S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,682 En existencias
1
S/6.15
10
S/4.71
100
S/3.25
500
S/2.86
2,000
S/2.42
4,000
Ver
1,000
S/2.76
4,000
S/2.30
24,000
Presupuesto
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Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
TB9057FG
Toshiba
1:
S/33.71
1,735 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TB9057FG
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
1,735 En existencias
1
S/33.71
10
S/26.27
25
S/24.44
100
S/22.42
250
Ver
250
S/21.88
1,000
S/21.84
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Detalles
Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q
+1 imagen
TC32306FTG,EL
Toshiba
1:
S/14.56
1,988 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TC32306FTG,EL
Toshiba
Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q
1,988 En existencias
1
S/14.56
10
S/12.57
25
S/11.87
100
S/10.94
2,000
S/7.82
4,000
Ver
250
S/10.35
500
S/9.81
1,000
S/8.29
4,000
S/7.55
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Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
+3 imágenes
TB9061AFNG,EL
Toshiba
1:
S/38.30
452 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TB9061AFNG,EL
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
452 En existencias
1
S/38.30
10
S/29.58
25
S/28.22
100
S/24.52
250
Ver
2,000
S/17.01
250
S/23.39
500
S/21.33
1,000
S/18.80
2,000
S/17.01
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
SSM3J351R,LF
Toshiba
1:
S/2.14
80,596 En existencias
51,000 Se espera el 6/03/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J351RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
80,596 En existencias
51,000 Se espera el 6/03/2026
1
S/2.14
10
S/1.32
100
S/0.845
500
S/0.638
3,000
S/0.436
6,000
Ver
1,000
S/0.564
6,000
S/0.401
9,000
S/0.366
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
SSM3J356R,LF
Toshiba
1:
S/1.63
67,009 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J356RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
67,009 En existencias
1
S/1.63
10
S/1.01
100
S/0.638
500
S/0.479
3,000
S/0.343
6,000
Ver
1,000
S/0.424
6,000
S/0.311
9,000
S/0.265
24,000
S/0.253
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
SSM3K2615R,LF
Toshiba
1:
S/2.49
47,737 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K2615RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
47,737 En existencias
1
S/2.49
10
S/1.56
100
S/1.03
500
S/0.841
3,000
S/0.627
6,000
Ver
1,000
S/0.74
6,000
S/0.572
9,000
S/0.498
24,000
S/0.487
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
SSM3K318R,LF
Toshiba
1:
S/2.02
20,933 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K318RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
20,933 En existencias
1
S/2.02
10
S/1.22
100
S/0.802
500
S/0.638
3,000
S/0.358
6,000
Ver
1,000
S/0.545
6,000
S/0.354
9,000
S/0.339
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
SSM3K341R,LF
Toshiba
1:
S/2.72
38,623 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K341RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
38,623 En existencias
1
S/2.72
10
S/1.68
100
S/1.08
500
S/0.821
3,000
S/0.58
6,000
Ver
1,000
S/0.74
6,000
S/0.537
9,000
S/0.483
24,000
S/0.471
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET
SSM3K361R,LF
Toshiba
1:
S/2.96
52,493 En existencias
6,000 Se espera el 20/02/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K361RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET
52,493 En existencias
6,000 Se espera el 20/02/2026
1
S/2.96
10
S/1.84
100
S/1.19
500
S/0.907
3,000
S/0.638
6,000
Ver
1,000
S/0.814
6,000
S/0.619
9,000
S/0.541
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 1Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
TB9051FTG,EL
Toshiba
1:
S/30.75
940 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TB9051FTG
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 1Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
940 En existencias
1
S/30.75
10
S/23.82
25
S/22.07
100
S/20.16
250
Ver
3,000
S/17.67
250
S/19.27
500
S/18.72
1,000
S/18.26
3,000
S/17.67
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
S/8.84
5,662 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ30S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
5,662 En existencias
1
S/8.84
10
S/5.68
100
S/3.86
500
S/3.08
2,000
S/2.54
4,000
Ver
1,000
S/2.90
4,000
S/2.53
10,000
S/2.44
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
SSM3K341TU,LF
Toshiba
1:
S/2.45
7,347 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K341TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
7,347 En existencias
1
S/2.45
10
S/1.59
100
S/1.06
500
S/0.81
3,000
S/0.537
6,000
Ver
1,000
S/0.728
6,000
S/0.522
9,000
S/0.475
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
SSM3K361TU,LF
Toshiba
1:
S/2.76
829 En existencias
6,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K361TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
829 En existencias
6,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
829 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3,000 Se espera el 20/02/2026
3,000 Se espera el 6/03/2026
Plazo de entrega de fábrica:
12 Semanas
1
S/2.76
10
S/1.71
100
S/1.11
500
S/0.849
3,000
S/0.619
6,000
Ver
1,000
S/0.747
6,000
S/0.576
9,000
S/0.502
24,000
S/0.49
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V
SSM3K62TU,LF
Toshiba
1:
S/2.06
80 En existencias
9,000 Se espera el 20/02/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K62TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V
80 En existencias
9,000 Se espera el 20/02/2026
1
S/2.06
10
S/1.28
100
S/0.779
500
S/0.615
3,000
S/0.381
6,000
Ver
1,000
S/0.553
6,000
S/0.358
9,000
S/0.339
24,000
S/0.323
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current
1SS307E,L3F
Toshiba
1:
S/0.584
17,729 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS307EL3F
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current
17,729 En existencias
1
S/0.584
10
S/0.323
100
S/0.245
500
S/0.179
8,000
S/0.074
24,000
Ver
1,000
S/0.14
5,000
S/0.09
24,000
S/0.07
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q
1SS403,H3F
Toshiba
1:
S/0.856
14,496 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS403H3F
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q
14,496 En existencias
1
S/0.856
10
S/0.67
100
S/0.416
500
S/0.308
3,000
S/0.214
6,000
Ver
1,000
S/0.272
6,000
S/0.199
9,000
S/0.175
24,000
S/0.148
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Suppressors / TVS Diodes SNG Bi-directional. Automotive; AEC-Q101 option available
DF2B18FU,H3F
Toshiba
1:
S/1.09
16,306 En existencias
9,000 Se espera el 2/03/2026
N.º de artículo de Mouser 757-DF2B18FUH3F
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Suppressors / TVS Diodes SNG Bi-directional. Automotive; AEC-Q101 option available
16,306 En existencias
9,000 Se espera el 2/03/2026
1
S/1.09
10
S/0.728
100
S/0.448
500
S/0.331
3,000
S/0.199
6,000
Ver
1,000
S/0.296
6,000
S/0.183
9,000
S/0.152
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
