Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 1Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
TB9051FTG,EL
Toshiba
1:
S/31.68
3,253 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TB9051FTG
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 1Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
3,253 En existencias
1
S/31.68
10
S/24.52
25
S/22.73
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S/20.75
250
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S/17.98
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
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N.º de artículo de Mouser 757-TJ30S06M3LT6L1NQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
5,334 En existencias
1
S/9.46
10
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S/3.03
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S/2.83
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
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N.º de artículo de Mouser 757-TJ40S04M3LT6L1NQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
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S/9.38
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S/2.79
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
TK100S04N1L,LQ
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N.º de artículo de Mouser 757-TK100S04N1LLQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
3,603 En existencias
1
S/14.60
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S/5.10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
TK65S04N1L,LQ
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2,070 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK65S04N1LLQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
2,070 En existencias
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10
S/7.36
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S/5.06
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S/3.84
4,000
S/3.15
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S/3.13
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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
1SS302A,LF
Toshiba
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S/0.856
583,955 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS302ALF
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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
583,955 En existencias
1
S/0.856
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S/0.125
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S/0.101
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
2SD1223(TE16L1,NQ)
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N.º de artículo de Mouser 757-2SD1223TE16L1NQ
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
11,900 En existencias
1
S/5.92
10
S/3.73
100
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S/1.98
2,000
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S/1.80
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24,000
S/1.29
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
TK90S06N1L,LQ
Toshiba
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2,092 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
2,092 En existencias
1
S/12.26
10
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S/4.28
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S/3.48
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
TB9057FG
Toshiba
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1,735 En existencias
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
1,735 En existencias
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S/40.79
10
S/31.84
25
S/29.58
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S/25.77
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S/25.26
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S/24.68
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Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q
+1 imagen
TC32306FTG,EL
Toshiba
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S/14.99
1,957 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TC32306FTG,EL
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Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q
1,957 En existencias
1
S/14.99
10
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25
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250
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250
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500
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2,000
S/8.41
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK15S04N1L,LQ
Toshiba
1:
S/9.07
1,682 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK15S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,682 En existencias
1
S/9.07
10
S/4.40
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S/3.14
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S/2.67
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S/2.96
4,000
S/2.66
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
+3 imágenes
TB9061AFNG,EL
Toshiba
1:
S/32.54
447 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TB9061AFNG,EL
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
447 En existencias
1
S/32.54
10
S/25.18
25
S/23.36
100
S/21.37
250
Ver
2,000
S/18.26
250
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S/19.81
1,000
S/19.31
2,000
S/18.26
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
SSM3K341R,LF
Toshiba
1:
S/3.11
102,559 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K341RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
102,559 En existencias
1
S/3.11
10
S/1.92
100
S/1.24
500
S/0.942
3,000
S/0.724
6,000
Ver
1,000
S/0.849
6,000
S/0.662
9,000
S/0.596
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
DF2B36FU,H3F
Toshiba
1:
S/1.40
50,191 En existencias
69,000 Se espera el 4/09/2026
N.º de artículo de Mouser 757-DF2B36FUH3F
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
50,191 En existencias
69,000 Se espera el 4/09/2026
1
S/1.40
10
S/0.611
100
S/0.533
500
S/0.397
3,000
S/0.292
6,000
Ver
1,000
S/0.343
6,000
S/0.265
9,000
S/0.226
24,000
S/0.206
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
DF3D18FU,LF
Toshiba
1:
S/2.30
106,373 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-DF3D18FULF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
106,373 En existencias
1
S/2.30
10
S/1.06
100
S/0.899
500
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3,000
S/0.51
6,000
Ver
1,000
S/0.638
6,000
S/0.487
9,000
S/0.444
24,000
S/0.385
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
SSM3J351R,LF
Toshiba
1:
S/2.61
39,611 En existencias
156,000 Se espera el 21/08/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J351RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
39,611 En existencias
156,000 Se espera el 21/08/2026
1
S/2.61
10
S/1.18
100
S/1.03
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S/0.779
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S/0.592
6,000
Ver
6,000
S/0.568
9,000
S/0.502
24,000
S/0.432
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Carrete :3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
SSM3J356R,LF
Toshiba
1:
S/1.87
44,393 En existencias
51,000 Se espera el 5/01/2027
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J356RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
44,393 En existencias
51,000 Se espera el 5/01/2027
1
S/1.87
10
S/0.829
100
S/0.724
500
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S/0.405
9,000
Ver
1,000
S/0.533
9,000
S/0.346
24,000
S/0.311
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
SSM3K2615R,LF
Toshiba
1:
S/3.19
39,547 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K2615RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
39,547 En existencias
1
S/3.19
10
S/1.44
100
S/1.27
500
S/0.969
3,000
S/0.747
6,000
Ver
1,000
S/0.954
6,000
S/0.736
9,000
S/0.65
24,000
S/0.619
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET
SSM3K361R,LF
Toshiba
1:
S/3.39
33,337 En existencias
30,000 Se espera el 21/08/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K361RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET
33,337 En existencias
30,000 Se espera el 21/08/2026
1
S/3.39
10
S/1.55
100
S/1.37
500
S/1.05
3,000
S/0.806
9,000
Ver
9,000
S/0.747
24,000
S/0.673
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
SSM6N357R,LF
Toshiba
1:
S/5.02
17,763 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N357RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
17,763 En existencias
1
S/5.02
10
S/3.50
100
S/2.21
500
S/1.37
3,000
S/0.899
6,000
Ver
1,000
S/1.01
6,000
S/0.775
9,000
S/0.677
24,000
S/0.553
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
TK55S10N1,LQ
Toshiba
1:
S/15.22
1,517 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK55S10N1LQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
1,517 En existencias
1
S/15.22
10
S/7.71
100
S/6.97
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S/5.72
2,000
S/5.37
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
SSM3K337R,LF
Toshiba
1:
S/3.19
640 En existencias
6,000 Se espera el 28/08/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K337RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
640 En existencias
6,000 Se espera el 28/08/2026
1
S/3.19
10
S/1.97
100
S/1.27
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S/0.969
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S/0.747
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Ver
1,000
S/0.872
6,000
S/0.685
9,000
S/0.615
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q
1SS403,H3F
Toshiba
1:
S/1.25
14,917 En existencias
27,000 Se espera el 24/08/2026
N.º de artículo de Mouser 757-1SS403H3F
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q
14,917 En existencias
27,000 Se espera el 24/08/2026
1
S/1.25
10
S/0.545
100
S/0.475
500
S/0.35
3,000
S/0.257
9,000
Ver
9,000
S/0.218
24,000
S/0.195
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Suppressors / TVS Diodes SNG Bi-directional. Automotive; AEC-Q101 option available
DF2B18FU,H3F
Toshiba
1:
S/1.40
9,321 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-DF2B18FUH3F
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Suppressors / TVS Diodes SNG Bi-directional. Automotive; AEC-Q101 option available
9,321 En existencias
1
S/1.40
10
S/0.611
100
S/0.533
500
S/0.397
3,000
S/0.292
6,000
Ver
1,000
S/0.343
6,000
S/0.265
9,000
S/0.226
24,000
S/0.206
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode SNG Bi-directional
DF2B29FU,H3F
Toshiba
1:
S/1.48
1,825 En existencias
39,000 Se espera el 17/08/2026
N.º de artículo de Mouser 757-DF2B29FUH3F
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode SNG Bi-directional
1,825 En existencias
39,000 Se espera el 17/08/2026
1
S/1.48
10
S/0.65
100
S/0.568
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S/0.42
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S/0.292
6,000
Ver
1,000
S/0.378
6,000
S/0.265
9,000
S/0.226
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
