Semiconductores – Mouser Perú

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Group Power Conversion Components

YAGEO Group (YAGEO, Pulse, KEMET) designs passive component technologies that are critical in power conversion systems, including safety, snubber, and DC link capacitors; current sense and power resistors; and magnetic components such as transformers, common mode chokes, and inductors. Because every electronic device requires power, a vast majority of these products utilize a form of power conversion or power supply to deliver the required energy.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 6.4A SOT-23

XP2344GN
YAGEO XSemi
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XP2344GN

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603-XP2344GN

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 6.4A SOT-23

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S/1.52

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -5A SOT-23

XP2P038N
YAGEO XSemi
1: S/1.48
2,890En existencias

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XP2P038N

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603-XP2P038N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -5A SOT-23

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S/1.48

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S/0.564

S/0.487

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S/0.311

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

XP3700M
YAGEO XSemi
1: S/2.14
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XP3700M

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603-XP3700M

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

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S/0.852

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

XP3C023AMT
YAGEO XSemi
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XP3C023AMT

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603-XP3C023AMT

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S/3.58

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S/1.44

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 10A PMPAK-3x3

XP3N020YT
YAGEO XSemi
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XP3N020YT

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603-XP3N020YT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 10A PMPAK-3x3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 32.8 A PMPAK-5x6

XP3N2R8AMT
YAGEO XSemi
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603-XP3N2R8AMT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 63.5 A PMPAK-5x6

XP3N5R0AMT
YAGEO XSemi
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S/1.15

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S/0.623

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 63.5 A PMPAK-3x3

XP3N5R0AYT
YAGEO XSemi
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603-XP3N5R0AYT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 62A TO-252

XP3N5R0H
YAGEO XSemi
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S/0.588

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 17.4 A SO-8

XP3N5R0M
YAGEO XSemi
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XP3N5R0M

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603-XP3N5R0M

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XP3N9R5AH
YAGEO XSemi
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XP3N9R5AMT
YAGEO XSemi
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XP3N9R5AYT
YAGEO XSemi
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XP3N9R5AYT

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S/0.557

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 36.5 A PMPAK-5x6

XP3NA2R4MT
YAGEO XSemi
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XP3NA2R4MT

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603-XP3NA2R4MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 36.5 A PMPAK-5x6

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S/3.89

S/2.43

S/1.59

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S/0.934

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 29.2 A PMPAK-5x6

XP3NA3R4MT
YAGEO XSemi
1: S/3.08
3,000En existencias

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XP3NA3R4MT

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603-XP3NA3R4MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 29.2 A PMPAK-5x6

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S/3.08

S/1.91

S/1.23

S/0.942

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S/0.689

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 20.4 A PMPAK-5x6

XP3NA7R2MT
YAGEO XSemi
1: S/2.76
2,990En existencias

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XP3NA7R2MT

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603-XP3NA7R2MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 20.4 A PMPAK-5x6

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S/2.76

S/1.70

S/1.09

S/0.833

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S/0.576

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -13 .3A SO-8

XP3P010M
YAGEO XSemi
1: S/3.43
2,989En existencias

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XP3P010M

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603-XP3P010M

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -13 .3A SO-8

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S/3.43

S/2.13

S/1.38

S/1.06

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S/0.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3

XP3P010YT
YAGEO XSemi
1: S/3.66
3,000En existencias

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XP3P010YT

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603-XP3P010YT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3

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S/3.66

S/2.25

S/1.54

S/1.21

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S/0.825

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -9. 3A SO-8

XP3P020M
YAGEO XSemi
1: S/2.02
1,724En existencias

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XP3P020M

N.º de artículo de Mouser
603-XP3P020M

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -9. 3A SO-8

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S/2.02

S/1.26

S/0.825

S/0.623

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S/0.401

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -4. 1A SOT-89

XP3P050AG
YAGEO XSemi
1: S/1.60
2,242En existencias

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XP3P050AG

N.º de artículo de Mouser
603-XP3P050AG

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -4. 1A SOT-89

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S/1.60

S/1.01

S/0.638

S/0.49

Envase tipo carrete

S/0.436

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -5. 8A SO-8

XP3P050AM
YAGEO XSemi
1: S/1.63
2,975En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3P050AM

N.º de artículo de Mouser
603-XP3P050AM

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -5. 8A SO-8

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Cinta cortada

S/1.63

S/1.02

S/0.65

S/0.487

Envase tipo carrete

S/0.331

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6

XP3P3R0MT
YAGEO XSemi
1: S/6.07
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3P3R0MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3P3R0MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6

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Cinta cortada

S/6.07

S/3.85

S/2.57

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.72

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Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -15 .5A SO-8

XP3P7R0EM
YAGEO XSemi
1: S/4.32
2,870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3P7R0EM

N.º de artículo de Mouser
603-XP3P7R0EM

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -15 .5A SO-8

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Cinta cortada

S/4.32

S/2.71

S/1.78

S/1.41

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S/1.08

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 18.5 A SO-8

XP4024EM
YAGEO XSemi
1: S/2.84
2,695En existencias

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XP4024EM

N.º de artículo de Mouser
603-XP4024EM

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 18.5 A SO-8

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S/2.84

S/1.76

S/1.15

S/0.876

Envase tipo carrete

S/0.627

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 26.1 A PMPAK-5x6

XP4024GEMT
YAGEO XSemi
1: S/3.08
2,994En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4024GEMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP4024GEMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 26.1 A PMPAK-5x6

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S/3.08

S/1.90

S/1.23

S/0.938

Envase tipo carrete

S/0.685

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